晶圆承载盘制造技术

本发明专利技术公开一种晶圆承载盘，包含沿高度方向依序排列的一第一阶层、一第二阶层及一第三阶层。其中，第二阶层的环侧缘外径大于第一阶层的环侧缘外径，并且第三阶层的环侧缘外径为第二阶层的环侧缘外径的100.5％至102.5％。所述第三阶层的顶面定义为晶圆承载盘的第一表面，并且第一阶层的底面定义为晶圆承载盘的一第二表面。所述第三阶层从第一表面凹设形成有彼此间隔设置的N个晶圆槽。据此，晶圆承载盘通过设有第三阶层，以在进行晶圆磊晶的过程中，能够提供较长的气流路径，进而有效地改善在气流停滞于晶圆的外围部位而形成较厚的磊晶厚度。

Wafer carrier

【技术实现步骤摘要】
晶圆承载盘
本专利技术涉及一种承载盘，尤其涉及一种在高度方向上呈三阶结构的晶圆承载盘。
技术介绍
现有的晶圆承载盘能用来承载多个晶圆，用以使上述多个晶圆可以在一制程设备中进行磊晶。其中，为提升上述制程设备的效果，现有晶圆承载盘大都在既定的面积上尽可能地容置最多的晶圆数量。然而，现有晶圆承载盘的双阶(或双层)结构容易使晶圆的外围部位所形成的磊晶厚度较厚，进而影响到晶圆的磊晶厚度均匀性。鉴于此，本专利技术人认为上述缺陷可改善，通过研究并配合科学原理的运用，提出一种设计合理且有效改善上述缺陷的本专利技术。
技术实现思路
本专利技术实施例在于提供一种晶圆承载盘，其能有效地改善现有晶圆承载盘所可能产生的缺陷。本专利技术实施例公开一种晶圆承载盘，包括：一第一阶层；一第二阶层，沿一高度方向形成于所述第一阶层的顶缘，并且所述第二阶层的一环侧缘的外径大于所述第一阶层的一环侧缘的外径；以及一第三阶层，沿所述高度方向形成于所述第二阶层的顶缘，并且所述第三阶层的一环侧缘的外径为所述第二阶层的所述环侧缘的外径的100.5％至102.5％；其中，所述第三阶层的顶面定义为所述晶圆承载盘的一第一表面，并且所述第一阶层的底面定义为所述晶圆承载盘的一第二表面；其中，所述第一表面呈圆形，并且所述第一表面界定出以其圆心为顶点且面积相等的N个扇形区域，并且N为大于1的正整数；其中，所述第三阶层从所述第一表面的N个所述扇形区域分别凹设形成有N个晶圆槽，并且N个所述晶圆槽相对于所述第一表面的圆心、以一预定角度而呈一旋转对称排列设置，并且所述预定角度为360/N度。优选地，所述第一阶层对应于所述高度方向的一高度介于9毫米至13毫米；所述第二阶层对应于所述高度方向的一高度介于4毫米至5.5毫米；所述第三阶层对应于所述高度方向的一高度介于2毫米至5毫米。优选地，当所述晶圆承载盘沿所述高度方向正投影至一平面时，所述第三阶层的所述环侧缘、所述第二阶层的所述环侧缘及所述第一阶层的所述环侧缘所形成的投影区域呈一同心圆分布。优选地，所述晶圆承载盘还包括有位于所述第二阶层外侧的一强化环体，并且所述强化环体一体连接于所述第二阶层的所述环侧缘及所述第三阶层的所述环侧缘，而所述强化环体的一边缘切齐于所述第三阶层的所述环侧缘。优选地，每个所述扇形区域包含有两个直线边与一圆弧边，而每个所述晶圆槽的内侧壁包含有一直线段与一圆弧段；在每个所述扇形区域及该扇形区域内的所述晶圆槽中，所述直线段大致平行于两个所述直线边中的一者，而所述圆弧段则是相切于两个所述直线边中的另一者。优选地，在每个所述扇形区域及该扇形区域内的所述晶圆槽中，所述圆弧段相切于所述圆弧边，并且所述圆弧段与所述第一表面的边缘相隔有一距离，而所述距离与所述第二阶层的所述环侧缘的外径呈反比。优选地，所述距离介于12毫米至15毫米。优选地，在所述第一表面的任两个相邻所述扇形区域中，一个所述扇形区域的至少一个所述直线边重叠于另一个所述扇形区域的至少一个所述直线边。优选地，N介于3至8。优选地，所述第三阶层对应于所述高度方向的一高度介于2毫米至5毫米；其中，在每个所述扇形区域及该扇形区域内的所述晶圆槽中，所述晶圆槽与所述第一表面的边缘相隔有一最小距离，所述最小距离介于12毫米至15毫米。综上所述，本专利技术实施例所公开的晶圆承载盘，其相当于在现有晶圆承载盘的双阶结构进一步延伸形成有第三阶层，以构成在高度方向呈现三阶结构。其中，所述晶圆承载盘通过设有第三阶层，以使其最大外径能够是现有晶圆承载盘最大外径(相当于第二阶层的环侧缘外径)的100.5％至102.5％，借以在使用所述晶圆承载盘进行晶圆磊晶的过程中，能够提供较长的气流路径，进而有效地改善在气流停滞于晶圆的外围部位而形成较厚的磊晶厚度。为能更进一步了解本专利技术的特征及
