晶圆弯曲度调整装置制造方法及图纸

本实用新型专利技术实施例提供了一种晶圆弯曲度调整装置，包括：固定本体，设置在薄膜沉积设备上；利用所述薄膜沉积设备在所述晶圆背面沉积薄膜时，所述晶圆设置在所述固定本体上；加热部件，设置在所述固定本体上；在所述晶圆背面沉积薄膜时，通过加热所述加热部件调整沉积在所述晶圆背面上第一方向上的薄膜厚度，以调整所述晶圆在所述第一方向上的弯曲度。如此，能够实现晶圆在某个特定方向上的弯曲度的调整。

Wafer curvature adjustment device

【技术实现步骤摘要】
晶圆弯曲度调整装置
本技术涉及半导体
，尤其涉及一种晶圆弯曲度调整装置。
技术介绍
在半导体的制造过程中，晶圆的弯曲度(英文表达为bow)过大会导致在化学气相沉积工艺过程中，等离子体的容抗阻抗发生异常，从而产生电弧放电(英文表达为arcing)。电弧放电不仅影响了产品本身的良率，还存在损坏执行相关工艺机台硬件设施的风险。因此控制晶圆弯曲度在合理范围内具有巨大的经济效益和研究价值。通过在晶圆背面(行业中表达为：晶背)沉积不同应力特性的薄膜是一种有效改变晶圆弯曲度的方法。如图1a所示，在晶圆背面沉积高拉应力的氮化硅(SiN)薄膜可以降低晶圆正向的弯曲度；如图1b所示，在晶背沉积高压应力的氧化硅(SiO2)薄膜可以降低晶圆负向的弯曲度。然而，相关技术中，对晶圆弯曲度的调整仅能以晶圆表面所在平面为单位进行晶圆弯曲度的调整。并不能选择调整的方向，即对晶圆弯曲度的调整精确到晶圆表面所在平面上的某个特定方向上进行晶圆弯曲度的调整。
技术实现思路
为解决相关技术问题，本技术实施例提出一种晶圆弯曲度调整装置，能够实现晶圆在某个特定方向上的弯曲度的调整。本技术实施例提供了一种晶圆弯曲度调整装置，包括：固定本体，设置在薄膜沉积设备上；利用所述薄膜沉积设备在所述晶圆背面沉积薄膜时，所述晶圆设置在所述固定本体上；加热部件，设置在所述固定本体上；在所述晶圆背面沉积薄膜时，通过加热所述加热部件调整沉积在所述晶圆背面上第一方向上的薄膜厚度，以调整所述晶圆在所述第一方向上的弯曲度。上述方案中，所述加热部件至少包含两个加热子部件；所述至少两个加热子部件按预设规则设置在所述固定本体中的第一方向上。上述方案中，所述至少两个加热子部件对称地设置在第一方向上。上述方案中，所述固定本体具有中空结构；所述晶圆设置在所述固定本体的上表面上；所述晶圆的背面与所述固定本体的上表面接触。上述方案中，所述加热部件设置在所述中空结构中。上述方案中，所述中空结构的内壁上设置有容置空间，所述加热部件设置在所述容置空间中。上述方案中，所述加热部件设置在所述中空结构的上表面上。上述方案中，所述中空结构的上表面上具有槽结构；所述加热部件通过所述槽结构设置在所述中空结构的上表面上。上述方案中，所述加热部件设置在所述中空结构的下表面上。上述方案中，所述加热部件通过粘接的方式设置在所述固定本体上。本技术实施例提供了一种晶圆弯曲度调整装置，包括：固定本体，设置在薄膜沉积设备上；所述薄膜沉积设备在所述晶圆背面沉积薄膜时，所述晶圆设置在所述固定本体上；加热部件，设置在所述固定本体上；在所述晶圆背面沉积薄膜时，通过加热所述加热部件调整沉积在所述晶圆背面上第一方向上的薄膜厚度，以调整所述晶圆在所述第一方向上的弯曲度。本技术实施例在所述晶圆背面沉积薄膜时，通过加热所述加热部件，可以调整晶圆沿特定方向的温度分布，通过晶圆沿特定方向温度的不同使薄膜在晶圆沿特定方向上的沉积速率不同，从而使沉积在所述晶圆背面上特定方向上的薄膜厚度不同，如此，能够实现晶圆在特定方向上的弯曲度的调整。附图说明图1a为相关技术中利用SiN薄膜调整晶圆正向弯曲度的示意图；图1b为相关技术中利用SiO2薄膜调整晶圆负向弯曲度的示意图；图2为本技术实施例晶圆弯曲度调整装置的结构组成示意图；图3为本技术实施例晶圆弯曲度调整装置中固定部件设置在薄膜沉积设备上进行薄膜化学气相沉积的示意图；图4为本技术应用实施例晶圆的表面所在平面的X轴方向或Y轴方向示意图；图5a为本技术应用实施例晶圆弯曲度调整装置中加热部件的设置位置示意图；图5b为本技术应用实施例晶圆弯曲度调整装置中加热部件的设置位置对应的晶圆表面温度分布示意图；图6a为本技术实施例晶圆沿晶圆表面X轴方向上的温度分布曲线示意图；图6b为本技术实施例沉积在晶圆背面上晶圆表面X轴方向上的薄膜厚度分布曲线示意图。