一种叠层片式高频元件的内电极引出结构及其制作方法技术

本发明专利技术公开叠层片式高频元件的内电极引出结构及其制作方法，该结构包括主体为铁氧体基片的通孔层和引出层，通孔层位于内电极层与引出层之间，引出层位于通孔层与端电极之间；通孔层上开设有第一通孔，且与内电极层接触的一面上印刷有第一导电结构，第一导电结构填充第一通孔且与内电极线圈端部连接；引出层上开设多个第二通孔，且其中一面按预定图案印刷有第二导电结构，第二导电结构填充并连接所有第二通孔，以使第二导电结构在引出层的所述其中一面呈所述预定图案，在引出层的另一面呈与多个第二通孔一致的图案；第二导电结构一面与第一导电结构接触、另一面与端电极接触，以使内电极线圈端部依次通过第一导电结构、第二导电结构引出至端电极。

An inner electrode extraction structure and its fabrication method of laminated chip high frequency components

【技术实现步骤摘要】
一种叠层片式高频元件的内电极引出结构及其制作方法
本专利技术涉及叠层片式元件，具体涉及一种叠层片式高频元件的内电极引出结构及其制作方法。
技术介绍
近十年来，信息、通信等行业发展迅速，实现了由3G通信到4G通信的普及应用。现在随着国内通信行业的崛起，国内5G通信的研发及推广已进入“白热化”竞争环境。作为电子产品基础的片式电子元件，业内需求的发展对其提出更高的要求，叠层片式元件趋于小型化、高频化及高可靠性化等方向。叠层片式元件根据性能可分为电感器、磁珠、滤波器、电阻器、电容器等，大部分叠层片式元件的结构包括内电极线圈、端电极、层间介质层以及导通内电极线圈与端电极的引出层。磁珠作为叠层片式元件重要组成部分，可通过阻抗吸收并发热的形式将不需要频段的能量耗散。常规铁氧体磁珠存在尺寸大(最小尺寸1005)、参数一致性差、可靠性低等问题，无法满足通信发展对高频磁珠小型化、高可靠性要求。按照内电极叠层结构，铁氧体磁珠可分为两种内电结构，卧式结构(如图1)及立式结构(如图2)。对于单层介质层面积利用率，立式结构明显高于卧式结构，其可实现更高的内电极线圈有效面积，更适用于高频段滤波(GHz段)的叠层片式元件；同时其与电流相同方向的绕向线圈使立式磁珠有更优的EMI效果。常规磁珠引出结构主要由侧面引出，即连接层通过平面结构从介质层露出的边缘连接端电极，结构如图3所示。其优点在于引出点多，可避免引出单一导线与连接不良而导致产品失效，但存在显露总面积较少，无法保证与端电极引出连接充分，容易出现虚弱连接。当片式元件面对应用大电流时，此引出结构，有限的引出接触面积限制产品耐电流性能，严重时可导致可靠性下降、产品失效。同时常规立式结构引出结构为保证多点连接，平面结构存在多边交叉，约占介质层50％面积，在制备过程中很容易出现分层、开裂等工艺问题。因此应对叠层片式高频元件小型化需求，其传统的引出方式需改良，以满足叠层元件小型化趋势下发展高可靠性的趋势要求。
技术实现思路
本专利技术的主要目的在于克服上述现有技术的不足，提出一种叠层片式高频元件的内电极引出结构及其制作方法，其引出内电极的引出层与端电极接触面积更大，可实现高可靠性、低成本的叠层片式元件引出结构。为达上述目的，本专利技术提出以下技术方案：一种叠层片式高频元件的内电极引出结构，包括主体为铁氧体基片的通孔层和引出层，所述通孔层位于内电极层与所述引出层之间，所述引出层位于所述通孔层与端电极之间；所述通孔层上开设有第一通孔，且与内电极层接触的一面上印刷有第一导电结构，所述第一导电结构填充第一通孔且与内电极线圈端部连接；所述引出层上开设多个第二通孔，且其中一面按预定图案印刷有第二导电结构，所述第二导电结构填充并连接所有第二通孔，以使所述第二导电结构在所述引出层的所述其中一面呈所述预定图案，在所述引出层的另一面呈与多个第二通孔相一致的图案；所述第二导电结构一面与所述第一导电结构接触、另一面与端电极接触，以使内电极线圈端部依次通过所述第一导电结构、所述第二导电结构引出至端电极。与现有的内电极引出方式相比，本专利技术的上述技术方案具有以下有益效果：内电极线圈两端引出的连接点(第一导电结构)与端电极之间的连接采用第二导电结构，实现与端电极的多点且大面积连接，使得迭层片式高频元件的可靠性得以大大提升。同时，引出层的连接点位置、数量以及连接面积可根据需要进行确定，设计更灵活。本专利技术另还提出了前述叠层片式高频元件的内电极引出结构的制作方法，包括如下步骤：S1、采用流延工艺制作若干所述铁氧体基片，备用；S2、取备好的铁氧体基片在其上开设所述第一通孔，并采用导电浆料在其中一面印刷所述第一导电结构，形成所述通孔层，备以叠层；S3、另取备好的铁氧体基片在其上开设所述第二通孔，并采用导电浆料在其中一面按照预定图案印刷所述第二导电结构，形成所述引出层，备以叠层；S4、依次叠下引出层、下通孔层、内电极层、上通孔层、上引出层并静水压，实现高压叠层，形成bar块而后切割为单体再进行烧结最后制作端电极即可。附图说明图1是现有的卧式磁珠内电极及引出结构的内部示意图；图2是现有的立式磁珠内电极及引出结构的内部示意图；图3是现有的磁珠内电极引出效果示意图；图4和图5是本专利技术实施例1的两种不同形式的内电极引出结构示意图；图6和图7分别展示实施例1中引出层的两个面示意图；图8和图9分别展示实施例1中元件两端的内电极引出效果(端电极透视)；图10和图11分别展示实施例2中引出层的两个面示意图；图12和图13分别展示实施例3中引出层的两个面示意图。具体实施方式下面对照附图并结合优选的实施方式对本专利技术作进一步说明。现有的磁珠的内电极引出方式参考图1至图3，如图1展示了卧式结构内电极引出结构，包括磁体①、内电极线圈②、引出层③、端电极⑤；如图2展示了立式结构内电极引出结构，包括磁体①、内电极线圈②、通孔层③、引出层④、端电极⑤，两种结构的引出效果如图3所示，最终通过介质层露出的边缘100连接端电极，实现内电极引出。可以看出，虽然引出点多，但与端电极接触的总面积较少，无法保证与端电极引出连接充分，容易出现虚弱连接。因此有必要进行改进以提高电性可靠性。为此，本专利技术的具体实施方式提供一种叠层片式高频元件的内电极引出结构，通过引出层上设计大面积导电连接结构的方式，使内电极引出与端电极接触面积更大，引出连接更可靠。本专利技术提出的叠层片式高频元件的内电极引出结构，包括主体为铁氧体基片的通孔层和引出层，所述通孔层位于内电极层与所述引出层之间，所述引出层位于所述通孔层与端电极之间；所述通孔层上开设有第一通孔，且与内电极层接触的一面上印刷有第一导电结构，所述第一导电结构填充第一通孔且与内电极线圈端部连接；所述引出层上开设多个第二通孔，且其中一面按预定图案印刷有第二导电结构，所述第二导电结构填充并连接所有第二通孔，这样一来，所述第二导电结构在引出层的所述其中一面所呈现的图案就是所述预定图案，而在引出层的另一面呈现的是与多个第二通孔相一致的图案；所述第二导电结构一面与所述第一导电结构接触、另一面与端电极接触，以使内电极线圈端部依次通过所述第一导电结构、所述第二导电结构引出至端电极。应当理解的是，片式元件有两个端电极，因此在两端均存在所述内电极引出结构。将元件的两个端电极分别记为端电极A、端电极B，对应地，将内电极一端引出至端电极A的引出结构记为内电极引出结构A，相应的通孔层和引出层分别记为通孔层A、引出层A；将内电极另一端引出至端电极B的引出结构记为内电极引出结构B，相应的通孔层和引出层分别记为通孔层B、引出层B。通孔层A和B具有相同的结构，引出层A和B具有相同的结构，只是因为叠层工序的叠层特殊性，在元件的两端，端电极内侧呈现不同的引出效果(通过后述具体实施例可详细解释)。在形成引出层的铁氧体基片上所开设的第二通孔，数量为多个，比如2个、3个、4个或者5个等等。而这些个第二通孔的排列形状可以为一字型本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种叠层片式高频元件的内电极引出结构，其特征在于：包括主体为铁氧体基片的通孔层和引出层，所述通孔层位于内电极层与所述引出层之间，所述引出层位于所述通孔层与端电极之间；/n所述通孔层上开设有第一通孔，且与内电极层接触的一面上印刷有第一导电结构，所述第一导电结构填充第一通孔且与内电极线圈端部连接；/n所述引出层上开设多个第二通孔，且其中一面按预定图案印刷有第二导电结构，所述第二导电结构填充并连接所有第二通孔，以使所述第二导电结构在所述引出层的所述其中一面呈所述预定图案，在所述引出层的另一面呈与多个第二通孔相一致的图案；/n所述第二导电结构一面与所述第一导电结构接触、另一面与端电极接触，以使内电极线圈端部依次通过所述第一导电结构、所述第二导电结构引出至端电极。/n

