一种扇出封装结构的制备方法和扇出封装结构技术

一种扇出封装结构的制备方法和扇出封装结构，其制备方法经步骤S1‑步骤S9，制备出一种扇出封装结构，该扇出封装结构包括：密封层、芯片、Ti层、导电层、凸球和保护层；导电层包括：第一导电层；芯片设置于密封层内，芯片设有凸点；凸点向上露出于密封层的上表面；密封层的上表面覆盖有保护层，保护层对应于凸点的位置设有通孔，Ti层分别位于各凸点的上表面，第一导电层设置于各Ti层的上表面；凸球安装于各导电层的上表面，Ti层和导电层均位于通孔内下方，凸球的头部外露于通孔。本设计能节约封装成本,制作更细的再布线层线路，提高了扇出封装的密度，增加I/O数量，高芯片性能，减小封装体积。

【技术实现步骤摘要】
一种扇出封装结构的制备方法和扇出封装结构
本专利技术涉及扇出封装结构
，尤其涉及一种扇出封装结构的制备方法和扇出封装结构。
技术介绍
随着电子产品小型化和集成化的潮流，微电子封装技术的高密度化已在新一代电子产品上逐渐成为主流。为了顺应新一代电子产品的发展，尤其是手机、笔记本等产品的发展，芯片将向密度更高、速度更快、尺寸更小、成本更低等方向发展。扇出型方片级封装技术的出现，作为扇出型晶圆级封装技术的升级技术，拥有更广阔的发展前景。面对多种多样的芯片和性能工艺要求，以及更高密度和更精细线路的封装需求，仍需要开发新型结构和封装工艺以适应各类需求，降低成本的同时，保障质量。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提出一种扇出封装结构的制备方法，其通过步骤S1-S9可制备出扇出封装结构。本专利技术还提出一种扇出封装结构，其通过上述的制备方法制备，其层与层之间的结构稳定，且电路更丰富，性能更高。为达此目的，本专利技术采用以下技术方案：一种扇出封装结构的制备方法，包括：以下步骤：S1、在基板上覆盖一层键合层，将芯片的底部通过键合层安装于基板，该芯片的凸点向上；S2、在芯片的表面利用密封层进行密封处理，使芯片密封于密封层内；S3、切割密封层，使凸点的上表面露出于密封层的表面；S4、脱离键合层，使密封层与基板分离；S5、在密封层露出有凸点的表面上利用物理气相沉积方法设置Ti层和/或TiN层，再设置第一导电层；该Ti层和/或TiN层接触于凸点；S6、在第一导电层的表面覆盖干膜层并进行曝光显影，使干膜层表面形成露出第一导电层的第一电镀路线位；S7、在干膜层的表面对应于第一电镀路线位进行图形电镀，在第一导电层表面形成第一再布线层；S8、脱去干膜层，并去除干膜层所覆盖的(Ti和/或TiN层)和第一导电层；S9、在密封层的上表面涂覆保护层，并将凸球与保护层表面的再布线层接触连接。更进一步说明，所述步骤S2具体为，通过注塑方法形成密封层，并将芯片密封。更进一步说明，所述步骤S3具体为，通过激光切割，将凸点上方的密封层切割，使凸点的上表面露出于密封层的表面。更进一步说明，所述步骤S9具体为：在密封层的上表面涂覆感光油墨，并进行曝光、显影和固化处理后形成保护层，并将凸球与第一再布线层接触连接。更进一步说明，所述步骤S9中，表面处理具体为有机保焊膜法、浸Ag法、浸Sn法和化学镀镍钯浸金法中的任意一种。更进一步说明，所述步骤S8和步骤S9之间还包括步骤S81；所述步骤S81包括以下步骤：S811、在密封层的上表面压合ABF介电层，并使第一再布线层压合于ABF介电层内；S812、在ABF介电层表面中，对需导通的位置进行打孔，形成介电孔；S813、在ABF介电层的上表面进行图形电镀处理，使ABF介电层的上表面再形成第二导电层，且第二导电层填充于介电孔内；S814、在第二导电层表面覆盖干膜层并进行曝光显影，使干膜层表面形成露出第二导电层的第二电镀路线位；S815、在干膜层表面进行图形电镀，形成第二再布线层，该第二再布线层沿第二电镀路线位分布设置；S816、脱去干膜层，去干膜层覆盖部分的第二导电层。更进一步说明，所述第一导电层、所述第二导电层、第一再布线层和第二再布线层的材质为铜、银、金、铁、钛或铝中的任意一种。一种扇出封装结构，包括：密封层、芯片、Ti层、导电层、凸球和保护层；所述导电层包括：第一导电层；所述芯片设置于所述密封层内，所述芯片设有凸点；所述凸点向上露出于所述密封层的上表面；所述密封层的上表面覆盖有所述保护层，所述保护层对应于所述凸点的位置设有通孔，所述Ti层分别位于各所述凸点的上表面，所述第一导电层设置于各所述Ti层的上表面；所述凸球安装于各所述导电层的上表面，所述Ti层和所述导电层均位于所述通孔内下方，所述凸球的头部外露于所述通孔。更进一步说明，还包括：ABF介电层；所述ABF介电层设置于所述保护层与所述密封层之间；所述导电层还包括：第二导电层；所述第一导电层位于所述ABF介电层内；所述ABF介电层于所述第一导电层的位置设有介电孔；所述第二导电层设置于所述ABF介电层的上表面，且通过对所述介电孔的填充，与所述第一导电层接触连接；所述ABF介电层的上表面涂覆有所述保护层；所述第二导电层安装有所述凸球。本专利技术的有益效果：本申请通过制作的更细的再布线层线路，提高了扇出封装的密度，增加I/O数量，提高芯片性能，减小封装体积，满足日益发展的高I/O数量、小体积、低成本的封装要求。附图说明图1是实施例1或实施例2中步骤S1-S4的扇出封装结构示意图；图2是实施例1或实施例2中步骤S5-S7的扇出封装结构示意图；图3是实施例1或实施例2中步骤S8的扇出封装结构示意图；图4是实施例1中步骤的S9扇出封装结构示意图；图5是实施例2中步骤的S811-S814的扇出封装结构示意图；图6是实施例2中步骤的S815-S9的扇出封装结构示意图；图7是实施例1中的扇出封装结构示意图；图8是实施例2中的扇出封装结构示意图；其中：基板11、键合层12、芯片13、凸点14、密封层15；Ti层2/TiN层2；第一导电层3；第一再布线层31；第二导电层8；第二再布线层81；干膜层4；第一电镀路线位41；第二电镀路线位42；保护层5、凸球6；ABF介电层7；介电孔71。具体实施方式下面结合附图通过具体实施方式来进一步说明本专利技术的技术方案。一种扇出封装结构的制备方法，包括：以下步骤：S1、在基板11上覆盖一层键合层12，将芯片13的底部通过键合层12安装于基板11，该芯片13的凸点14向上；其中，利用金属铜、玻璃或不锈钢载板作为基板11，基板11为芯片13的安装临时板；S2、在芯片13的表面利用密封层15进行密封处理，使芯片13密封于密封层15内；S3、切割密封层15，使凸点14的上表面露出于密封层15的表面；密封层15作为芯片13的基底，当芯片13的凸点14露出于密封层15后，可以由后续的导电层结构与芯片13连接；S4、脱离键合层12，使密封层15与基板11分离；当生成密封层15后，基板11与键合层12的作用就不大了，可以去除，以进一步地减少扇出封装结构的厚度，节省成本；S5、在密封层15露出有凸点14的表面上利用物理气相沉积方法设置Ti层2和/或TiN层2，再设置第一导电层3；该Ti层2和/或TiN层2接触于凸点14；借助于物理气相沉积沉积的Ti层2或者TiN层2，能够提高第一导电层3在密封层15上的结合力，从而提高封装的可靠性。S6、在第一导电层3的表面覆盖干膜层4并进行曝光显影，使干膜层4表面形成露出第本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种扇出封装结构的制备方法，其特征在于，包括：以下步骤：/nS1、在基板上覆盖一层键合层，将芯片的底部通过键合层安装于基板，该芯片的凸点向上；/nS2、在芯片的表面利用密封层进行密封处理，使芯片密封于密封层内；/nS3、切割密封层，使凸点的上表面露出于密封层的表面；/nS4、脱离键合层，使密封层与基板分离；/nS5、在密封层露出有凸点的表面上利用物理气相沉积方法设置Ti层和/或TiN层，再设置第一导电层；该Ti层和/或TiN层接触于凸点；/nS6、在第一导电层的表面覆盖干膜层并进行曝光显影，使干膜层表面形成露出第一导电层的第一电镀路线位；/nS7、在干膜层的表面对应于第一电镀路线位进行图形电镀，在第一导电层表面形成第一再布线层；/nS8、脱去干膜层，并去除干膜层所覆盖的(Ti和/或TiN层)和第一导电层；/nS9、在密封层的上表面涂覆保护层，并将凸球与保护层表面的再布线层接触连接。/n

