有机发光二极管显示器制造技术

本公开涉及有机发光二极管显示器，根据示例性实施例的有机发光二极管显示器包括：基底；第一缓冲层，所述第一缓冲层在所述基底上；第一半导体层，所述第一半导体层在所述第一缓冲层上；第一栅极绝缘层，所述第一栅极绝缘层在所述第一半导体层上；第一栅电极和阻挡层，所述第一栅电极和所述阻挡层在所述第一栅极绝缘层上；第二缓冲层，所述第二缓冲层在所述第一栅电极上；第二半导体层，所述第二半导体层在所述第二缓冲层上；第二栅极绝缘层，所述第二栅极绝缘层在所述第二半导体层上；以及第二栅电极，所述第二栅电极在所述第二栅极绝缘层上。

OLED display

【技术实现步骤摘要】
有机发光二极管显示器相关申请的交叉引用于2018年10月5日在韩国知识产权局提交的且名称为：“有机发光二极管显示器”的第10-2018-0118769号韩国专利申请的全部内容通过引用包含于此。
本公开涉及有机发光二极管显示器。
技术介绍
有机发光二极管显示器的有机发光元件包括两个电极和定位在所述两个电极之间的有机发光层。从作为电极的阴极注入的电子和从作为另一电极的阳极注入的空穴在有机发光层中彼此结合以形成激子。当激子释放能量时发光。随着有机发光二极管(OLED)显示器技术的发展，有机发光二极管(OLED)显示器正在变得高分辨率。因此，对高度集成的有机发光二极管显示器的需求不断增长。
技术实现思路
本公开提供一种具有提高的设计自由度、高分辨率和改善的显示质量的有机发光二极管显示器。根据示例性实施例的有机发光二极管显示器包括：基底；第一缓冲层，所述第一缓冲层在所述基底上；第一半导体层，所述第一半导体层在所述第一缓冲层上；第一栅极绝缘层，所述第一栅极绝缘层在所述第一半导体层上；第一栅电极和阻挡层，所述第一栅电极和所述阻挡层在所述第一栅极绝缘层上；第二缓冲层，所述第二缓冲层在所述第一栅电极上；第二半导体层，所述第二半导体层在所述第二缓冲层上；第二栅极绝缘层，所述第二栅极绝缘层在所述第二半导体层上；以及第二栅电极，所述第二栅电极在所述第二栅极绝缘层上。所述阻挡层可以与所述第二半导体层重叠。所述阻挡层可以与第一栅电极在同一层处。根据本示例性实施例的有机发光二极管显示器还可以包括传输驱动电压的驱动电压线，并且所述阻挡层可以连接到所述驱动电压线以接收所述驱动电压。所述第一半导体层可以包括：第一沟道区，所述第一沟道区与所述第一栅电极重叠；以及第一源区和第一漏区，所述第一源区和所述第一漏区在所述第一沟道区的各自侧处，并且所述第二半导体层可以包括：第二沟道区，所述第二沟道区与所述第二栅电极重叠；以及第二源区和第二漏区，所述第二源区和所述第二漏区在所述第二沟道区的各自侧处。所述阻挡层可以与所述第二沟道区重叠。所述有机发光二极管显示器还可以包括：第三栅极绝缘层，所述第三栅极绝缘层在所述第二栅电极上；和第二存储电极，所述第二存储电极在所述第三栅极绝缘层上并且与所述第二栅电极的第一存储电极重叠。所述有机发光二极管显示器还可以包括：第一源电极和第一漏电极，所述第一源电极和所述第一漏电极分别连接到所述第一源区和所述第一漏区；以及第二源电极和第二漏电极，所述第二源电极和所述第二漏电极分别连接到所述第二源区和所述第二漏区，并且所述第二存储电极可以连接到所述第二漏电极。所述有机发光二极管显示器还可以包括：像素电极，所述像素电极在所述第二存储电极上；有机发射层，所述有机发射层在所述像素电极上；以及公共电极，所述公共电极在所述有机发射层上，并且所述第二漏电极可以连接到所述像素电极。所述有机发光二极管显示器还可以包括在所述公共电极上的封装层。所述有机发光二极管显示器还可以包括：第一源电极和第一漏电极，所述第一源电极和所述第一漏电极分别连接到所述第一源区和所述第一漏区；以及第二源电极和第二漏电极，所述第二源电极和所述第二漏电极分别连接到所述第二源区和所述第二漏区，并且所述第二存储电极可以连接到所述驱动电压线。所述第一半导体层和所述第二半导体层中的一个可以是氧化物半导体并且另一个可以包括多晶硅。