一种可选电压产生电路制造技术

一种可选电压产生电路，包括：与编程器的MCU相连的升压电路，接收MCU输出的使能信号，所述升压电路与电源端相连并根据电压选择信号将电压转换后输出至目标单片机；与编程器的MCU相连的第一选择开关，所述第一选择开关从编程器的MCU处接收电压选择信号，并输出至所述升压电路；与编程器的MCU相连的第二选择开关，所述第二选择开关从编程器的MCU处接收电压选择信号，并输出至所述升压电路。本发明专利技术的电压产生电路通过选择开关，控制升压电路根据单片机的需求输出不同的电压，为单片机提供可选的写入/擦除高压。

An alternative voltage generation circuit

【技术实现步骤摘要】
一种可选电压产生电路
本专利技术属于电子电路
，具体涉及一种用于NORFlash存储器的可选电压产生电路。
技术介绍
NORFlash是一种非易失闪存技术，具备读取速度快、应用简单、无需专门的接口电路、传输效率高的特点，用户程序可以不依靠单片机中的RAM直接在NORFlash闪存上运行，从而减少RAM的容量以降低成本。NORFlash存储器目前被广泛应用在单片机中，用于产品用户程序的存储和运行。电子产品的用户程序通过外部编程器写入单片机的NORFLASH存储器中，但NORFlash存储器的数据写入/擦除需要外部编程器提供稳定及较长时间的高压才能完成，而且单片机的设计不同，写入/擦出电压也不同，因此设计一款用于NORFlash存储器的可选电压产生电路是非常迫切和需要的。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种NORFlash存储器的可选电压产生电路，编程器通过该电路可以为NORFlash存储器提供稳定、可选的写入/擦除电压。为了实现上述目的，本专利技术采取如下的技术解决方案：一种可选电压产生电路，包括：与编程器的MCU相连的升压电路，接收MCU输出的使能信号，所述升压电路与电源端相连并根据电压选择信号将电压转换后输出至目标单片机；与编程器的MCU相连的第一选择开关，所述第一选择开关从编程器的MCU处接收电压选择信号，并输出至所述升压电路；与编程器的MCU相连的第二选择开关，所述第二选择开关从编程器的MCU处接收电压选择信号，并输出至所述升压电路。进一步的，所述升压电路为升压芯片，所述升压芯片的EN引脚与编程器的MCU相连，接收编程器的MCU输出的高压发生使能信号，EN引脚同时经第一电阻接地，升压芯片的VIN引脚与电源端相连、并同时经第一电容接地，GND引脚接地，SW引脚经电感与电源端相连、并同时与二极管的正极相连，FB引脚与所述第一选择开关和所述第二选择开关的输出端相连；在FB引脚和所述二极管的负极之间接有第二电阻，所述第二电阻与第二电容并联，所述二极管的负极接电压产生电路的高压输出端，电压产生电路的高压输出端同时经第三电容接地。更具体的，所述二极管为肖特基二极管。进一步的，所述第一选择开关为第一三极管，所述第一三极管的基极与编程器的MCU相连，发射极接地，集电极经第三电阻与升压电路相连。进一步的，所述第二选择开关为第二三极管，所述第二三极管的基极与编程器的MCU相连，发射极接地，集电极经第四电阻与升压电路相连。更具体的，所述升压电路为升压芯片，第一三极管的集电极经所述第三电阻与升压芯片的FB引脚相连，和/或所述第二三极管的集电极经所述第四电阻与升压芯片的FB引脚相连。优选的，还包括防误保护电路，所述防误保护电路的输入端与编程器的MCU相连，接收由编程器的MCU输出的电压选择信号，输出端与所述第一选择开关电路和所述第二选择开关电路相连。进一步的，所述防误保护电路为由2个非门组成的逻辑芯片，所述逻辑芯片的VCC引脚与电源端相连，GND引脚接地、并同时经第四电容与电源端相连，第一输入引脚与编程器的MCU相连、并同时经第五电阻与电源端相连，第二输入引脚与第一输出引脚相连，第一输出引脚与所述第二选择开关相连，第二输出引脚与所述第一选择开关相连。更具体的，所述第一选择开关为第一三极管，所述第一三极管的基极与逻辑芯片的第二输出引脚相连，发射极接地，集电极经第三电阻与升压电路相连；所述第二选择开关为第二三极管，所述第二三极管的基极与逻辑芯片的第一输出引脚相连，发射极接地，集电极经第四电阻与升压电路相连。可替换的，所述第一选择开关和所述第二选择开关为MOS管。由以上技术方案可知，本专利技术的电压产生电路通过选择开关，控制升压电路根据单片机的需求输出不同的电压，为单片机提供可选的写入/擦除高压，在具体技术方案中，可以根据单片机实际编程电压，通过调节电路中的电阻阻值，为不同的单片机提供相应的高压。在优选的技术方案中，通过设置防误保护电路，可以防止误动作导致的异常高压输出带来的生产损坏，提升电子产品中的单片机在批量编程中的良率。附图说明为了更清楚地说明本专利技术实施例，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图做简单介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本专利技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。图1为本专利技术实施例的电路框图；图2为本专利技术实施例的电路原理图。以下结合附图对本专利技术的具体实施方式作进一步详细地说明。具体实施方式为了让本专利技术的上述和其它目的、特征及优点能更明显，下文特举本专利技术实施例，并配合所附图示，做详细说明如下。如图1所示，本实施例的电压产生电路包括升压电路、第一选择开关和第二选择开关。其中，升压电路分别与编程器的MCU以及目标单片机相连，升压电路的输入端与+5V电源端(编程器供电电源)相连，将电压进行转换后向目标单片机输出高压。第一选择开关及第二选择开关分别与编程器的MCU相连，从编程器的MCU处接收电压选择信号，并输出至升压电路，使升压电路输出特定的电压。优选的，本实施例在编程器的MCU和第一选择开关及第二选择开关之间设置了防误保护电路。本实施例的目标单片机为珠海中慧微电子有限公司型号为SWF2G11的16位单片机，单片机内部具有NORFLASH存储器，正常工作电压为2.4V～5.0V，编程状态下需额外提供7V或7.5V高压给SWF2G11芯片的VPP引脚使用，即本实施例的第一选择开关用于输出7.5V电压选择信号，第二选择开关用于输出7.0V电压选择信号。如图2所示，本实施例采用型号为TPS61041DBV的升压芯片U1作为升压电路，该芯片的最大输出电流为250mA,输入电压为1.8～6V，向外输出的最大电压为28V。升压芯片U1的EN引脚与编程器的MCU相连，接收编程器的MCU控制输出的高压发生使能信号(FWRCNT)，EN引脚同时经第一电阻R1接地，高压发生使能信号用于控制升压芯片U1的工作状态；升压芯片U1的VIN引脚与+5V电源端相连，并同时经第一电容C1接地；升压芯片U1的GND引脚接地，SW引脚经电感L1与+5V电源端相连，SW引脚同时与二极管D1的正极相连，二极管D1的负极接电压产生电路的高压输出端(HVCC)，电压产生电路向目标单片机输出7V或7.5V电压；升压芯片U1的FB引脚与第一选择开关和第二选择开关的输出端相连，在FB引脚和二极管D1的负极之间接有第二电阻R2，第二电容C2与第二电阻R2并联。电压产生电路的高压输出端同时经第三电容C3接地。更具体的，本实施例的二极管D1采用肖特基二极管。防误保护电路的输入端与编程器的MCU相连，接收由MCU控制输出的电压选择信号(HVCC_SEL)。本实施例的防误保护电路采用型号为SN74LVC2G04DRL的逻辑芯片U2，该逻辑芯片U2由2个非门组成。逻辑芯片U2的VCC引脚与+5V电源端相连，GND引脚接地，GND引脚本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种可选电压产生电路，其特征在于，包括：/n与编程器的MCU相连的升压电路，接收MCU输出的使能信号，所述升压电路与电源端相连并根据电压选择信号将电压转换后输出至目标单片机；/n与编程器的MCU相连的第一选择开关，所述第一选择开关从编程器的MCU处接收电压选择信号，并输出至所述升压电路；/n与编程器的MCU相连的第二选择开关，所述第二选择开关从编程器的MCU处接收电压选择信号，并输出至所述升压电路。/n

