显示面板及其制备方法技术

一种显示面板及其制备方法，其中显示面板包括依次设置的基板、第一电极、空穴注入层、空穴传输层、电子阻挡层、有机电致发光层、空穴阻挡层、电子传输层、电子注入层、以及第二电极，其中所述电子阻挡层对应所述有机电致发光层的绿色子像素区域采用p型绿光主体材料制备。借此，有效简化制程工艺，进而调节器件的载流子平衡，提高器件性能。

Display panel and its preparation

【技术实现步骤摘要】
显示面板及其制备方法
本专利技术涉及一种有机发光显示
，尤指一种显示面板及其制备方法。
技术介绍
现有的平板显示器件包括液晶显示器件(LCD)、等离子体显示面板(PlasmaDisplayPanel；PDP)、有机发光二极管(OLED)等，尤其是OLED显示器件，具有低功耗、高对比度、广视角、轻薄柔性等特点，现已成为下一代主流的显示技术。OLED显示器件是主动型发光器件，包括ITO阳极、空穴注入层(HIL)、空穴传输层(HTL)、电子阻挡层(EBL)、发光层(EML)、空穴阻挡层(HBL)、电子传输层(ETL)、电子注入层(EIL)、金属材料构成的阴极及园覆盖层(CPL)。发光层是OLED器件中最重要部分，包括主体材料和客体材料。OLED器件中分别从阴极中注入电子和从阳极中注入空穴，并在发光层中形成电子空穴对从而复合产生激基复合物(exciton)，称为激子。为了提高OLED器件的激子利用率，即提高主体材料向客体材料的能量转移几率。目前一种红光主体材料采用一定比例的n型主体材料(n-RH)和p型主体材料(p-RH)形成共混材料(premixedmaterial)，将此共混材料注入电子和空穴会产生激基复合物(exciplex)，以提高激子利用率，从而提高器件的效率和寿命。然而，这种红光共混主体材料在进行蒸镀时，n型主体材料和p型主体材料的比例会随着蒸镀时间的延长而发生变化，导致器件的效率和寿命变短。如图1所示，现有的红光发光器件中，电子阻挡层(EBL)的最高占据分子轨道(highestoccupiedmolecularorbit，HOMO)能级和p型主体材料(p-RH)的最高占据分子轨道(HOMO)能级匹配不良，形成对电子/空穴迁移的势垒(potentialenergybarrier)，并造成器件性能降低。再者，电子阻挡层和发光层需要分别在两个不同的腔体中并利用至少两张精细金属掩模板(FMM)进行蒸镀，因此增加了工艺上的制程及其成本。
技术实现思路
本专利技术的目的，在于提供一种显示面板及其制备方法，仅需要同一张精细金属掩模版并在同一蒸镀腔室中进行蒸镀，有效简化制程工艺，进而调节器件的载流子平衡，提高器件性能。为达到本专利技术前述目的，本专利技术提供一种显示面板，包括依次设置的基板、第一电极、空穴注入层、空穴传输层、电子阻挡层、有机电致发光层、空穴阻挡层、电子传输层、电子注入层、以及第二电极，其中所述电子阻挡层对应所述有机电致发光层的绿色子像素区域采用p型绿光主体材料制备。优选地，所述p型绿光主体材料为2-(二苯并呋喃-3)-4-(5-(二苯并呋喃-4)-[1,1'-联苯基]-3)-6-苯基-1,3,5-三嗪或是3-(3'-(4,6-二苯基-1,3,5-三嗪-2)-[1,1'-联苯基]-3)-9-苯基-9H-咔唑。优选地，所述空穴注入层的厚度为30-500埃米，所述空穴传输层的厚度为100-2000埃米，所述电子阻挡层的厚度为100-2000埃米，所述有机电致发光层的厚度为30-800埃米，所述空穴阻挡层的厚度为10-500埃米，所述电子传输层的厚度为50-800埃米，所述电子注入层的厚度为5-400埃米，所述第二电极的厚度为50-300埃米。优选地，所述空穴注入层的厚度为30-500埃米，所述空穴传输层的厚度为100-2000埃米，所述p型绿光主体材料层的厚度为100-2000埃米，所述发光层层的厚度为30-800埃米，所述空穴阻挡层的厚度为10-500埃米，所述电子传输层的厚度为50-800埃米，所述电子注入层的厚度为5-400埃米，所述阴极的厚度为50-300埃米，所述覆盖层的厚度为20-2000埃米。优选地，所述电子阻挡层还包括对应所述有机电致发光层的红色子像素区域的红色阻挡部，以及对应所述有机电致发光层的蓝色子像素区域的蓝色阻挡部，所述p型绿光主体材料设置于所述红色阻挡部和所述蓝色阻挡部之间。优选地，还包括依次设置在所述第二电极上的覆盖层、保护层及封装层，所述基板包括衬底和薄膜晶体管驱动层，所述第一电极设置在所述薄膜晶体管驱动层上。本专利技术还提供一种显示面板，包括依次设置的基板、第一电极、空穴注入层、空穴传输层、电子阻挡层、有机电致发光层、空穴阻挡层、电子传输层、电子注入层、以及第二电极，其中所述有机电致发光层包括间隔设置的红色子像素区域、绿色子像素区域和蓝色子像素区域，所述电子阻挡层对应所述绿色子像素区域采用p型绿光主体材料制备，对应所述红色子像素区域为红色阻挡部，对应所述蓝色子像素区域为蓝色阻挡部。优选地，所述p型绿光主体材料为2-(二苯并呋喃-3)-4-(5-(二苯并呋喃-4)-[1,1'-联苯基]-3)-6-苯基-1,3,5-三嗪或是3-(3'-(4,6-二苯基-1,3,5-三嗪-2)-[1,1'-联苯基]-3)-9-苯基-9H-咔唑，所述电子阻挡层的厚度为100-2000埃米，所述有机电致发光层的厚度为30-800埃米。再者，本专利技术又提供一种显示面板的制备方法，包括如下步骤:依次提供基板、第一电极、空穴注入层、空穴传输层、电子阻挡层、有机电致发光层、空穴阻挡层、电子传输层、电子注入层、以及第二电极；其中所述电子阻挡层对应所述有机电致发光层的绿色子像素区域采用p型绿光主体材料制备。优选地，当制备所述p型绿光主体材料于所述绿色子像素区域时，开启p型绿光主体材料蒸镀源的挡板，关闭红光掺杂材料蒸镀源和n型红光主体材料蒸镀源的挡板，使所述p型绿光主体材料沉积在所述空穴传输层上，当制备所述有机电致发光层时，同时开启所述p型绿光主体材料蒸镀源、所述红光掺杂材料蒸镀源和所述n型红光主体材料蒸镀源的挡板，混合所述p型绿光主体材料、所述红光掺杂材料和所述n型红光主体材料。优选地，所述p型绿光主体材料和所述n型红光主体材料的混合比例通过蒸镀镀率调节，所述红光掺杂材料的掺杂比例通过蒸镀镀率调节，所述p型绿光主体材料、所述红光掺杂材料和所述n型红光主体材料的蒸镀范围通过精细金属掩模版的角度限制板进行控制。本专利技术还具有以下功效，本专利技术采用p型绿光主体材料取代电子阻挡层对应有机电致发光层的绿色子像素区域的材料，在制程设备中不需要为了制备所述电子阻挡层而准备额外的蒸镀腔室和不同的精细金属掩模版，从而简化了制程工艺和制作成本。再者，本专利技术显示面板中的p型绿光主体材料(p-GH)和n型绿光主体材料(n-GH)的混合比例通过蒸镀设备的镀率进行有效控制，不会出现随着蒸镀时间增加而发生变化，从而增加了本器件的品质与可靠性。附图说明为了更清楚地说明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是专利技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。图1是现有显示面板的能阶状态示意图；图2是本专利技术显示面板的横截面示意图；图3是本专利技术显示面板的电子阻挡层和有机电致发光层的本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种显示面板，其特征在于，包括：依次设置的基板、第一电极、空穴注入层、空穴传输层、电子阻挡层、有机电致发光层、空穴阻挡层、电子传输层、电子注入层、以及第二电极，其中所述电子阻挡层对应所述有机电致发光层的绿色子像素区域采用p型绿光主体材料制备。/n

