调适前馈参数的方法技术

本发明专利技术披露了一种用于校正在图案化衬底的过程中使用的一个或更多个前馈参数的值的方法，所述方法包括：获得形成图案后的衬底的被测量的重叠和/或对准误差数据；依赖于所述被测量的重叠和/或对准误差数据来计算用于所述一个或更多个前馈参数的一个或更多个校正值。

Methods of adjusting feedforward parameters

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】调适前馈参数的方法相关申请的交叉引用本申请要求于2017年8月14日提交的欧洲申请17186129.7的优先权，并且所述欧洲申请的全部内容通过引用并入本申请中。
本专利技术涉及使用光刻设备的器件制造，并且特别地涉及改进用于器件制造方法中的前馈参数的准确度。
技术介绍
光刻设备是将期望的图案施加至衬底上(通常施加至衬底的目标部分上)的机器。光刻设备可以用于例如集成电路(IC)的制造中。在那种情况下，图案形成装置(其替代地被称作掩模或掩模版)可以用以产生待形成在IC的单层上的电路图案。可以将这种图案转印至衬底(例如硅晶片)上的目标部分(例如包括管芯的部分、一个管芯或若干管芯)上。通常经由成像至设置在所述衬底上的辐射敏感材料(抗蚀剂)层上来进行所述图案的转印。通常，单个衬底将包含被连续地形成图案的相邻目标部分的网络。在光刻过程中，即使在对衬底进行曝光时光刻设备中的占主导地位的工况或条件的最小变化也可能对得到的器件图案有不良影响。已知的是，尽管光刻设备装置配备有被配置成试图保持所述工况或条件恒定的系统，但光刻设备中的一些工况或条件也可以随着时间推移而发生改变，不仅在单个衬底的曝光期间而且在从衬底到衬底(即在不同衬底之间)的曝光期间发生改变。因此，已知使用前馈控制系统和反馈控制系统两者来补偿光刻设备中的工况或条件的改变。然而，鉴于在半导体工业中持续期望减小可在器件中形成的特征的大小(即，使得可在器件中形成的特征收缩)，期望测量和补偿光刻设备中的时变条件方面的改进。
技术实现思路
根据本专利技术的第一方面，提供一种用于校正用于图案化衬底的过程中的一个或更多个前馈参数的值的方法，所述方法包括：获得形成图案后的衬底的所测量的重叠和/或对准误差数据；依赖于所述被测量的重叠和/或对准误差数据来计算对所述一个或更多个前馈参数的一个或更多个校正值。优选地，所述重叠和/或对准误差数据是通过混合取样方案来测量的。优选地，在衬底批次的处理期间调适所述一个或更多个前馈参数。优选地，所述前馈参数为用于泽尼克(Zernike)漂移的校准值。优选地，所述一个或更多个前馈参数是能够通过校准过程测量的校准参数。根据本专利技术的第二方面，提供一种器件制造方法，所述器件制造方法包括：使用光刻设备对一个或更多个衬底执行多次曝光；和根据所述第一方面的方法调适用以控制所述光刻设备的一个或更多个部件的所述前馈参数。根据本专利技术的第三方面，提供一种计算机程序，所述计算机程序在由计算系统执行时使所述计算系统执行所述第一方面的方法。根据本专利技术的第四方面，提供一种计算机可读介质，所述计算机可读介质携载有在由计算系统执行时使所述计算系统执行所述第一方面的方法的指令。根据本专利技术的第五方面，提供一种光刻设备，所述光刻设备被配置成实施所述第一方面的方法。附图说明现在将参考附图通过示例的方式描述本专利技术的实施例，在附图中：图1描绘光刻设备连同形成用于半导体器件的生产设施的其它设备；图2描绘时变过程参数及其测量；图3示出反馈用以调适前馈参数的实施例；图4示出不同的测量取样技术；并且图5为根据实施例的过程的流程图。具体实施方式在详细地描述本专利技术的实施例之前，呈现可以实施本专利技术的实施例的示例环境是有指导性意义的。图1图示出半导体生产设施的典型布局。光刻设备100将期望的图案施加至衬底上。光刻设备用于例如集成电路(IC)的制造中。在那种情况下，被替代地称作掩模或掩模版的图案形成装置MA包括待形成在IC的单层上的特征(常常被称作“产品特征”)的电路图案。通过将图案形成装置曝光104至设置在所述衬底上的辐射敏感材料(抗蚀剂)层上来将此图案转印至衬底“W”(例如，硅晶片)上的目标部分(例如包括管芯的一部分、一个管芯或若干管芯)上。通常，单个衬底将包含被连续地形成图案的相邻目标部分的网络。已知光刻设备通过在照射所述图案形成装置的同时将所述衬底的目标部分同步地定位在所述图案形成装置的图像位置处来照射每个目标部分。所述衬底的被照射的目标部分被称作“曝光场”或仅被称作“场”。所述衬底上的场的布局典型地是根据笛卡尔二维坐标系来对准(例如，沿彼此正交的X轴和Y轴这两条轴线来对准)的相邻矩形的网络。对所述光刻设备的要求是所期望的图案准确地再现于所述衬底上。所施加的产品特征的位置和尺寸需要在某些公差内。位置误差可由于重叠误差(常常被称作“重叠”)而出现。所述重叠是相对于第二层内的第二产品特征在第一层内放置第一产品特征的过程中的误差。所述光刻设备通过在形成图案之前将每个晶片与参照物准确地对准来最小化重叠误差。通过测量施加至所述衬底的对准标记的位置来进行这种操作。基于对准测量，在形成图案过程期间控制衬底位置以便防止重叠误差出现。在与所述曝光104相关联的施加剂量并不在规格内时可能出现所述产品特征的临界尺寸(CD)的误差。出于这种原因，所述光刻设备100必须能够准确地控制施加至所述衬底的辐射的剂量。在所述衬底并没有相对于与图案图像相关联的焦平面正确地定位时也可能出现CD误差。聚焦位置误差通常与衬底表面的非平面度相关联。所述光刻设备通过在形成图案之前使用水平传感器测量衬底表面形貌来最小化这些聚焦位置误差。在后续形成图案期间应用衬底高度校正以确保所述图案形成装置正确成像(聚焦)至所述衬底上。为了验证与光刻过程相关联的重叠和CD误差，通过量测设备140来检查形成图案后的衬底。量测设备的常见示例为散射仪。散射仪常规地测量专用量测目标的特性。这些量测目标表示所述产品特征，除了它们的尺寸典型地较大以便允许准确测量之外。所述散射仪通过检测与重叠量测目标相关联的衍射图案的不对称性来测量所述重叠。通过对与CD量测目标相关联的衍射图案进行分析来测量临界尺寸。量测工具的另一示例是基于电子束(e-beam)的检查工具，诸如扫描电子显微镜(SEM)。在半导体生产设施内，光刻设备100和量测设备140形成“光刻元”或“光刻簇”的一部分。光刻簇也包括用于将感光抗蚀剂涂布至衬底W的涂覆设备108、焙烤设备110、用于将经曝光图案显影成实体抗蚀剂图案的显影设备112、蚀刻站122、执行蚀刻后退火步骤的设备124、以及可能另外的处理设备126等。所述量测设备被配置成在显影(112)之后或在另外的处理(例如，蚀刻)之后检查衬底。所述光刻元内的各种设备受管理控制系统SCS控制，所述管理控制系统发出控制信号166(其由从图1中的SCS出来的箭头示出)以经由光刻设备控制单元LACU106来控制所述光刻设备从而执行选配方案R。所述SCS允许操作不同的设备，从而得到最大生产量和产品良率。重要的控制机制是所述量测设备140对各种设备(经由SCS)特别是对光刻设备100的反馈146。基于量测反馈的特性，确定了校正性动作以改进后续衬底的处理品质。通过诸如在例如US2012008127A1中所描述的先进过程控制(APC)之类的方法来常规地控制和校正光刻设备的执行。所述先进过程控本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种用于校正在图案化衬底的过程中使用的一个或更多个前馈参数的值的方法，所述方法包括：/n获得形成图案后的衬底的被测量的重叠和/或对准误差数据；/n依赖于所述被测量的重叠和/或对准误差数据来计算用于所述一个或更多个前馈参数的一个或更多个校正值。/n

