一种汽车控制器输入电源防反接保护电路制造技术

本实用新型专利技术公开了一种汽车控制器输入电源防反接保护电路，包括MOS管控制电路、PMOS管Q1和电阻R1；MOS管控制电路的输入端与PMOS管的漏极连接；MOS管控制电路的输出端与PMOS管的源极连接；PMOS管的栅极通过电阻R1与大地连接；电阻R1的另一端接与PMOS管的漏极分别作为电源的正负极接线端。本实用新型专利技术提供的汽车控制器输入电源防反接保护电路，采用MOS管与二极管结合进行控制器输入电源的防反接保护，解决了二极管正向导通压降大而导致控制器实际最低工作电压变高的现象，同时解决了二极管防反接保护电路散热大的技术问题，并使得电源防反接保护电路的成本降低。

An anti reverse protection circuit for input power supply of automobile controller

【技术实现步骤摘要】
一种汽车控制器输入电源防反接保护电路
本技术涉及电子设备
，特别是一种汽车控制器输入电源防反接保护电路。
技术介绍
目前汽车控制器输入电源防反接保护电路采用二极管正向导通、反向截止原理进行保护，这种防反接保护电路存在以下缺点：1、输入电源电流需求比较大，需要选用大功率二极管才能满足控制器的功率需求，导致成本增加；2、二极管存在正向导通压降，功率二极管一般导通压降大于0.7V，使实际输入到控制器电源的电压减小，从而导致控制器实际的最低工作电压变高。3、二极管正向导通电阻较大，使其在工作中容易产生更多热量，影响二极管的使用寿命。
技术实现思路
有鉴于此，本技术的目的在于提供一种汽车控制器输入电源防反接保护电路，本电路采用MOS管与二极管结合进行控制器输入电源的防反接保护。为达到上述目的，本技术提供如下技术方案：本技术提供的汽车控制器输入电源防反接保护电路，包括MOS管控制电路、PMOS管Q1和电阻R1；所述MOS管控制电路的输入端与PMOS管的漏极连接；所述MOS管控制电路的输出端与PMOS管的源极连接；所述PMOS管的栅极通过电阻R1与大地连接；所述电阻R1的另一端接与PMOS管的漏极分别作为电源的正负极接线端。进一步，所述MOS管控制电路包括二极管D1，所述二极管的正极与PMOS管的漏极连接；所述二极管的负极与PMOS管的源极连接。进一步，所述MOS管控制电路包括三极管Q2；所述三极管Q2的集电极和基极之间设置有电阻R2；所述三极管Q2的基极通过电阻与PMOS管的漏极连接；所述三极管Q2的发射极与PMOS管的源极连接。进一步，所述MOS管控制电路包括为电阻，所述电阻两端与PMOS管的源极和漏极分别连接。本技术的有益效果在于：本技术提供的汽车控制器输入电源防反接保护电路，采用MOS管与二极管结合进行控制器输入电源的防反接保护，解决了二极管正向导通压降大而导致控制器实际最低工作电压变高的现象，同时解决了二极管防反接保护电路散热大的技术问题，并使得电源防反接保护电路的成本降低。本技术的其他优点、目标和特征在某种程度上将在随后的说明书中进行阐述，并且在某种程度上，基于对下文的考察研究对本领域技术人员而言将是显而易见的，或者可以从本技术的实践中得到教导。本技术的目标和其他优点可以通过下面的说明书来实现和获得。附图说明为了使本技术的目的、技术方案和有益效果更加清楚，本技术提供如下附图进行说明：图1为汽车控制器输入电源防反接保护电路原理图。图2为汽车控制器输入电源防反接保护电路二极管图。图3为汽车控制器输入电源防反接保护电路三级管图。图4为汽车控制器输入电源防反接保护电路电阻图。具体实施方式下面结合附图和具体实施例对本技术作进一步说明，以使本领域的技术人员可以更好的理解本技术并能予以实施，但所举实施例不作为对本技术的限定。