衬底结构、显示装置及衬底结构的制备方法制造方法及图纸

技术编号:23768922 阅读:33 留言:0更新日期:2020-04-11 21:32
本发明专利技术实施例涉及显示技术领域,公开了一种衬底结构、显示装置和衬底结构的制备方法,包括:第一衬底、第一衬底包括:相邻接的第一区域和第二区域;位于第一衬底上的阻挡膜层结构,阻挡膜层结构至少位于第二区域;位于阻挡膜层结构远离第一衬底一侧的第二衬底,第二衬底位于第一区域和第二区域;其中,位于第一区域的膜层数目小于位于第二区域的膜层数目。本发明专利技术提供的衬底结构、显示装置及衬底结构的制备方法,能够提高衬底结构的光线透过率,有利于屏下摄像头等需大量光线的器件的制备。

Substrate structure, display device and preparation method of substrate structure

【技术实现步骤摘要】
衬底结构、显示装置及衬底结构的制备方法
本专利技术实施例涉及显示
,特别涉及一种衬底结构、显示装置及衬底结构的制备方法。
技术介绍
随着手机、平板电脑等移动终端技术的发展,移动终端的结构形态越来越丰富,例如,折叠式移动终端以其较新颖的折叠性能,获得用户的亲赖。然而,现有的衬底结构的透过率不高,不利于屏下摄像头等需大量光线的器件的实现。
技术实现思路
本专利技术实施方式的目的在于提供一种衬底结构、显示装置及衬底结构的制备方法,能够提高衬底结构的光线透过率,有利于屏下摄像头等需大量光线的器件的制备。为解决上述技术问题,本专利技术的实施方式提供了一种衬底结构,包括:第一衬底,第一衬底包括:相邻接的第一区域和第二区域;位于第一衬底上的阻挡膜层结构,阻挡膜层结构至少位于第二区域;位于阻挡膜层结构远离第一衬底一侧的第二衬底,第二衬底位于第一区域和第二区域;其中,位于第一区域的膜层数目小于位于第二区域的膜层数目。本专利技术的实施方式还提供了一种显示装置,包括:如上述的衬底结构。本专利技术的实施方式还提供了一种衬底结构的制备方法,包括:提供基板;在基板上制备第一衬底,第一衬底包括:相邻接的第一区域和第二区域;在第一衬底远离基板一侧形成阻挡膜层结构,阻挡膜层结构至少位于第二区域;在阻挡膜层结构远离第一衬底一侧制备第二衬底,第二衬底位于第一区域和第二区域;其中,位于第一区域的膜层数目小于位于第二区域的膜层数目。另外,阻挡膜层结构包括至少两层膜层结构,至少两层膜层结构不同时位于第一区域。该方案提供了阻挡膜层结构的多种实施方式。另外,阻挡膜层结构位于第二区域;位于第一区域的第二衬底与第一衬底接触。该方案中通过将阻挡膜层结构仅设置于第二区域,从而减少了第一区域的膜层数目,提高了第一区域的衬底结构的光线透过率。另外,阻挡膜层结构包括:位于第一衬底的水氧阻隔层、以及位于水氧阻隔层远离第一衬底一侧的非晶硅层;水氧阻隔层位于第二区域,且非晶硅层位于第二区域;或,水氧阻隔层位于第二区域,且非晶硅层位于第一区域和第二区域;或,非晶硅层位于第二区域,且水氧阻隔层位于第一区域和第二区域。该方案中给出了阻挡膜层结构的一种具体实现方式,有利于衬底结构的多样化设计。另外,阻挡膜层结构包括:位于第一衬底的第一非晶硅层、位于第一非晶硅层远离第一衬底一侧的水氧阻隔层、以及位于水氧阻隔层远离第一衬底一侧的第二非晶硅层;所述第二非晶硅层位于所述第二区域;水氧阻隔层位于第二区域,且第一非晶硅层位于第二区域;或,水氧阻隔层位于第二区域,且第一非晶硅层位于第一区域和第二区域;或,第一非晶硅层位于第二区域,且水氧阻隔层位于第一区域和第二区域;或,水氧阻隔层位于第一区域和第二区域,且第一非晶硅层位于第一区域和第二区域。该方案中给出了另一种阻挡膜层结构的具体实现方式,有利于实现衬底结构的多样化设计。另外,阻挡膜层结构包括:位于第一衬底的第一非晶硅层、位于第一非晶硅层远离第一衬底一侧的水氧阻隔层、以及位于水氧阻隔层远离第一衬底一侧的第二非晶硅层,第二非晶硅层位于第一区域和第二区域;水氧阻隔层位于第二区域,且第一非晶硅层位于第二区域;或,水氧阻隔层位于第二区域,且第一非晶硅层位于第一区域和第二区域;或,第一非晶硅层位于第二区域,且水氧阻隔层位于第一区域和第二区域。