半导体装置制造方法及图纸

技术编号:23675658 阅读:24 留言:0更新日期:2020-04-04 20:27
本实施方式的半导体装置1被安装在散热体上,其特征在于,包括:发热电子部件20;封装部30,用于封装发热电子部件20;引线构件40,具有:被封装部30封装的内引线部41、以及从封装部30露出的外引线部42;以及引线构件50,具有:被封装部30封装的内引线部51、以及从封装部30露出的外引线部52,其中,内引线部41具有:将从外引线部42传播的热量释放至散热体的散热端部41c、以及位于散热端部41c与外引线部42之间并且与发热电子部件20的主电极21电气连接的电气连接部41d。

Semiconductor device

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】半导体装置
本专利技术涉及一种半导体装置,其安装在散热体上。
技术介绍
以往,在将发热电子部件以及引线构件安装在陶瓷基板等绝缘基板后,通过树脂封装来构成的半导体装置已被普遍认知。其中,发热电子部件例如为半导体开关元件或二极管等部件。这样的半导体装置通常时经由绝缘基板的背面被安装在散热器或车体等散热体上,并且发热电子部件发出的热量通过绝缘基材被释放至散热体处。引线构件中的外引线(Outerlead)则经由母排(Bus-bar)与电池等外部装置相连接。在专利文献1中,记载了一种将导电部接合在陶瓷基板上的半导体装置,该半导体装置的导电部上连接有铝线和引线构件。【先行技术文献】【专利文献】特开2006-32617号公报在与上述半导体装置相连接的外部装置上所产生的热量有时会通过引线构件传播至半导体装置的内部。此情况下,发热电子部件的温度就会升高,从而就有可能成为半导体装置故障的原因。在专利文献1中,引线构件与岛(land)部(导电部)相连接,从而将来自于外部装置的一部分热量通过绝缘基板释放至散热基板处。然而,由于焊锡脚部需要同时与金属线(Wire)和引线构件相连接,因此就会导岛部的面积变大,进而导致半导体装置大型化,这样一来,半导体装置的低成本化就变得非常困难。本专利技术的目的,是提供一种半导体装置,其能够在谋求半导体装置低成本化的同时,将从外部装置传播至半导体装置内部的热量高效地散热至散热体。
技术实现思路
本专利技术的一种半导体装置,被安装在散热体上,其特征在于,包括:发热电子部件,具有第一主电极以及第二主电极;封装部,用于封装所述发热电子部件;第一引线构件,具有:被所述封装部封装的第一内引线部、以及从所述封装部露出的第一外引线部;以及第二引线构件,与所述第二主电极电气连接,并且具有:被所述封装部封装的第二内引线部、以及从所述封装部露出的第二外引线部,其中,所述第一内引线部具有:将从所述第一外引线部传播的热量释放至所述散热体的散热端部;以及位于所述散热端部与所述第一外引线部之间并且与所述发热电子部件的所述第一主电极电气连接的电气连接部。另外,在所述半导体装置中,可以进一步包括:绝缘基板,具有:具有第一主面以及与所述第一主面相反一侧的第二主面的绝缘热传导基材、以及形成在所述第一主面上的部件安装岛部,其中,所述第二引线构件的所述第二内引线部与所述部件安装岛部电气连接。另外,在所述半导体装置中,可以是:其中,所述绝缘基板进一步具有形成在所述绝缘热传导基材的所述第一主面上的,并且与所述部件安装岛部电气隔离的孤立岛部,所述第一内引线部的所述散热端部与所述孤立岛部电气连接,所述第一主电极与所述第一内引线部的所述电气连接部在不经由所述孤立岛部的情况下通过金属线电气连接。另外,在所述半导体装置中,可以是:其中,所述绝缘基板进一步具有形成在所述绝缘热传导基材的所述第一主面上的,并且从所述部件安装岛部电气隔离的孤立岛部,所述第一内引线部的所述散热端部与所述孤立岛部电气连接,所述第一主电极与所述第一内引线部的所述电气连接部在不经由所述孤立岛部的情况下通过连接件电气连接。另外,在所述半导体装置中,可以是:其中,所述绝缘基板进一步具有形成在所述绝缘热传导基材的所述第一主面上的,并且从所述部件安装岛部电气隔离的孤立岛部,所述第一内引线部的所述散热端部与所述孤立岛部电气连接,所述第一内引线部具有从所述电气连接部延伸并且与所述发热电子部件的所述第一主电极电气连接的延伸连接部。另外,在所述半导体装置中,可以是:其中,所述第一内引线部的所述散热端部包含从所述封装部露出的露出面。另外,在所述半导体装置中,可以是:其中,所述绝缘基板进一步具有形成在所述绝缘热传导基材的所述第二主面上的露出导电部,所述露出导电部包含从所述封装部露出的,并且与所述散热体相接触的露出面。另外,在所述半导体装置中,可以是:其中,所述第一内引线部的所述散热端部包含从所述封装部露出的露出面,所述第二内引线部具有部件安装部,所述发热电子部件安装在所述部件安装部上从而使所述第二主电极与所述部件安装部电气连接。另外,在所述半导体装置中,可以是:其中,所述部件安装部包含从所述封装部露出的露出面,所述半导体装置进一步包括:绝缘片(sheet),被粘贴在所述封装部上从而将所述第一内引线部的所述散热端部的露出面以及所述部件安装部的露出面覆盖。另外,在所述半导体装置中,可以是:其中,所述第一主电极与所述第一内引线部通过金属线电气连接。另外,在所述半导体装置中,可以是:其中,所述第一主电极与所述第一内引线部通过连接件电气连接。另外,在所述半导体装置中,可以是:其中,所述第一内引线部具有从所述电气连接部延伸并且与所述发热电子部件的所述第一主电极电气连接的延伸连接部。另外,在所述半导体装置中,可以是:其中,所述发热电子部件为进一步具有栅电极的半导体开关元件。另外,在所述半导体装置中,可以是:其中,所述第一主电极以及所述栅电极配置在所述发热电子部件的上端面,所述第二主电极配置在所述发热电子部件的下端面。另外,在所述半导体装置中,可以是:其中,所述第一引线构件以及所述第二引线构件中的一方与电池电气连接,另一方与转向信号灯开关(Turnsignalswitch)电气连接。专利技术效果在本专利技术中,第一内引线部具有:将从第一外引线部传播的热量释放至散热体的散热端部、以及位于散热端部与第一外引线部之间并且与发热电子部件的第一主电极电气连接的电气连接部。通过这样,本专利技术就能够在谋求半导体装置低成本化的同时,将从外部装置传播至半导体装置内部的热量高效地散热至散热体。附图说明图1是第一实施方式涉及的半导体装置的透视斜视图。图2是第一实施方式涉及的半导体装置的截面图。图3A是用于说明第一实施方式涉及的半导体装置的制造方法的斜视图。图3B是紧接着图3A的用于说明第一实施方式涉及的半导体装置的制造方法的斜视图。图3C是紧接着图3B的用于说明第一实施方式涉及的半导体装置的制造方法的斜视图。图3D是紧接着图3C的用于说明第一实施方式涉及的半导体装置的制造方法的斜视图。图3E是紧接着图3D的用于说明第一实施方式涉及的半导体装置的制造方法的斜视图。图3F是紧接着图3E的用于说明第一实施方式涉及的半导体装置的制造方法的斜视图。图4是第二实施方式涉及的半导体装置的透视斜视图。图5是第三实施方式涉及的半导体装置的透视斜视图。图6是第四实施方式涉及的半导体装置的截面图。图7是第五实施方式涉及的半导体装置的透视斜视图。图8是第五实施方式涉及的半导体装置的截面图。<本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种半导体装置,被安装在散热体上,其特征在于,包括:/n发热电子部件,具有第一主电极以及第二主电极;/n封装部,用于封装所述发热电子部件;/n第一引线构件,具有:被所述封装部封装的第一内引线部、以及从所述封装部露出的第一外引线部;以及/n第二引线构件,与所述第二主电极电气连接,并且具有:被所述封装部封装的第二内引线部、以及从所述封装部露出的第二外引线部,/n其中,所述第一内引线部具有:将从所述第一外引线部传播的热量释放至所述散热体的散热端部;/n以及位于所述散热端部与所述第一外引线部之间并且与所述发热电子部件的所述第一主电极电气连接的电气连接部。/n