实施例1如图1所示，本实施例提供的汽车控制器输入电源防反接保护电路，其特征在于：包括MOS管控制电路、PMOS管Q1和电阻R1；所述MOS管控制电路的输入端与PMOS管的漏极连接；所述MOS管控制电路的输出端与PMOS管的源极连接；所述PMOS管的栅极通过电阻R1与大地连接；所述电阻R1的另一端接与PMOS管的漏极分别作为电源的正负极接线端。如图2所示，所述MOS管控制电路包括二极管D1，所述二极管的正极与PMOS管的漏极连接；所述二极管的负极与PMOS管的源极连接。如图3所示，所述MOS管控制电路包括三极管Q2；所述三极管Q2的集电极和基极之间设置有电阻R2；所述三极管Q2的集电极阻与PMOS管的漏极连接；所述三极管Q2的发射极与PMOS管的源极连接。如图4所示，所述MOS管控制电路包括为电阻，所述电阻两端与PMOS管的源极和漏极分别连接,为保证反接时的电流限制，电阻建议选择100K以上。实施例2如图2所示，本实施例提供的汽车控制器输入电源防反接保护电路，采用MOS管与二极管结合进行控制器输入电源的防反接保护电路，电路的具体工作过程如下所述：当12V铅酸电瓶正常连接时，二极管D1首先导通，使PMOSQ1的源极S电压达到12V-UD1，其中，UD1为二极管D1压降；PMOSQ1的栅极G通过电阻R1接地，此时栅极电压为0V，因此PMOSQ1的栅极和源极的压差UGS＝0V-(12V-UD1)，电压小于0V且压差超过PMOSQ1的导通电压，PMOSQ1导通，导通后PMOSQ1的阻抗很小，可达到毫欧级，故PMOSQ1的漏极D到源极S的压降很小，无法达到二极管D1的导通电压，二极管D1截止，控制器的所有工作电流流经PMOSQ1；同时因PMOSQ1导通阻抗很小，故在PMOSQ1上的发热功率P＝I2R很小，电路发热少。当12V铅酸电池反接时，即图中的正极和负极对调，此时PMOSQ1的栅极G为12V，源极为0V，PMOSQ1的栅极和源极压差为UGS＝12V-0V＝12V，电压大于0V，当PMOSQ1截止，同时二极管D1反向截止，整个电路为开路状态，对控制器起到反接保护作用。因正常工作时二极管D1只在上电初期起到开启PMOSQ1的作用，当PMOSQ1工作后二极管D1即处于截止状态，故二极管D1可选择小功率的二极管。而PMOSQ1小封装即可过安培级电流，故成本也较低。本电路通过二极管与MOS管组合进行防反接保护，降低防反接电路的导通压降，降低控制器最小工作电压限制，使控制器在更低电压下能够正常工作。减小控制器工作时防反接电路的发热量，降低热效应对控制器本身的影响，提升控制器可靠性及使用寿命。以上所述实施例仅是为充分说明本技术而所举的较佳的实施例，本技术的保护范围不限于此。本
的技术人员在本技术基础上所作的等同替代或变换，均在本技术的保护范围之内。本技术的保护范围以权利要求书为准。本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种汽车控制器输入电源防反接保护电路，其特征在于：包括MOS管控制电路、PMOS管Q1和电阻R1；/n所述MOS管控制电路的输入端与PMOS管的漏极连接；所述MOS管控制电路的输出端与PMOS管的源极连接；所述PMOS管的栅极通过电阻R1与大地连接；所述电阻R1的另一端接与PMOS管的漏极分别作为电源的正负极接线端。/n

【技术特征摘要】
1.一种汽车控制器输入电源防反接保护电路，其特征在于：包括MOS管控制电路、PMOS管Q1和电阻R1；
所述MOS管控制电路的输入端与PMOS管的漏极连接；所述MOS管控制电路的输出端与PMOS管的源极连接；所述PMOS管的栅极通过电阻R1与大地连接；所述电阻R1的另一端接与PMOS管的漏极分别作为电源的正负极接线端。


2.如权利要求1所述的保护电路，其特征在于：所述MOS管控制电路包括二极管D1，所述二极管的正极与P...

【专利技术属性】
技术研发人员：胡杰，任峰，
申请(专利权)人：深圳市艾易科技有限公司，
类型：新型
国别省市：广东;44