一种基于倒置发光结构的透明有机近红外上转换器件制造技术

本实用新型专利技术公开了一种基于倒置发光结构的透明有机近红外上转换器件，一种基于倒置发光结构的透明有机近红外上转换器件，其特征在于采用倒置OLED有机功能层结构，具有如下结构：透明衬底/ITO阴极/有机近红外光敏层/倒置OLED有机功能层/ITO阳极，其中有机近红外光敏层是给体/受体有机平面异质结结构或给体:受体有机体异质结结构，倒置OLED采用“电子传输层/发光层/空穴传输层”结构。由于这种有机近红外上转换器件采用倒置有机发光二极管结构，底电极和顶电极均可以采用高功函数的透明导电氧化物ITO分别作为阴极和阳极，解决了传统有机近红外上转换器件顶电极透光性差的问题，使得全透明有机近红外上转换器件的制备成为可能。

A transparent organic near infrared up converter based on inverted light-emitting structure

【技术实现步骤摘要】
一种基于倒置发光结构的透明有机近红外上转换器件
本技术涉及光电子器件的制备领域，具体涉及一种基于倒置发光结构的透明有机近红外上转换器件。
技术介绍
近红外成像器件在夜视、安全、半导体晶片检查以及医学成像等方面具有广阔的应用前景。一种重要的近红外光成像的方法是利用近红外上转换器件将入射的近红外光转换为可见光，直接用肉眼或者相机来观测。有机近红外上转换器件具有制作工艺简单、制备成本低和天然无像素成像等优势。有机近红外上转换器件可以简单地通过将有机近红外光敏层与有机发光单元集成在一起，实现近红外光敏及可见发光的过程。有机近红外光敏功能层通常采用单层、平面异质结或者体异质结结构，而发光单元通常采用常规有机发光二极管(organiclight-emittingdiode,OLED)的有机功能层结构。在这种有机近红外上转换器件结构中，底电极通常采用透明的导电金属氧化物(铟锡氧化物，ITO)作为阳极，而顶电极通常采用低功函数的金属(例如铝，银或者镁银合金等)作为阴极，由于顶电极的透光性差，器件阳极一侧即用于近红外入射又用于可见光发射，对近红外探测应用造成不便因素。为了解决这一问题，研究者们采用超薄的镁银合金作为顶电极，制备出半透明的有机近红外上转换器件，但是由于顶电极较差的透光性，器件发出的可见光在透射出顶电极的过程中发生了较大衰减。全透明的上转换器件，器件一侧用于近红外光入射而另一侧用于可见光发射，将显著提升有机近红外上转换器件在近红外成像中的应用价值。
技术实现思路
本技术的目的在于设计一种透明的有机近红外上转换器件，为有机近红外上转换器件的无像素成像应用提供便利。本技术采用如下技术方案进行实施：一种基于倒置发光结构的透明有机近红外上转换器件，其特征在于采用倒置OLED有机功能层结构，具有如下结构：透明衬底/ITO阴极/有机近红外光敏层/倒置OLED有机功能层/ITO阳极，其中有机近红外光敏层是给体/受体有机平面异质结结构或给体:受体有机体异质结结构，倒置OLED采用“电子传输层/发光层/空穴传输层”结构。由于这种有机近红外上转换器件采用倒置有机发光二极管结构，底电极和顶电极均可以采用高功函数的ITO分别作为阴极和阳极，解决了传统上转换器件顶电极透光性差的问题，使得全透明有机近红外上转换器件的制备成为可能。附图说明图1是本技术基于有机平面异质结近红外光敏层的透明有机近红外上转换器件结构示意图。图2是本技术基于有机体异质结红外光敏层的透明有机近红外上转换器件结构示意图。图3是本技术一种基于倒置发光结构的透明有机近红外上转换器件的示意图。具体实施方式为了使本技术的目的及优点更加清楚明白，以下结合实施例对本技术进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅用以解释本专利技术，并不用于限定本技术权利要求保护的范围，实施例中所涉及的各种材料、试剂，均可通过商业途径购买得到。实施例1：对于有机平面异质结作为近红外光敏层，透明有机近红外上转换器件的结构示意图如图1所示，器件制备步骤如下：(1)采用曝光刻蚀方法将玻璃衬底上的ITO刻蚀成所需要的条形图案；(2)采用高真空热蒸发的方法在玻璃/ITO基底上依次沉积给体、受体有机半导体材料，得到有机平面异质结近红外光敏层；(3)同样采用高真空热蒸发的方法在上述(2)的有机平面异质结薄膜之上依次沉积电子传输层、发光层和空穴传输层，完成倒置有机发光单元的制备；(4)采用磁控溅射法在上述(3)的有机功能层之上沉积ITO导电薄膜，通过掩膜板控制ITO电极的形状。实施例2：对于有机体异质结作为近红外光敏层，透明有机近红外上转换器件的结构示意图如图2所示，器件制备步骤如下：(1)采用曝光刻蚀方法将玻璃衬底上的ITO刻蚀成所需要的条形图案；(2)采用高真空热蒸发的方法在玻璃/ITO基底上依次沉积给体、受体有机半导体材料混合的薄膜，可以采用给体、受体两种材料的同时蒸发沉积，或者采用两种材料的交替多周期蒸发沉积，得到有机体异质结近红外光敏层；(3)同样采用高真空热蒸发的方法在上述(2)的有机体异质结薄膜之上依次沉积电子传输层、发光层和空穴传输层，完成倒置有机发光单元的制备；(4)采用磁控溅射法在上述(3)的有机功能层之上沉积ITO导电薄膜，通过掩膜板控制ITO电极的形状。本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种基于倒置发光结构的透明有机近红外上转换器件，其特征在于采用倒置OLED有机功能层结构，具有如下结构：透明衬底/ITO阴极/有机近红外光敏层/倒置OLED有机功能层/ITO阳极，其中有机近红外光敏层是给体/受体有机平面异质结结构或给体:受体有机体异质结结构，倒置OLED采用“电子传输层/发光层/空穴传输层”结构。/n

【技术特征摘要】
1.一种基于倒置发光结构的透明有机近红外上转换器件，其特征在于采用倒置OLED有机功能层结构，具有如下结构：透明衬底/ITO阴极/有机近红外光敏层/倒置OLED...

【专利技术属性】
技术研发人员：周震康，陆培栋，吕文理，
申请(专利权)人：中国计量大学，
类型：新型
国别省市：浙江;33