【技术特征摘要】
1.一种显示面板，其特征在于，包括：依次设置的基板、第一电极、空穴注入层、空穴传输层、电子阻挡层、有机电致发光层、空穴阻挡层、电子传输层、电子注入层、以及第二电极，其中所述电子阻挡层对应所述有机电致发光层的绿色子像素区域采用p型绿光主体材料制备。


2.如权利要求1所述显示面板，其特征在于，所述p型绿光主体材料为2-(二苯并呋喃-3)-4-(5-(二苯并呋喃-4)-[1,1'-联苯基]-3)-6-苯基-1,3,5-三嗪或是3-(3'-(4,6-二苯基-1,3,5-三嗪-2)-[1,1'-联苯基]-3)-9-苯基-9H-咔唑。


3.如权利要求1所述显示面板，其特征在于，所述空穴注入层的厚度为30-500埃米，所述空穴传输层的厚度为100-2000埃米，所述电子阻挡层的厚度为100-2000埃米，所述有机电致发光层的厚度为30-800埃米，所述空穴阻挡层的厚度为10-500埃米，所述电子传输层的厚度为50-800埃米，所述电子注入层的厚度为5-400埃米，所述第二电极的厚度为50-300埃米。


4.如权利要求1所述显示面板，其特征在于，所述电子阻挡层还包括对应所述有机电致发光层的红色子像素区域的红色阻挡部，以及对应所述有机电致发光层的蓝色子像素区域的蓝色阻挡部，所述p型绿光主体材料设置于所述红色阻挡部和所述蓝色阻挡部之间。


5.如权利要求1所述显示面板，其特征在于，还包括依次设置在所述第二电极上的覆盖层、保护层及封装层，所述基板包括衬底和薄膜晶体管驱动层，所述第一电极设置在所述薄膜晶体管驱动层上。


6.一种显示面板，其特征在于，包括：依次设置的基板、第一电极、空穴注入层、空穴传输层、电子阻挡层、有机电致发光层、空穴阻挡层、电子传输层、电子注入层、以及第二电极，其中所述有机电致发光层包括间隔设置的...

【专利技术属性】
技术研发人员：杨林，李们在，李先杰，罗佳佳，王煦，
申请(专利权)人：武汉华星光电半导体显示技术有限公司，
类型：发明
国别省市：湖北;42