箔式调容线圈结构制造技术

本实用新型专利技术公开一种箔式调容线圈结构，低压线圈分为内层线圈及外层线圈两部分，其中内层线圈为轴向分裂的两个线圈，采用并联连接方式，外层线圈为一整体线圈，与内层线圈串联连接；低压线圈的各部分线圈均采用铜箔层式绕制，内层两个线圈间铜箔采用铜排或铜带连接方式进行铜排内部焊接；外层线圈铜箔采用铜排外部焊接；绝缘材料放置于相应层间。本实用新型专利技术中的线圈结构能够解决原多根导线并绕时幅向超差较大，导致线圈阻抗及负载损耗值分散性较大，产品性能不稳定的问题，绕制工艺方便，绕制欲度较大，经济性较高。

Structure of foil type capacity regulating coil

【技术实现步骤摘要】
箔式调容线圈结构
本技术涉及一种有载调容调压电力变压器，具体为一种箔式调容线圈结构。
技术介绍
智能型有载调容调压电力变压器是一种新型电力变压器。智能型有载调容调压配电变压器是进一步精简和优化配电设备种类，提升标准化、智能化水平，提高配电网工程质量和配网运维管理效率的新一代配电成套设备。智能型有载调容调压变压器将变压器模块、低压配电模块进行一体化、模块化设计，一二次接口进行标准化设计，实现变压器设备的集成组合和功能融合，在负载或励磁条件下，能够自动检测变压器运行负荷和电压工况，并根据预设条件进行自动判断并发出相应指令，准确控制有载调容调压开关动作，实现变压器分接档位自动调节、变压器容量自动调节，以及传递变压器的各种实时和历史运行数据与信息的控制，减少运输、库存、安装、交接试验及运维等方面的工作量，进一步提高变压器的供电可靠性。现有技术中，将通用低压线圈由幅向分为两部分，串并联部分+公共部分，其中串并联部分由层式线圈幅向组合实现串并联功能。此种线圈由多根扁铜线并行绕制，因并联根数较多，幅向超差较大，增加低压幅向绕制施工难度，导致线圈阻抗及负载损耗值分散性较大，线圈内部绕组存在无负荷状态，局部漏磁过大，导致线圈热烧毁，产品性能不稳定。
技术实现思路
针对现有技术中有载调容调压电力变压器中的低压线圈低压幅向绕制施工难度、产品性能差等不足，本技术要解决的问题是提供一种绕制工艺方便、绕制欲度较大、产品性能稳定的箔式调容线圈结构。为解决上述技术问题，本技术采用的技术方案是：本技术一种箔式调容线圈结构，低压线圈分为内层线圈及外层线圈两部分，其中内层线圈为轴向分裂的两个线圈，采用并联连接方式，外层线圈为一整体线圈，与内层线圈串联连接。低压线圈的各部分线圈均采用铜箔层式绕制，内层两个线圈间铜箔采用铜排或铜带连接方式进行铜排内部焊接；外层线圈铜箔采用铜排外部焊接；绝缘材料放置于相应层间。对于三相200kVA及以上的大容量，轴向分裂的两个线圈的A相线圈的引线a1和a2并联，引出A相出头，B相线圈的引线b1和b2并联，引出B相出头，C相线圈的引线c1和c2并联，引出C相出头，A相线圈的引线x1和x2并联，B相线圈的引线y1和y2并联，C相线圈的引线z1和z2并联，引线x2、y2、z2与外层线圈的相应引线串联连接在一起。对于三相200kVA以下的小容量，轴向分裂的两个线圈的A相线圈的引线x1和a2并联，引出A相出头，B相线圈的引线y1和b2并联，引出B相出头，C相线圈的引线z1和c2并联，引出C相出头，A相线圈的引线a1和x2并联，B相线圈的引线b1和y2并联，C相线圈的引线c1和z2并联，引线x2、y2、z2与外层线圈的相应引线串联连接在一起。本技术具有以下有益效果及优点：1.本技术中的线圈结构能够解决原多根导线并绕时幅向超差较大，导致线圈阻抗及负载损耗值分散性较大，产品性能不稳定的问题，绕制工艺方便，绕制欲度较大，经济性较高。2.本技术中低压内层上下两个线圈可以实现分步绕制，制造过程更为简易，节省制造成本。附图说明图1为本技术中低压线圈组合方式示意图；图2为本技术中低压线圈铜排排布方式示意图；图3为本技术中低压线圈串并联铜排与铜箔焊接方式示意图；图4为本技术中低压线圈公共部分焊接组合方式示意图。