用于极紫外线微影术的光罩制造技术

一种用于极紫外线微影术的光罩包括基板，基板具有前表面及与该前表面相对的后表面；多层Mo/Si堆叠，多层Mo/Si堆叠安置在基板的前表面上；封盖层，封盖层安置在多层Mo/Si堆叠上；吸收层，吸收层安置在封盖层上；以及背侧导电层，背侧导电层安置在基板的后表面上。背侧导电层由硼化钽制成。

Light mask for ultra violet photomicrography

【技术实现步骤摘要】
用于极紫外线微影术的光罩
本揭示内容是关于一种用于极紫外线微影术的光罩。
技术介绍
光微影操作为半导体制造制程中的关键操作中的一种。光微影技术包括紫外线微影术、深紫外线微影术及极紫外线微影术(extremeultravioletlithography,EUVL)。光罩为光微影操作中的重要部件。制造无缺陷的EUV光罩是关键的。
技术实现思路
根据本申请案的一个态样，一种用于极紫外线(EUV)微影术的光罩包括基板，基板具有前表面及与前表面相对的后表面；多层Mo/Si堆叠，多层Mo/Si堆叠安置在基板的前表面上；封盖层，封盖层安置在多层Mo/Si堆叠上；吸收层，吸收层安置在封盖层上；以及背侧导电层，背侧导电层安置在基板的后表面上。背侧导电层由硼化钽制成。附图说明当结合附图阅读时得以自以下详细描述最佳地理解本揭示案。应强调，根据行业中的标准实务，各种特征未按比例绘制并仅用于说明目的。实际上，为了论述清楚可任意地增大或减小各种特征的尺寸。图1A及图1B图示根据本揭示案的一个实施例的EUV光罩坯料；图2A、图2B、图2C、图2D、图2E、图2F及图2G示意性地图示根据本揭示案的实施例的用于制造EUV光罩的方法；图3图示根据本揭示案的一个实施例的EUV光罩的蚀刻操作的示意图；图4图示根据本揭示案的另一实施例的EUV光罩的蚀刻操作的示意图；图5图示根据本揭示案的另一实施例的EUV光罩的蚀刻操作的示意图；图6图示根据本揭示案的另一实施例的EUV光罩的蚀刻操作的示意图；图7图示根据本揭示案的实施例的线形突起或线形O形环；图8图示经由装载闸腔室将待蚀刻的EUV光罩装载至蚀刻腔室中的操作。【符号说明】5EUV光罩坯料10基板15多层Mo/Si堆叠20封盖层25吸收层30硬遮罩层35第一光阻剂层40图案41图案42图案45背侧导电层50图案51图案55第二光阻剂层200台210基座220捕捉环222第一部分/平坦部分225突起227O形环230阴极235突节具体实施方式应理解，以下揭示内容提供了用于实施本专利技术的不同特征的许多不同实施例或实例。以下描述部件及布置的特定实施例或实例以简化本揭示案。当然，此些仅为实例且并不意欲为限制性的。举例而言，元件的尺寸并不限于所揭示的范围或值，而是可取决于制程条件及/或装置的所需性质而定。此外，在如下描述中第一特征在第二特征上方或之上形成可包括第一特征及第二特征形成为直接接触的实施例，且亦可包括额外特征可形成为插入第一特征及第二特征而使得第一特征与第二特征可不直接接触的实施例。为了简化及清楚，可以不同比例任意地绘制各种特征。另外，为了描述简单起见，可在本文中使用诸如“在……之下”、“低于”、“下部”、“在……上方”、“上部”以及其类似术语的空间相对术语，以描述如诸图中所图示的一个元件或特征与另一(其他)元件或特征的关系。除了诸图中所描绘的定向以外，该等空间相对术语意欲亦涵盖装置在使用中或操作中的不同定向。装置可以其他方式定向(旋转90度或以其他定向)，且可同样相应地解释本文中所使用的空间相对描述词。另外，术语“由……制成”可意谓“包括”或“由……组成”。在本揭示案中，用语“A、B及C中的一者”意谓“A、B及/或C(A、B、C、A及B、A及C、B及C，或A、B及C)”，且不意谓来自A的一个元件、来自B的一个元件以及来自C的一个元件，除非另外描述。本揭示案的实施例提供一种制造EUV光罩的方法。更特定而言，本揭示案提供用以防止或抑制对EUV光罩的背侧导电层的损坏的技术。