技术实现思路
，请参阅以下有关本专利技术的详细说明与附图，但是此等说明与附图仅用来说明本专利技术，而非对本专利技术的保护范围作任何的限制。附图说明图1为本专利技术实施例一的晶圆承载盘的示意图。图2为本专利技术实施例一的制程设备的示意图。图3为图1的晶圆承载盘于其第一表面定义有多个扇形区域的示意图。图4为图3的俯视示意图。图5为图3的局部放大示意图。图6为本专利技术晶实施例一的圆承载盘另一实施态样的示意图。图7为本专利技术晶实施例一的圆承载盘又一实施态样的示意图。图8为图4中的VⅢ部位的局部放大示意图。图9为本专利技术实施例一的磊晶实验结果示意图。图10为本专利技术实施例二的晶圆承载盘的立体示意图。图11为图10的侧视示意图。图12为本专利技术实施例三的晶圆承载盘的俯视示意图(一)。图13为本专利技术实施例三的晶圆承载盘的俯视示意图(二)。图14为本专利技术实施例四的晶圆承载盘的侧视示意图。具体实施方式请参阅图1至图14，其为本专利技术的实施例，需先说明的是，本实施例对应附图所提及的相关数量与外型，仅用来具体地说明本专利技术的实施方式，以便于了解本专利技术的内容，而非用来局限本专利技术的保护范围。[实施例一]请参阅图1至图9所示，其为本专利技术的实施例一。如图1所示，本实施例公开一种晶圆承载盘100，其较佳是能于一制程设备(如：化学气相沉积仪)中用来承载多个晶圆，以使所述多个晶圆能在上述制程设备中进行磊晶作业，但本专利技术不受限于此。换个角度来说，如图2所示，本实施例也公开一种制程设备1000(如：化学气相沉积仪)，包含有一设备本体200及位于所述设备本体200内的一晶圆承载盘100，并且所述晶圆承载盘100能以其中心(如：下述第一表面1的圆心C1)为一转动轴心而相对于所述设备本体200自转。如图3所示，所述晶圆承载盘100包含有一第一表面1、位于上述第一表面1相反侧的一第二表面2、及凹设于所述第一表面1的N个晶圆槽3。其中，所述第一表面1呈圆形，并且第一表面1界定出以其圆心C1为顶点且面积相等的N个扇形区域11，N为大于1的正整数。再者，所述N个晶圆槽3分别凹设于N个扇形区域11，也就是说，每个扇形区域11凹设有一个晶圆槽3。其中，所述晶圆承载盘100于本实施例中呈圆盘状构造，也就是说，上述晶圆承载盘100的第一表面1与第二表面2于本实施例中为相同的圆形，但本专利技术不受于此。举例来说，在本专利技术未绘示的其他实施例中，上述晶圆承载盘100的第二表面2也可以是非圆形。进一步地说，如图4和图5所示，上述每个扇形区域11包含有两个直线边111与一圆弧边112，并且所述两个直线边111的一端相交于第一表面1的圆心C1，每个扇形区域11的圆弧边112的半径较佳为上述任一个直线边111的长度L111，而每个扇形区域11的圆弧边112的圆心C112则坐落于第一表面1的圆心C1。再者，在所述第一表面1的任两个相邻扇形区域11中，一个扇形区域11的至少一个直线边111重叠于另一个扇形区域11的至少一个直线边111。在所述第一表面1的每个扇形区域11中，任一个直本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种晶圆承载盘，其特征在于，所述晶圆承载盘包括：/n一第一阶层；/n一第二阶层，沿一高度方向形成于所述第一阶层的顶缘，并且所述第二阶层的一环侧缘的外径大于所述第一阶层的一环侧缘的外径；以及/n一第三阶层，沿所述高度方向形成于所述第二阶层的顶缘，并且所述第三阶层的一环侧缘的外径为所述第二阶层的所述环侧缘的外径的100.5％至102.5％；/n其中，所述第三阶层的顶面定义为所述晶圆承载盘的一第一表面，并且所述第一阶层的底面定义为所述晶圆承载盘的一第二表面；所述第一表面呈圆形，并且所述第一表面界定出以其圆心为顶点且面积相等的N个扇形区域，并且N为大于1的正整数；/n其中，所述第三阶层从所述第一表面的N个所述扇形区域分别凹设形成有N个晶圆槽，并且N个所述晶圆槽相对于所述第一表面的圆心、以一预定角度而呈一旋转对称排列设置，并且所述预定角度为360/N度。/n