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种半导体装置,被安装在散热体上,其特征在于,包括:
发热电子部件,具有第一主电极以及第二主电极;
封装部,用于封装所述发热电子部件;
第一引线构件,具有:被所述封装部封装的第一内引线部、以及从所述封装部露出的第一外引线部;以及
第二引线构件,与所述第二主电极电气连接,并且具有:被所述封装部封装的第二内引线部、以及从所述封装部露出的第二外引线部,
其中,所述第一内引线部具有:将从所述第一外引线部传播的热量释放至所述散热体的散热端部;
以及位于所述散热端部与所述第一外引线部之间并且与所述发热电子部件的所述第一主电极电气连接的电气连接部。


2.根据权利要求1所述的半导体装置,其特征在于,进一步包括:
绝缘基板,具有:具有第一主面以及与所述第一主面相反一侧的第二主面的绝缘热传导基材、以及形成在所述第一主面上的部件安装岛部,
其中,所述第二引线构件的所述第二内引线部与所述部件安装岛部电气连接。


3.根据权利要求2所述的半导体装置,其特征在于:
其中,所述绝缘基板进一步具有形成在所述绝缘热传导基材的所述第一主面上的,并且从所述部件安装岛部电气隔离的孤立岛部,
所述第一内引线部的所述散热端部与所述孤立岛部电气连接,
所述第一主电极与所述第一内引线部的所述电气连接部在不经由所述孤立岛部的情况下通过金属线电气连接。


4.根据权利要求2所述的半导体装置,其特征在于:
其中,所述绝缘基板进一步具有形成在所述绝缘热传导基材的所述第一主面上的,并且从所述部件安装岛部电气隔离的孤立岛部,
所述第一内引线部的所述散热端部与所述孤立岛部电气连接,
所述第一主电极与所述第一内引线部的所述电气连接部在不经由所述孤立岛部的情况下通过连接件电气连接。


5.根据权利要求2所述的半导体装置,其特征在于:
其中,所述绝缘基板进一步具有形成在所述绝缘热传导基材的所述第一主面上的,并且从所述部件安装岛部电气隔离的孤立岛部,
所述第一内引线部的所述散热端部与所述孤立岛部电气连接,
所述第一内引线部具有从所述电气连接部延伸并且与所述发热电子部件的所述第一主...

【专利技术属性】
技术研发人员:佐佐木光政
申请(专利权)人:新电元工业株式会社
类型:发明
国别省市:日本;JP

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