【技术特征摘要】
1.一种叠层片式高频元件的内电极引出结构，其特征在于：包括主体为铁氧体基片的通孔层和引出层，所述通孔层位于内电极层与所述引出层之间，所述引出层位于所述通孔层与端电极之间；
所述通孔层上开设有第一通孔，且与内电极层接触的一面上印刷有第一导电结构，所述第一导电结构填充第一通孔且与内电极线圈端部连接；
所述引出层上开设多个第二通孔，且其中一面按预定图案印刷有第二导电结构，所述第二导电结构填充并连接所有第二通孔，以使所述第二导电结构在所述引出层的所述其中一面呈所述预定图案，在所述引出层的另一面呈与多个第二通孔相一致的图案；
所述第二导电结构一面与所述第一导电结构接触、另一面与端电极接触，以使内电极线圈端部依次通过所述第一导电结构、所述第二导电结构引出至端电极。


2.如权利要求1所述的叠层片式高频元件的内电极引出结构，其特征在于：所述预定图案的形状与多个第二通孔的排列形状相一致。


3.如权利要求2所述的叠层片式高频元件的内电极引出结构，其特征在于：所述多个第二通孔的排列形状包括一字型、十字交叉型、T字型或L型；其中，一字型排列包括平行于元件的棱的平行排列方式，或者与元件的棱形成角度的倾斜排列方...

【专利技术属性】
技术研发人员：毛耀文，陆达富，王文杰，聂真真，
申请(专利权)人：深圳顺络电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：广东;44