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】20170814 EP 17186129.71.一种用于校正在图案化衬底的过程中使用的一个或更多个前馈参数的值的方法，所述方法包括：
获得形成图案后的衬底的被测量的重叠和/或对准误差数据；
依赖于所述被测量的重叠和/或对准误差数据来计算用于所述一个或更多个前馈参数的一个或更多个校正值。


2.根据权利要求1所述的方法，其中，所述前馈参数被配置成减小由掩模版加热、透镜加热以及衬底加热中的一个或更多个引起的失真效应。


3.根据权利要求2所述的方法，所述方法还包括依赖于所述一个或更多个校正值来调适所述前馈参数的步骤。


4.根据权利要求1所述的方法，其中，使用混合取样方案来测量所述重叠和/或对准误差数据。


5.根据权利要求3所述的方法，其中，在衬底批次的处理期间调适所述一个或更多个前馈参数。


6.根据权利要求2所述的方法，其中，所述前馈参数是被配置成限定泽尼克漂移模型的时间常数。


7.根据权利要求2所述的方法，其中，所述前馈参数是被配置成限定掩模版加热...

【专利技术属性】
技术研发人员：H·亚古比萨德，A·K·埃尔达玛，H·E·采克利，
申请(专利权)人：ASML荷兰有限公司，
类型：发明
国别省市：荷兰;NL