其中，1为内层线圈下部分，2为内层线圈上部分，3为外层线圈，4为焊接位置，5为内层防护支板，6为外层防护支板。具体实施方式下面结合说明书附图对本技术作进一步阐述。如图1～2所示，本技术一种箔式调容线圈结构，低压线圈分为内层线圈及外层线圈两部分，其中内层线圈采用轴向分裂的两个线圈，采用并联连接方式，外层线圈为一整体线圈，与内层线圈串联连接。低压线圈的各部分线圈均采用铜箔层式绕制，内层两个线圈间铜箔采用铜排或铜带连接方式进行铜排内部焊接，外层线圈铜箔采用铜排外部焊接；绝缘材料放置于相应层间。绝缘材料采用绝缘纸板制作，对各层进行端绝缘或交叉防护，如图3～4所示。实现三相大容量(200kVA及以上)时，轴向分裂的两个线圈的A相线圈的引线a1和a2并联，引出A相出头，B相线圈的引线b1和b2并联，引出B相出头，C相线圈的引线c1和c2并联，引出C相出头，A相线圈的引线x1和x2并联，B相线圈的引线y1和y2并联，C相线圈的引线z1和z2并联，引线x2、y2、z2与外层线圈的相应引线串联连接在一起。实现三相小容量(200kVA以下)时，轴向分裂的两个线圈的A相线圈的引线x1和a2并联，引出A相出头，B相线圈的引线y1和b2并联，引出B相出头，C相线圈的引线z1和c2并联，引出C相出头，A相线圈的引线a1和x2并联，B相线圈的引线b1和y2并联，C相线圈的引线c1和z2并联，引线x2、y2、z2与外层线圈的相应引线串联连接在一起。低压线圈绕制时，先将较窄铜箔轴向并联，利用上下首末铜排将轴向并联铜箔分别进行对应焊接；并联铜箔分步进行绕制及相应层间绝缘放置；轴向不同位置铜箔与首末铜排之间应进行相应的防护措施；铜排与铜带之间进行相应的固定，保证铜排与铜带不发生相对位移；低压线圈串并联部分与公共部分铜箔之间通过单独铜排与铜带进行连接，轴向并联部分铜箔采用铜排内部焊接措施，公共部分铜箔采用铜排外部焊接措施，铜排焊接后应保证铜排与铜箔之间的焊接强度以及不同铜箔之间的绝缘防护措施。以A相低压线圈为例。低压线圈绕制完成后，若要实现大容量，需要将a1和a2并联引出a相出头(b、c相同a相)。x1和x2并联(因x2已将低压线圈串并联下半部与公共部分线圈连接在一起)；若要实现小容量，需将x1和a2连接，通过a1引出a相出头(b、c相同a相)。本技术有载调容电力变压器低压线圈采用轴向串并联式，利用铜箔材料，进行线圈层式绕制。低压内部各部分线圈间采用铜排、铜带等连接方式进行连接。通过轴向并联的低压线圈实现变压器调容功能。内层线圈首先绕制串并联线圈的上半部分，再绕制串并联线圈的下半部分，而后统绕低压线圈公共部分即外层线圈。此种低压线圈结构与双分裂线圈结构相比，相关技术参数理论计算与双分裂线圈全阻抗计算相同。低压线圈串并联部分在大小容量的情况下，均处于运行状态，不存在线圈内部绕组无负荷状态，避免局部漏磁过大，导致线圈热烧毁。本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种箔式调容线圈结构，其特征在于：低压线圈分为内层线圈及外层线圈两部分，其中内层线圈为轴向分裂的两个线圈，采用并联连接方式，外层线圈为一整体线圈，与内层线圈串联连接。/n

【技术特征摘要】
1.一种箔式调容线圈结构，其特征在于：低压线圈分为内层线圈及外层线圈两部分，其中内层线圈为轴向分裂的两个线圈，采用并联连接方式，外层线圈为一整体线圈，与内层线圈串联连接。


2.根据权利要求1所述的箔式调容线圈结构，其特征在于：低压线圈的各部分线圈均采用铜箔层式绕制，内层两个线圈间铜箔采用铜排或铜带连接方式进行铜排内部焊接；外层线圈铜箔采用铜排外部焊接；绝缘材料放置于相应层间。


3.根据权利要求1所述的箔式调容线圈结构，其特征在于：对于三相200kVA及以上的大容量，轴向分裂的两个线圈的A相线圈的引线a1和a2并联，引出A相出头，B相线圈的引线b1和b2并联，引...

【专利技术属性】
技术研发人员：金宝，夏宝琪，
申请(专利权)人：特变电工沈阳变压器集团有限公司，特变电工股份有限公司，
类型：新型
国别省市：辽宁;21