【技术实现步骤摘要】
图谱关联系统光谱偏置外场的自适应校正方法及系统
本专利技术属于光谱学与遥感的交叉
,更具体地,涉及一种图谱关联系统光谱偏置外场的自适应校正方法及系统。
技术介绍
多光谱技术是根据被测对象的光谱响应与波长之间的关系来区分被测对象类型的方法。其中被测对象的辐射亮度(辐射强度)与波长之间的关系在被测对象的辐射特性研究中是最基本的描述,估计被测对象的辐射特性需要在实验室内通过黑体定标求得光谱传感器的系统辐射偏置与系统响应函数,并根据系统辐射偏置与系统响应函数将系统内部影响去除后可以得到被测对象的辐射特性。现有的系统辐射偏置与系统响应函数计算方法存在以下几个问题:(1)常用计算方法为两点校正法,但由于在室外条件下,观测设备中光谱传感器会受到环境温度影响,因而无法使用实验室内条件下测量计算得到的系统辐射偏置,也即是说,现有的校正方法缺乏适应环境温度变化的能力。(2)光谱探测型设备(图谱关联系统)的光谱传感器具有光谱响应的非均匀性,且其非均匀性在外场随环境温度非线性变化,其系统辐射偏置的非线性变化影响了探测设备的测谱准确度。总的来说,由于外场环境温度对光谱传感器的系统辐射偏置的不利影响,以及光谱传感器响应的非均匀性,直接将实验室内获得的系统辐射偏置校正的参数用于外场测量误差很大;在外场创造恒温条件进行测量,能够在一定程度上保证外场测量的准确度,但是,因为外场恒温条件成本高昂,且恒温装置体积庞大,适用性不高。因此必须专利技术在外场条件下的校正方法。
技术实现思路
针对现有技术的缺陷和改进需求 ...
【技术保护点】
1.一种图谱关联系统光谱偏置外场的自适应校正方法,其特征在于,包括:第一阶段和第二阶段;/n所述第一阶段包括:/n将整个测量谱段划分为若干谱段,获得各个谱段内所述图谱关联系统中光谱传感器的系统辐射偏置随温度变化的变化模型后,综合得到整个测量谱段内系统辐射偏置随温度变化的变化模型b(λ″);/n所述第二阶段包括:/n在任一测量时刻,获得外场条件下的实时温度t,代入所述变化模型b(λ″)后,得到所述光谱传感器实际的系统辐射偏置b
【技术特征摘要】
1.一种图谱关联系统光谱偏置外场的自适应校正方法,其特征在于,包括:第一阶段和第二阶段;
所述第一阶段包括:
将整个测量谱段划分为若干谱段,获得各个谱段内所述图谱关联系统中光谱传感器的系统辐射偏置随温度变化的变化模型后,综合得到整个测量谱段内系统辐射偏置随温度变化的变化模型b(λ″);
所述第二阶段包括:
在任一测量时刻,获得外场条件下的实时温度t,代入所述变化模型b(λ″)后,得到所述光谱传感器实际的系统辐射偏置bt(λ″),从而实现对所述光谱传感器的系统辐射偏置的自适应校正。
2.如权利要求1所述的图谱关联系统光谱偏置外场的自适应校正方法,其特征在于,在所述第一阶段中,对于划分得到的任意一个谱段[λm,λm+1],获得该谱段内所述系统辐射偏置随温度变化的变化模型,包括:
(S1)在室内光学定标环境下,利用所述光谱传感器在不同测量温度下,分别测量J个黑体的响应值;J个黑体的温度互不相同,J≥2;
(S2)对于每一个测量温度Tk,对不同黑体的响应值采用最小二乘法进行拟合,从而得到测量温度Tk下的系统辐射偏置和系统响应函数k(λ);k∈{1,2,…K},K为测量温度的总数;
(S3)在获得所有测量温度所对应的系统辐射偏置后,采用线性模型进行拟合,得到所述系统辐射偏置随温度变化的变化模型为:b(λ)=d-aT,若a<0,则设置a=0,否则,a保持不变,最终得到谱段[λm,λm+1]内系统辐射偏置随温度变化的变化模型b(λ′);d和a均为线性模型参数,λm和λm+1分别为谱段的波长下界和波长上界。
3.如权利要求2所述的图谱关联系统光谱偏置外场的自适应校正方法,其特征在于,所述步骤(S1)包括:
(S11)在室内光学定标环境下,对于任意一个黑体Blackj,在任意一个测量温度Tk下,利用所述光谱传感器测量测量测量黑体Blackj的n个响应值DN1(Tk,Blackj)(λ)~DNn(Tk,Blackj)(λ),并进行去噪处理,从而得到黑体Blackj在测量温度Tk下的响应值n为正整数;
(S12)在每一个测量温度下,分别执行步骤(S11),从而得到黑体Blackj在各个测量温度下的响应值
(S13)对于每一个黑体,分别执行步骤(S12),从而得到各个黑体在各个测量温度下的响应值。
4.如权利要求3所述的图谱关联系统光谱偏置外场的自适应校正方法,其特征在于,所述步骤(S11)中,通过均值滤波处理...
【专利技术属性】
技术研发人员:张天序,戴旺卓,吕思曼,陈全,董帅,郭诗嘉,郭婷,苏轩,
申请(专利权)人:华中科技大学,武汉工程大学,
类型:发明
国别省市:湖北;42
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