【技术特征摘要】
1.一种可选电压产生电路，其特征在于，包括：
与编程器的MCU相连的升压电路，接收MCU输出的使能信号，所述升压电路与电源端相连并根据电压选择信号将电压转换后输出至目标单片机；
与编程器的MCU相连的第一选择开关，所述第一选择开关从编程器的MCU处接收电压选择信号，并输出至所述升压电路；
与编程器的MCU相连的第二选择开关，所述第二选择开关从编程器的MCU处接收电压选择信号，并输出至所述升压电路。


2.如权利要求1所述的可选电压产生电路，其特征在于：所述升压电路为升压芯片，所述升压芯片的EN引脚与编程器的MCU相连，接收编程器的MCU输出的高压发生使能信号，EN引脚同时经第一电阻接地，升压芯片的VIN引脚与电源端相连、并同时经第一电容接地，GND引脚接地，SW引脚经电感与电源端相连、并同时与二极管的正极相连，FB引脚与所述第一选择开关和所述第二选择开关的输出端相连；在FB引脚和所述二极管的负极之间接有第二电阻，所述第二电阻与第二电容并联，所述二极管的负极接电压产生电路的高压输出端，电压产生电路的高压输出端同时经第三电容接地。


3.如权利要求2所述的可选电压产生电路，其特征在于：所述二极管为肖特基二极管。


4.如权利要求1所述的可选电压产生电路，其特征在于：所述第一选择开关为第一三极管，所述第一三极管的基极与编程器的MCU相连，发射极接地，集电极经第三电阻与升压电路相连。


5.如权利要求1所述的可选电压产生电路，其特征在于：所述第二选择开关为第二三极管，...

【专利技术属性】
技术研发人员：夏大叶，吴海强，
申请(专利权)人：珠海中慧微电子有限公司，
类型：发明
国别省市：广东;44