该方案中给出了另一种阻挡膜层结构的具体实现方式,有利于实现衬底结构的多样化设计。另外,第二区域包含:靠近第一区域的内边界以及远离第一区域的外边界;内边界与外边界的距离至少大于2毫米。该方案中将第二区域的内边界与外边界的距离至少大于2毫米,使得第一区域的衬底结构膜层数目减少后,第二区域的衬底结构能够支撑第一区域的衬底结构,避免第一区域的衬底结构褶皱。另外,第一衬底和第二衬底的材料包括聚酰亚胺。该方案中第一衬底和第二衬底的材料均为聚酰亚胺,从而有利于提高衬底结构的光线透过率,有利于在衬底结构上制备摄像头等需要大量光线的器件的实现。本专利技术实施方式相对于现有技术而言,提供了一种衬底结构,包括:第一衬底,第一衬底包括:相邻接的第一区域和第二区域;位于第一衬底上的阻挡膜层结构,阻挡膜层结构至少位于第二区域;位于阻挡膜层结构远离第一衬底一侧的第二衬底,第二衬底位于第一区域和第二区域;其中,位于第一区域的膜层数目小于位于第二区域的膜层数目。由于衬底结构的膜层数目太多,各膜层之间折射率的不同而造成衬底结构的光线反射率增加、光线透过率降低,本实施方式中阻挡膜层结构至少位于第二区域,第一区域的膜层数目小于第二区域的膜层数目,从而降低了位于第一区域的衬底结构的膜层数目,提高了第一区域衬底结构的光线透过率。附图说明一个或多个实施例通过与之对应的附图中的图片进行示例性说明,这些示例性说明并不构成对实施例的限定,附图中具有相同参考数字标号的元件表示为类似的元件,除非有特别申明,附图中的图不构成比例限制。图1是根据本专利技术第一实施方式的衬底结构的剖视图;图2是根据本专利技术第一实施方式的衬底结构区域划分示意图;图3是根据本专利技术第二实施方式的一种衬底结构的剖视图;图4是根据本专利技术第二实施方式的另一种衬底结构的剖视图;图5是根据本专利技术第二实施方式的又一种衬底结构的剖视图;图6是根据本专利技术第三实施方式的一种衬底结构的剖视图;图7是根据本专利技术第三实施方式的另一种衬底结构的剖视图;图8是根据本专利技术第三实施方式的又一种衬底结构的剖视图;图9是根据本专利技术第三实施方式的再一种衬底结构的剖视图;图10是根据本专利技术第三实施方式的另一种可替换的衬底结构的剖视图;图11是根据本专利技术第三实施方式的又一种可替换的衬底结构的剖视图;图12是根据本专利技术第三实施方式的再一种可替换的衬底结构的剖视图;图13是根据本专利技术第五实施方式的衬底结构的制备方法的流程示意图。具体实施方式为使本专利技术实施例的目的、技术方案和优点更加清楚,下面将结合附图对本专利技术的各实施方式进行详细的阐述。然而,本领域的普通技术人员可以理解,在本专利技术各实施方式中,为了使读者更好地理解本申请而提出了许多技术细节。但是,即使没有这些技术细节和基于以下各实施方式的种种变化和修改,也可以实现本申请所要求保护的技术方案。专利技术人发现目前显示屏的衬底结构多采用双层衬底膜层,以及夹设于双层衬底膜层之间的阻隔膜层来作为衬底结构,该结构的可量产性已经被广泛验证。但此种衬底结构的透过率不高,不利于屏下摄像头等需大量光线的器件的实现。基于此,本申请提供了一种衬底结构、显示装置及衬底结构的制备方法,能够提高衬底结构的光线透过率,有利于屏下摄像头等需大量光线的器件的制备。本专利技术的第一实施方式涉及一种衬底结构,如图1所示,本实施方式的核心在于包括:第一衬底11,第一衬底11包括:相邻接的第一区域01和第二区域02;位于第一衬底11上的阻挡膜层结构12,阻挡膜层结构12至少位于第二区域02;位于阻挡膜层结构12远离第一衬本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种衬底结构,其特征在于,包括:第一衬底,所述第一衬底包括:相邻接的第一区域和第二区域;/n位于所述第一衬底上的阻挡膜层结构,所述阻挡膜层结构至少位于所述第二区域;/n位于所述阻挡膜层结构远离所述第一衬底一侧的第二衬底,所述第二衬底位于所述第一区域和所述第二区域;其中,位于所述第一区域的膜层数目小于位于所述第二区域的膜层数目。/n

