本申请涉及用于半导体制造和封装的方法以及在所述方法中使用的装置。所述方法可以包含在衬底的表面上形成一组壁，所述一组壁将所述衬底划分成多个区段，所述多个区段中的每一者具有至少一个相应的半导体装置。所述方法可以进一步包含将模塑料沉积到所述衬底上，所述模塑料至少部分地填充由所述多个区段中的每一者上方的所述一组壁限定的空间，并覆盖所述多个区段中的每一者的所述相应的半导体装置。
Methods for semiconductor manufacturing and packaging and devices used in the methods
【技术实现步骤摘要】
用于半导体制造和封装的方法以及在所述方法中使用的装置
本文描述的实施例涉及半导体制造和封装工艺中的晶片级包封，且具体地，涉及晶片级包封期间使用的牺牲隔离物。
技术介绍
在半导体制造和处理期间，可以在单个半导体晶片上形成多个单独的装置。这使得能够同时制造许多半导体装置，并且提高了每个制造的装置之间的均匀性。在形成之后，可以将晶片分离成单独的裸片。在某些情况下，单独的裸片可以与其它半导体装置封装在一起。在某些情况下，在分离之前，可以将模塑料沉积在单独的装置上方的晶片上用作保护层和/或缓冲层。随着模塑料固化，由于悬浮在模塑料中的颗粒的流动，它可能出现不均匀性。这些不均匀性可能导致单独的裸片或封装之间的差异。此外，在固化工艺之后，模塑料与半导体晶片之间的热膨胀系数(CTE)不匹配可能导致明显翘曲。当晶片翘曲时，在模塑料、半导体晶片和/或其它邻近的装置组件处可能发生开裂或其它结构不稳定性。此外，由于翘曲，随后的运输和/或附加的处理步骤可能变得复杂。
技术实现思路
本专利技术的一个方面涉及一种用于半导体制造和封装的方法，所述方法包括：在衬底的表面上形成一组壁，所述一组壁将所述衬底划分成多个区段，所述多个区段中的每一者具有至少一个相应的半导体装置；以及将模塑料沉积到所述衬底上，所述模塑料至少部分地填充由所述多个区段中的每一者上方的所述一组壁限定的空间，并覆盖所述多个区段中的每一者的所述相应的半导体装置。本专利技术的另一方面涉及一种在半导体制造和封装中使用的装置，所述装置包括：衬底；在所述衬底上形成的一组壁，所述一组壁将所述衬底划分成多个区段，所述多个区段中的每一者具有至少一个相应的半导体装置；以及模塑料，所述模塑料至少部分地填充由所述多个区段中的每一者上方的所述一组壁限定的空间，并覆盖所述多个区段中的每一者的所述相应的半导体装置。本专利技术的又一方面涉及一种用于半导体制造和封装的方法，所述方法包括：在半导体晶片的表面上形成一组壁，所述一组壁将所述半导体晶片划分成多个裸片区段；将模塑料沉积到所述半导体晶片上，所述模塑料至少部分地填充由所述多个裸片区段中的每一者上方的所述一组壁限定的空间；以及去除所述一组壁以限定对应于所述多个裸片区段中的每一者的所述模塑料的各部分之间的气隙。附图说明图1是描绘其上沉积有牺牲壁的衬底的实施例的顶视图。图2是描绘其上沉积有牺牲壁的衬底的实施例的横截面图。图3是描绘其上沉积有模塑料的衬底的实施例的横截面图。图4是描绘去除了一部分模塑料的衬底的实施例的横截面图。图5是描绘具有部分填充模塑料的衬底的实施例的横截面图。图6是描绘具有在模塑料内的悬浮液的衬底的实施例的放大横截面图。图7是描绘去除了牺牲壁的衬底的实施例的横截面图。图8是描绘已发生热膨胀之后衬底的实施例的放大横截面图。图9是描绘已发生热膨胀之后牺牲壁包含膨胀材料的衬底的实施例的放大横截面图。图10是描绘被分离成裸片的衬底的实施例的横截面图。图11是描绘形成具有牺牲壁的衬底的方法的实施例的流程图。虽然本公开易有各种修改和替代形式，但具体实施例已经在图中借助于实例展示且将在本文中详细描述。然而，应理解所公开的内容并不意图限于所公开的特定形式。实际上，意图是涵盖属于如由所附权利要求书界定的本公开的范围内的所有修改、等效物和替代物。具体实施方式在本公开中，论述了许多具体细节以提供对本公开的实施例的透彻且启发性描述。所属领域的普通技术人员将认识到，可以在并无具体细节中的一或多个的情况下实践本公开。通常与半导体装置相关联的众所周知的结构和/或操作可能不会展示和/或可能不会详细描述以免混淆本公开的其它方面。一般来说，应理解，除了本文中所公开的那些具体实施例之外的各种其它装置、系统和方法也可在本公开的范围内。术语“半导体装置组合件”可指一或多个半导体装置、半导体装置封装和/或衬底的组合件，所述衬底可以包含插入件、支撑件和/或其它合适的衬底。半导体装置组合件可制造为但不限于离散封装形式、条带或矩阵形式和/或晶片面板形式。术语“半导体装置”通常是指包含半导体材料的固态装置。半导体装置可以包含例如来自晶片或衬底的半导体衬底、晶片、面板或单个裸片。半导体装置可以进一步包含沉积在衬底上的一或多个装置层。半导体装置在本文中可指半导体裸片，但半导体装置不限于半导体裸片。术语“半导体装置封装”可指一或多个半导体装置并入到共同封装中的布置。半导体封装件可以包含部分地或完全地包封至少一个半导体装置的外壳或壳体。