一种基片自对准键合方法技术

本发明专利技术涉及一种图案化SiO

A method of substrate self alignment bonding

【技术实现步骤摘要】
一种基片自对准键合方法
本专利技术涉及一种图案化SiO2薄膜表面液体张力调控技术，利用亲水性实现基片自对准键合，具体为一种基片自对准键合方法。
技术介绍
在传统的芯片组装过程中，机器人需要大量的时间来精确地将大量的设备芯片和元件对齐并紧密地粘接在基片上，如印刷电路板(PWB)、柔性印刷电路(FPC)和硅晶圆。一般来说，这种拾取式装配需要精密的模具接合器或倒装芯片接合器，这些设备配有高分辨率摄像机、高精度多轴工作台定位器，以及配有称为夹头的特殊拾取工具的超快操作机器人。虽然较长的对准时间通常可以实现较高的对准精度。对准精度和装配吞吐量之间的权衡问题是当今机械芯片对准和粘接无法解决的。相比之下，通过液体介导的芯片自组装被认为是大规模并行组装的创新解决方案，其中硅片直接键合技术(SDB)是制备各种硅微结构的新工艺。使用液体自组装的很大的优势是,在短时间内通过液体流动或表面张力作为驱动力，大量的芯片可以同时精确对齐到预先确定的地区。目前已广泛应用于SOI、PE、MEMS、VLSI等研究领域。由于硅片键合技术可以成功地代替高阻厚外延和制备良好的SOI材料,因此,随着SDB工艺的进一步完善和成熟,该技术在现代电力器件和高速高压集成电路中拥有广阔的应用前景。硅片直接键合技术的特点是不借外力、电场及粘合剂,仅靠硅片表面的分子力作用直接键合而成,工艺简便、成本低廉。键合技术的关键在于实现硅片表面的良好亲水化处理。而现有的基片自对准键合方法目前分为干法和湿法两种。干法过程先通过光刻将图案转移到基片上，然后将没有光刻胶覆盖部分的SiO2刻蚀掉，再刻蚀Si。干刻过程中活化离子不断的轰击Si表面，使得Si表面的活化能升高，表面张力变大，呈现极强的亲水性；刻蚀完成后，测试Si表面呈完全亲水性，而图案化的SiO2表面仍然呈疏水性，原因在于Si在刻蚀过程中SiO2由于有一层光刻胶作为掩模，并未受到活化离子的轰击，仍然呈现疏水性。再使用丙酮去除光刻胶；由于此时的Si表面呈现亲水性，需要放置一段时间，降低活化能，Si表面亲水性逐渐降低，最后呈现疏水性。然后使用RCA-1溶液(NH4OH:H2O2:H2O＝1:1:6)调控SiO2使其表面具有亲水性。最后利用SiO2的亲水性将基片对准到一起，实现自对准的过程，而Si呈现疏水性，可以提高对准的位置的精确度。但是相对而言，干刻方法中需要添加两种试剂以及静置处理，且自对准精度相对不足的问题。
技术实现思路
针对上述存在问题或不足，为解决现有干法基片自对准键合方法添加试剂、处理时间以及自对准精度相对不足的问题，本专利技术提供了一种基片自对准键合方法，涉及图案化SiO2薄膜表面液体张力调控技术。其具体步骤如下：(1)利用光刻将图案转移到双面抛光、热氧化的硅基片上(图1)。(2)利用干法刻蚀对已有掩膜的基片进行刻蚀，刻蚀掉没有光刻胶覆盖的SiO2(图2)。(3)利用NaOH溶液对刻蚀完成的基片进行处理(图3)；将基片浸泡至质量分数为31％～35％的NaOH溶液中于60～80℃搅拌状态反应刻蚀10～15min,搅拌状态是为了保证溶液浓度的均匀性。优选的，反应时在密封环境下进行，以免溶液蒸发导致，浓度变化，影响刻蚀效果。本专利技术中NaOH可以去除光刻胶，同时将刻蚀后在空气中被氧化的Si形成的SiOx去除掉提升Si表面的疏水性，相比于干刻机还能在相同时间内形成更加深的Si凹槽。最重要是NaOH还能与还能与SiO2表面形成Si-OH的结构，调控SiO2的亲水性。同时在这个浓度下处理出的基片表面平整光滑(图3)，其反应温度与时间的配合使得反应效果和速率极大的优化。(4)基片的自对准过程(图4)。