具体实施方式为使本技术实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本技术实施例中的附图，对技术的具体技术方案做进一步详细描述。以下实施例用于说明本技术，但不用来限制本技术的范围。本技术中提到的第一方向或者特定方向均可以是待进行弯曲度调整的晶圆的表面所在平面的X轴方向或Y轴方向。相关技术中，对晶圆弯曲度的调整仅能以晶圆表面所在平面为单位进行晶圆弯曲度的调整，并不能选择调整的方向，即对晶圆弯曲度的调整精确到晶圆表面所在平面上的某个特定方向上进行晶圆弯曲度的调整。然而，实际应用中，晶圆在X轴方向与Y轴方向的弯曲度经常存在不同，仅仅在晶背均匀地沉积薄膜只能各向同性地调节晶圆的弯曲值，不能单独调节晶圆在特定方向的弯曲度。而在晶背不同位置沉积不同厚度薄膜，可以实现对晶圆不同位置上弯曲度的调整。基于此，本技术的各实施例在利用薄膜沉积工艺调整晶圆的弯曲度的过程中，在放置晶圆的固定本体的特定位置上加入加热部件，通过加热部件的加热控制晶圆在特定方向上的温度分布，以有选择性的控制薄膜在特定方向上不同位置的沉积速率，从而使沉积在晶圆背面上特定方向上的薄膜厚度不同，最终实现对晶圆特定方向上不同弯曲度的调整。图2示出了本技术实施例晶圆弯曲度调整装置的结构组成图，本技术实施例的晶圆弯曲度调整装置200包括：固定本体201及加热部件202；其中，所述固定本体201，设置在薄膜沉积设备上；利用所述薄膜沉积设备在所述晶圆背面沉积薄膜时，所述晶圆设置在所述固定本体201上；所述加热部件202，设置在所述固定本体201上；在所述晶圆背面沉积薄膜时，通过加热所述加热部件202调整沉积在所述晶圆背面上第一方向上的薄膜厚度，以调整所述晶圆在所述第一方向上的弯曲度。晶圆设置在所述固定本体201上后，利用薄膜沉积设备对晶圆背面进行沉积薄膜时，利用设置在固定本体201上的加热部件202的加热改变晶圆沿第一方向的温度分布。所述固定本体201，为晶圆在利用薄膜沉积设备进行积薄膜时放置晶圆的部件。实际应用时，所述固定本体201材质为质地坚硬、不与进行沉积的气体发生反应，且耐高温的材质，如陶瓷。这里，所述晶圆设置在固定本体201上时，所述晶圆的背面为，正视晶圆时，处于所述晶圆底部的表面为背面。在一实施例中，所述固定本体201具有中空结构；所述晶圆设置在所述固定本体的上表面上；所述晶圆的背面与所述固定本体的上表面接触。这里，将所述固定本体201水平的设置在薄膜沉积设备上，所述固定本体201的上表面为正视所述固定本体201，处于固定本体顶部的表面。通过固定本体201中空结构的中空区域对晶圆背面进行薄膜化学气相沉积。所述固定本体201设置在薄膜沉积设备上进行薄膜化学气相沉积的示意图如图4所示。实际应用时，固定本体201的形状可以根据晶圆的形状进行调整，如当晶圆为圆形结构时，固定本体201可本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种晶圆弯曲度调整装置，其特征在于，所述装置包括：/n固定本体，设置在薄膜沉积设备上；利用所述薄膜沉积设备在所述晶圆背面沉积薄膜时，所述晶圆设置在所述固定本体上；/n加热部件，设置在所述固定本体上；在所述晶圆背面沉积薄膜时，通过加热所述加热部件调整沉积在所述晶圆背面上第一方向上的薄膜厚度，以调整所述晶圆在所述第一方向上的弯曲度。/n

【技术特征摘要】
1.一种晶圆弯曲度调整装置，其特征在于，所述装置包括：
固定本体，设置在薄膜沉积设备上；利用所述薄膜沉积设备在所述晶圆背面沉积薄膜时，所述晶圆设置在所述固定本体上；
加热部件，设置在所述固定本体上；在所述晶圆背面沉积薄膜时，通过加热所述加热部件调整沉积在所述晶圆背面上第一方向上的薄膜厚度，以调整所述晶圆在所述第一方向上的弯曲度。


2.根据权利要求1所述的装置，其特征在于，所述加热部件至少包含两个加热子部件；所述至少两个加热子部件按预设规则设置在所述固定本体中的第一方向上。


3.根据权利要求2所述的装置，其特征在于，所述至少两个加热子部件对称地设置在第一方向上。


4.根据权利要求1所述的装置，其特征在于，所述固定本体具有中空结构；所述晶圆设置在所述固定本体的上表面上；所述晶圆的...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈松超，徐文浩，宋月，张高升，
申请(专利权)人：长江存储科技有限责任公司，
类型：新型
国别省市：湖北;42