半导体封装件还可以包含承载一或多个半导体装置的衬底。衬底可以附接到外壳或壳体或以其它方式并入外壳或壳体内。如本文中所使用，术语“竖直”、“侧向”、“上部”和“下部”可指图式中所展示的特征在半导体装置和/或半导体装置组合件中的相对方向或位置。例如，“上部”或“最上部”可指比另一特征更接近页面顶部定位的特征。然而，这些术语应被广泛地解释为包含具有例如颠倒或倾斜定向等其它定向的半导体装置和/或半导体装置组合件，其中顶部/底部、上方/下方、高于/低于、向上/向下和左边/右边可取决于定向而互换。本公开的各种实施例涉及半导体装置、半导体装置组合件、半导体封装以及制造和/或操作半导体装置的方法。在本公开的一个实施例中，一种方法可以包含在衬底的表面上形成一组壁，所述一组壁将衬底划分成多个区段，所述多个区段中的每一者具有至少一个相应的半导体装置。所述方法可以进一步包含将模塑料沉积到衬底上，所述模塑料至少部分地填充由所述多个区段中的每一者上方的所述一组壁限定的空间，并覆盖所述多个区段中的每一者的相应的半导体装置。所述方法还可以包含在沉积模塑料之后从衬底的表面去除所述一组壁，其中去除所述一组壁会在模塑料的各部分之间形成气隙。替代地，所述一组壁包含某种材料，在所述材料和模塑料都固化之后所述材料比模塑料更具顺应性。气隙或顺应性材料可以减小在随后的处理期间在模塑料上的应力量。参考图1，描绘了包含衬底102的装置100的实施例。在一些实施例中，衬底102可以是半导体晶片(例如，硅晶片等)。在一些实施例中，衬底102可以是半导体封装衬底。衬底102可以包含多个半导体装置104。半导体装置104可以形成在衬底102上或者以其它方式附接到所述衬底。衬底102可以可分离为多个区段，由虚线106表示。在执行裸片分离之后，区段中的每一者可以对应于半导体裸片。替代地，区段中的每一者可以对应于未分离的半导体封装。多个区段中的每一者可以具有位于其上的半导体装置104中的至少一者。衬底102可以具有沉积在其上的一组牺牲壁108。所述一组壁108可以沿着将衬底102划分成多个区段的虚线106沉积。这样，壁108可以形成具有单元110的栅格。单元110中的每一者可以对应于半导体装置104中的一者，所述半导体装置可以是半导体裸片。如本文所描述，壁108可以在半导体装置104上方形成模具期间使用。在实施例中，可以使用3维印刷工艺形成所述一组壁108。本文档来自技高网...
【技术保护点】
1.一种用于半导体制造和封装的方法，所述方法包括：/n在衬底的表面上形成一组壁，所述一组壁将所述衬底划分成多个区段，所述多个区段中的每一者具有至少一个相应的半导体装置；以及/n将模塑料沉积到所述衬底上，所述模塑料至少部分地填充由所述多个区段中的每一者上方的所述一组壁限定的空间，并覆盖所述多个区段中的每一者的所述相应的半导体装置。/n
【技术特征摘要】
20181009 US 16/155,6071.一种用于半导体制造和封装的方法，所述方法包括：
在衬底的表面上形成一组壁，所述一组壁将所述衬底划分成多个区段，所述多个区段中的每一者具有至少一个相应的半导体装置；以及
将模塑料沉积到所述衬底上，所述模塑料至少部分地填充由所述多个区段中的每一者上方的所述一组壁限定的空间，并覆盖所述多个区段中的每一者的所述相应的半导体装置。
2.根据权利要求1所述的方法，其中所述衬底是硅晶片，并且其中所述多个区段对应于未分离的裸片。
3.根据权利要求1所述的方法，其中所述衬底是半导体封装衬底，并且其中所述多个区段对应于未分离的半导体封装。
4.根据权利要求1所述的方法，其进一步包括：
在沉积所述模塑料之后从所述衬底的所述表面去除所述一组壁，其中去除所述一组壁会在所述模塑料的各部分之间形成气隙。
5.根据权利要求4所述的方法，其中去除所述一组壁包括：
用工具加工所述一组壁；
触发所述一组壁的自解聚材料解聚；
将所述一组壁溶解在溶剂中；
向所述一组壁施加腐蚀剂；
干蚀刻所述一组壁；
向所述一组壁施加热量；或
其组合。
6.根据权利要求1所述的方法，其中所述一组壁包含某种材料，在所述材料和所述模塑料都固化之后所述材料比所述模塑料更具顺应性。
7.根据权利要求1所述的方法，其中所述一组壁包含膨胀材料。
8.根据权利要求1所述的方法，其中沉积所述模塑料包括用所述模塑料覆盖所述一组壁，并且其中所述方法进一步包括对所述模塑料进行背面研磨以暴露所述一组壁的顶表面。
9.根据权利要求1所述的方法，其中所述一组壁中的每一壁的宽度在1微米与1毫米之间。
10.根据权利要求1所述的方法，其进一步包括，其中所述壁防止在所述模塑料固化之前在所述模塑料内形成不均匀性。
11.一种在半导体制造和封装中使用的装置，所述装置包括：
衬底；...
【专利技术属性】
技术研发人员：J·F·克丁，
申请(专利权)人：美光科技公司，
类型：发明
国别省市：美国;US
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