根据示例性实施例的有机发光二极管显示器包括：基底；第一晶体管，所述第一晶体管在所述基底上；第二晶体管，所述第二晶体管在所述第一晶体管上；以及阻挡层，所述阻挡层在所述第二晶体管下面，其中，所述第一晶体管包括：第一半导体层，所述第一半导体层在所述基底上；以及第一栅电极，所述第一栅电极在所述第一半导体层上，其中，所述阻挡层在覆盖所述第一半导体层的层上。所述有机发光二极管显示器还可以包括在所述第一晶体管和所述第二晶体管之间的缓冲层，并且所述第二晶体管可以包括：第二半导体层，所述第二半导体层在所述缓冲层上；和第二栅电极，所述第二栅电极在所述第二半导体层上。所述第二半导体层可以包括：沟道区，所述沟道区与所述第二栅电极重叠；以及源区和漏区，所述源区和所述漏区在所述沟道区的各自侧处，并且所述阻挡层可以与所述沟道区重叠。根据本示例性实施例的有机发光二极管显示器还可以包括传输驱动电压的驱动电压线，并且所述阻挡层连接到所述驱动电压线以接收所述驱动电压。所述阻挡层可以与所述第一栅电极在同一层中。所述第一晶体管可以包括在所述第一栅电极上并与所述第一栅电极重叠的第三栅电极，并且所述阻挡层可以与所述第三栅电极在同一层上。所述阻挡层还可以与所述第二半导体层的所述源区和所述漏区重叠。所述第一半导体层和所述第二半导体层中的一个可以是氧化物半导体并且另一个可以包括多晶硅。附图说明通过参照附图详细描述示例性实施例，特征对于本领域技术人员而言将变得明显，在附图中：图1示出根据示例性实施例的有机发光二极管显示器；图2示出根据示例性实施例的有机发光二极管显示器的一个像素的等效电路图；图3示出根据示例性实施例的有机发光二极管显示器的剖视图；图4示出根据对比示例和示例性实施例的有机发光二极管显示器的瞬时余像持续时间的图；图5示出根据另一示例性实施例的有机发光二极管显示器的一个像素的等效电路图；图6示出根据另一示例性实施例的有机发光二极管显示器的剖视图；并且图7示出根据另一示例性实施例的有机发光二极管显示器的剖视图。具体实施方式现在将在下文中参照附图更充分地描述示例实施例；然而，所述示例实施例可以以不同的形式实现，并且不应当被解释为限于这里阐述的实施例。而是，提供这些实施例使得本公开将是彻底和完整的，并且将向本领域技术人员充分传达示例性实施方式。为了清楚地解释实施例，省略了与实施例不直接相关的元件，并且在整个说明书中，相同的附图标记附于相同或相似的组成元件。另外，为了更好地理解和易于描述，任意地示出了附图中所示的每个构造的尺寸和厚度。在附图中，为了清楚起见，夸大了层、膜、面板、区域等的厚度。在附图中，为了更好地理解和易于描述，夸大了一些层和区域的厚度。将理解的是，当诸如层、膜、区域或基底的元件被称为“在”另一元件“上”时，该元件可以直接在所述另一元件上，或者也可以存在中间元件。相反，当元件被称为“直接在”另一元件“上”时，不存在中间元件。此外，在说明书中，词语“在……上”或“在……上方”表示定位在对象部分上或下方，并且不必然表示基于重力方向定位在对象部分的上侧。另外，除非明确地描述为相反，否则词语“包括”将被理解为隐含包括所陈述的元件，但不排除任何其他元件。此外，在本说明书中，短语“在平面上”表示从顶部观察对象部分，并且短语“在剖面上”表示从侧面观察通过垂直切割对象部分所形成的剖面。图1是根据示例性实施例的有本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种有机发光二极管显示器，其中，所述有机发光二极管显示器包括：/n基底；/n第一缓冲层，所述第一缓冲层在所述基底上；/n第一半导体层，所述第一半导体层在所述第一缓冲层上；/n第一栅极绝缘层，所述第一栅极绝缘层在所述第一半导体层上；/n第一栅电极和阻挡层，所述第一栅电极和所述阻挡层在所述第一栅极绝缘层上；/n第二缓冲层，所述第二缓冲层在所述第一栅电极上；/n第二半导体层，所述第二半导体层在所述第二缓冲层上；/n第二栅极绝缘层，所述第二栅极绝缘层在所述第二半导体层上；以及/n第二栅电极，所述第二栅电极在所述第二栅极绝缘层上。/n