【技术特征摘要】
1.一种扇出封装结构的制备方法，其特征在于，包括：以下步骤：
S1、在基板上覆盖一层键合层，将芯片的底部通过键合层安装于基板，该芯片的凸点向上；
S2、在芯片的表面利用密封层进行密封处理，使芯片密封于密封层内；
S3、切割密封层，使凸点的上表面露出于密封层的表面；
S4、脱离键合层，使密封层与基板分离；
S5、在密封层露出有凸点的表面上利用物理气相沉积方法设置Ti层和/或TiN层，再设置第一导电层；该Ti层和/或TiN层接触于凸点；
S6、在第一导电层的表面覆盖干膜层并进行曝光显影，使干膜层表面形成露出第一导电层的第一电镀路线位；
S7、在干膜层的表面对应于第一电镀路线位进行图形电镀，在第一导电层表面形成第一再布线层；
S8、脱去干膜层，并去除干膜层所覆盖的(Ti和/或TiN层)和第一导电层；
S9、在密封层的上表面涂覆保护层，并将凸球与保护层表面的再布线层接触连接。


2.根据权利要求1所述的一种扇出封装结构的制备方法，其特征在于，所述步骤S2具体为，通过注塑方法形成密封层，并将芯片密封。


3.根据权利要求1所述的一种扇出封装结构的制备方法，其特征在于，所述步骤S3具体为，通过激光切割，将凸点上方的密封层切割，使凸点的上表面露出于密封层的表面。


4.根据权利要求1所述的一种扇出封装结构的制备方法，其特征在于，所述步骤S9具体为：在密封层的上表面涂覆感光油墨，并进行曝光、显影和固化处理后形成保护层，并将凸球与第一再布线层接触连接。


5.根据权利要求4所述的一种扇出封装结构的制备方法，其特征在于，所述步骤S9中，表面处理具体为有机保焊膜法、浸Ag法、浸Sn法和化学镀镍钯浸金法中的任意一种。


6.根据权利要求1-5任意一项所述的一种扇出封装结构的制备方法，其特征在于，所述步骤S8和步骤S9之间还包括步骤S81；
所述步骤S8...

【专利技术属性】
技术研发人员：崔成强，杨冠南，徐广东，匡自亮，王鹏宇，陈新，
申请(专利权)人：广东工业大学，
类型：发明
国别省市：广东;44