【技术特征摘要】
20181022 TW 1071372001.一种晶圆承载盘，其特征在于，所述晶圆承载盘包括：
一第一阶层；
一第二阶层，沿一高度方向形成于所述第一阶层的顶缘，并且所述第二阶层的一环侧缘的外径大于所述第一阶层的一环侧缘的外径；以及
一第三阶层，沿所述高度方向形成于所述第二阶层的顶缘，并且所述第三阶层的一环侧缘的外径为所述第二阶层的所述环侧缘的外径的100.5％至102.5％；
其中，所述第三阶层的顶面定义为所述晶圆承载盘的一第一表面，并且所述第一阶层的底面定义为所述晶圆承载盘的一第二表面；所述第一表面呈圆形，并且所述第一表面界定出以其圆心为顶点且面积相等的N个扇形区域，并且N为大于1的正整数；
其中，所述第三阶层从所述第一表面的N个所述扇形区域分别凹设形成有N个晶圆槽，并且N个所述晶圆槽相对于所述第一表面的圆心、以一预定角度而呈一旋转对称排列设置，并且所述预定角度为360/N度。


2.根据权利要求1所述的晶圆承载盘，其特征在于，所述第一阶层对应于所述高度方向的一高度介于9毫米至13毫米；所述第二阶层对应于所述高度方向的一高度介于4毫米至5.5毫米；所述第三阶层对应于所述高度方向的一高度介于2毫米至5毫米。


3.根据权利要求1所述的晶圆承载盘，其特征在于，当所述晶圆承载盘沿所述高度方向正投影至一平面时，所述第三阶层的所述环侧缘、所述第二阶层的所述环侧缘及所述第一阶层的所述环侧缘所形成的投影区域呈一同心圆分布。


4.根据权利要求1所述的晶圆承载盘，其...

【专利技术属性】
技术研发人员：谢伟杰，陈瑞斌，施英汝，
申请(专利权)人：环球晶圆股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾;71