EUV微影术(EUVlithography,EUVL)采用使用极紫外线(extremeultraviolet,EUV)区中的光的扫描器，该光的波长为约1nm至约100nm(例如，13.5nm)。遮罩为EUVL系统的关键部件。因为光学材料为不透EUV辐射的，所以EUV光罩为反射性遮罩。EUV光罩需要极低的表面粗糙度且必须无可辨析的缺陷。具有用于EUV微影术的电路图案的EUV光罩需要各种蚀刻操作，诸如电浆干式蚀刻。将待蚀刻的EUV光罩置放在电浆蚀刻腔室中的遮罩台上。在一些实施例中，遮罩台包括电动卡盘机构以在电浆蚀刻期间保持EUV光罩。EUV光罩包括相对于电动卡盘机构的背侧导电层。然而，当EUV光罩与台之间存在大缝隙时，电浆的活性物质可扩散至EUV光罩的底部部分，从而导致对EUV光罩的背侧导电层的损坏。对背侧导电层的损坏可引起各种问题，诸如在导电膜的边缘处产生粒子及/或树状侵蚀。背侧导电层中的此些粒子及/或缺陷可导致不充分卡紧及/或EUV光罩的前侧上的电路图案上的缺陷。本揭示案提供用以防止或抑制在电浆蚀刻期间由电浆的活性物质所引起的对EUV光罩的背侧导电层的损坏的技术。图1A及图1B图示根据本揭示案的实施例的EUV光罩坯料。图1A为横截面图且图1B为自EUV光罩的背侧观察的平面图。在一些实施例中，具有电路图案的EUV光罩由EUV光罩坯料5形成。EUV光罩坯料5包括基板10、硅及钼的多个交替层的多层Mo/Si堆叠15、封盖层20、吸收层25及硬遮罩层30。另外，如图1A中所图示，背侧导电层45形成于基板10的背侧上。在一些实施例中，基板10由低热膨胀材料形成。在一些实施例中，基板为低热膨胀玻璃或石英，诸如，熔融二氧化硅或熔融石英。在一些实施例中，低热膨胀玻璃基板透射可见波长的光、可见光谱附近(近红外)的红外线波长的部分及紫外线波长的部分。在一些实施例中，低热膨胀玻璃基板吸收极紫外线波长以及极紫外线附近的深紫外线波长。在一些实施例中，基板10的大小为152mm×152mm，具有约20mm的厚度。在一些实施例中，Mo/Si多层堆叠15包括自硅及钼中每一者的约30个交替层至硅及钼中每一者的约60个交替层。在某些实施例中，形成自约40个至约50个硅及钼中每一者的交替层。在一些实施例中，对于所关注波长(例如，13.5nm)而言，反射率高于约70％。在一些实施例中，通过化学气相沉积(chemicalvapordeposition,CVD)、电浆增强CVD(plasma-enhancedCVD,PECVD)、原子层沉积(atomiclayerdeposition,ALD)、物理气相沉积(physicalvapordeposition,PVD)(溅射)或任何其他合适的形成方法来形成硅及钼层。硅及钼的每一层为约2nm至约10nm厚。在一些实施例中，硅及钼的层为约相同的厚度。在其他实施例中，硅及钼的层为不同厚度。在一些实施例中，硅及钼的每一层的厚度为约3nm至约4nm。在其他实施例中，多层堆叠15包括交替的钼层及铍层。在一些实施例中，多层堆叠15中的层数目在自约20个至约100个的范围中，但只要维持足够反射率以使靶基板成本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种用于极紫外线微影术的光罩，其特征在于，包括：/n一基板，该基板具有一前表面及与该前表面相对的一后表面；/n一多层Mo/Si堆叠，该多层Mo/Si堆叠安置在该基板的该前表面上；/n一封盖层，该封盖层安置在该多层Mo/Si堆叠上；/n一吸收层，该吸收层安置在该封盖层上；以及/n一背侧导电层，该背侧导电层安置在该基板的该后表面上，/n其中该背侧导电层由硼化钽制成。/n

【技术特征摘要】
20180928 US 62/738,769;20190412 US 16/383,5701.一种用于极紫外线微影术的光罩，其特征在于，包括：
一基板，该基板具有一前表面及与该前表面相对的一...

【专利技术属性】
技术研发人员：李信昌，许倍诚，林秉勳，连大成，王子奕，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾;71