将超纯水滴在衬底基片图案化的SiO2薄膜上，超纯水的张力提供了自对准的动力将两个基片的亲水性二氧化硅表面结合在一起。其中超纯水是亲水性键合过程必需的中间体，最后加热使其蒸发，并在两个表面形成牢固的si-o键，完成键合过程。综上所述，相比现有技术，本专利技术具有以下技术效果：1.本专利技术中NaOH可以直接去除光刻胶，不必使用丙酮，节省了工艺流程与时间；2.使用NaOH处理后的Si表面不具有高的活化能，不需要放置一段时间，节省了时间；3.使用NaOH相比于干刻机刻蚀Si，在相同的时间内腐蚀的Si的深度更深，提高了自对准的效果；4.NaOH兼具了调控SiO2使SiO2表面具有亲水性，而不需要额外的试剂调控SiO2的亲水性，如RCA-1溶液(NH4OH:H2O2:H2O＝1:1:6)。附图说明图1为光刻处理流程示意图；图2为基片刻蚀流程示意图；图3为NaOH溶液对刻蚀完成的基片处理流程示意图；图4为基片自对准流程示意图。具体实施方式下面通过具体实施方法对本专利技术作进一步详细的说明：(1)使用光刻将需要的图案转移到双抛、热氧化硅基片上。(1-1)清洗基片：将基片浸泡于丙酮溶液中，放入超声清洗仪中清洗3min,然后取出基片浸泡于无水乙醇溶液中，同样超声清洗3min,然后取出基片用超纯水冲洗干净，最后用氮气枪将基片吹干。(1-2)涂胶：将负性光刻胶滴覆于基片上后甩胶，使光刻胶均匀地黏附在基片上；甩胶参数为正转10s，转速1200r/min；反转30s,转速3000r/min。(1-3)前烘：将涂胶完成的基片置于100℃热板上热烘60s，去除光刻胶中的部分溶剂，以增强胶膜与硅片表面的粘附性和胶膜的均匀性、耐磨性，更好的线条控制，并使曝光时能进行充分的光化学反应。(1-4)曝光：将热烘完成的基片静置冷却两分钟后进行曝光，负胶曝光时间1.2s。(1-5)后烘：曝光完成后在120℃热板上热烘90s。(1-6)泛曝光：后烘完成的基片静置冷却2min后泛曝光45s。(1-7)显影：将泛曝光后的基片浸泡至显影液中45秒后，用超纯水清洗去除基片上残留的显影液，然后用氮气枪吹干，显影完成后，图案成功转移至基片上。(1-8)坚膜：将显影后的基片于120℃热板上热烘5分钟，使胶膜与硅片间紧密粘附，防止胶层脱落，并增强胶膜本身的抗蚀能力。(2)DRIE刻蚀图案：(2-1)先清洗腔体一分钟，以获得更好的刻蚀效果；清洗参数为：Pressure:80mT,RIEPower:20W,O2:90sccm。(2-2)刻蚀表层二氧化硅薄膜(250nm)：选用的刻蚀参数为:pressure:20mT，RIEPower:120W，Hepressure:10mT,Ar:5sccm，He:50sccm,CHF3:50sccm。刻蚀SiO2时间为400秒(适量过刻以保证将基片表面的SiO2薄膜刻蚀完全)，每刻蚀100s暂停60s，防止刻蚀温度过高降低刻蚀效果。(3)基片表面的张力调控：(3-1)图案化SiO2薄膜虽然理论上具有较高的亲水性，但实际上由于各种非理想因素会导致表面能下降亲水特性下降甚至消失。纯净的Si表面同样本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种基片自对准键合方法，具体步骤如下：/n(1)利用光刻将图案转移到双面抛光、热氧化的硅基片上；/n(2)利用干法刻蚀对已有掩膜的基片进行刻蚀，刻蚀掉没有光刻胶覆盖的SiO

【技术特征摘要】
1.一种基片自对准键合方法，具体步骤如下：
(1)利用光刻将图案转移到双面抛光、热氧化的硅基片上；
(2)利用干法刻蚀对已有掩膜的基片进行刻蚀，刻蚀掉没有光刻胶覆盖的SiO2；
(3)利用NaOH溶液对刻蚀完成的基片进行处理；
将基片浸泡至质量分数为31％～35％的NaOH溶液中于60～80℃搅拌状...

【专利技术属性】
技术研发人员：王韬，万江，汤正杰，
申请(专利权)人：电子科技大学，
类型：发明
国别省市：四川;51