【技术特征摘要】
20181005 KR 10-2018-01187691.一种有机发光二极管显示器，其中，所述有机发光二极管显示器包括：
基底；
第一缓冲层，所述第一缓冲层在所述基底上；
第一半导体层，所述第一半导体层在所述第一缓冲层上；
第一栅极绝缘层，所述第一栅极绝缘层在所述第一半导体层上；
第一栅电极和阻挡层，所述第一栅电极和所述阻挡层在所述第一栅极绝缘层上；
第二缓冲层，所述第二缓冲层在所述第一栅电极上；
第二半导体层，所述第二半导体层在所述第二缓冲层上；
第二栅极绝缘层，所述第二栅极绝缘层在所述第二半导体层上；以及
第二栅电极，所述第二栅电极在所述第二栅极绝缘层上。


2.根据权利要求1所述的有机发光二极管显示器，其中，
所述阻挡层与所述第二半导体层重叠，并且
所述阻挡层与所述第一栅电极在同一层上。


3.根据权利要求2所述的有机发光二极管显示器，其中，所述有机发光二极管显示器还包括：
驱动电压线，所述驱动电压线传输驱动电压，
其中，所述阻挡层连接到所述驱动电压线以接收所述驱动电压，
其中，所述第一半导体层包括：
第一沟道区，所述第一沟道区与所述第一栅电极重叠；和
第一源区和第一漏区，所述第一源区和所述第一漏区在所述第一沟道区的各自侧处，
其中，所述第二半导体层包括：
第二沟道区，所述第二沟道区与所述第二栅电极重叠；和
第二源区和第二漏区，所述第二源区和所述第二漏区在所述第二沟道区的各自侧处，并且
其中，所述阻挡层与所述第二沟道区重叠。


4.根据权利要求3所述的有机发光二极管显示器，其中，所述有机发光二极管显示器还包括：
第三栅极绝缘层，所述第三栅极绝缘层在所述第二栅电极上；
第二存储电极，所述第二存储电极在所述第三栅极绝缘层上并且与所述第二栅电极的第一存储电极重叠；
第一源电极和第一漏电极，所述第一源电极和所述第一漏电极分别连接到所述第一源区和所述第一漏区；以及
第二源电极和第二漏电极，所述第二源电极和所述第二漏电极分别连接到所述第二源区和所述第二漏区，其中，所述第二存储电极连接到所述第二漏电极。


5.根据权利要求3所述的有机发光二极管显示器，其中，所述有机发光二极管显示器还包括：
第三栅极绝缘层，所述第三栅极...

【专利技术属性】
技术研发人员：裵俊佑，具素英，金太熙，阮成进，李京垣，李镕守，李在燮，曹奎哲，
申请(专利权)人：三星显示有限公司，
类型：发明
国别省市：韩国;KR