【技术特征摘要】
1.一种衬底结构,其特征在于,包括:第一衬底,所述第一衬底包括:相邻接的第一区域和第二区域;
位于所述第一衬底上的阻挡膜层结构,所述阻挡膜层结构至少位于所述第二区域;
位于所述阻挡膜层结构远离所述第一衬底一侧的第二衬底,所述第二衬底位于所述第一区域和所述第二区域;其中,位于所述第一区域的膜层数目小于位于所述第二区域的膜层数目。


2.根据权利要求1所述的衬底结构,其特征在于,所述阻挡膜层结构包括至少两层膜层结构,所述至少两层膜层结构不同时位于所述第一区域。


3.根据权利要求1或2所述的衬底结构,其特征在于,所述阻挡膜层结构位于所述第二区域;
位于所述第一区域的所述第二衬底与所述第一衬底接触。


4.根据权利要求1或2所述的衬底结构,其特征在于,所述阻挡膜层结构包括:位于所述第一衬底上的水氧阻隔层、以及位于所述水氧阻隔层远离所述第一衬底一侧的非晶硅层;
所述水氧阻隔层位于所述第二区域,且所述非晶硅层位于所述第二区域;或,所述水氧阻隔层位于所述第二区域,且所述非晶硅层位于所述第一区域和所述第二区域;或,所述非晶硅层位于所述第二区域,且所述水氧阻隔层位于所述第一区域和所述第二区域。


5.根据权利要求1或2所述的衬底结构,其特征在于,所述阻挡膜层结构包括:位于所述第一衬底的第一非晶硅层、位于所述第一非晶硅层远离所述第一衬底一侧的水氧阻隔层、以及位于所述水氧阻隔层远离所述第一衬底一侧的第二非晶硅层,所述第二非晶硅层位于所述第二区域;
所述水氧阻隔层位于所述第二区域,且所述第一非晶硅层位于所述第二区域;或,所述水氧阻隔层位于所述第二区域,且所述第一非晶硅层位于所述第一区域和所述第二区域;或,所述第一非晶硅层位于所...

【专利技术属性】
技术研发人员:许晓伟
申请(专利权)人:昆山工研院新型平板显示技术中心有限公司昆山国显光电有限公司
类型:发明
国别省市:江苏;32

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