具有双重型等离子体排出部的等离子体装置制造方法及图纸

本发明专利技术公开具有双重型等离子体排出部的等离子体装置，包括：板形态的中心电极；板形态的电介质，以覆盖上述中心电极的两面的方式层叠于上述中心电极；板形态的第一外侧电极及板形态的第二外侧电极，上述第一外侧电极以与上述电介质平行的方式配置，上述第一外侧电极的整个一面或一面的一部分以与上述电介质隔开的方式与上述电介质相向，上述第二外侧电极隔着上述电介质与上述第一外侧电极相对称，以与上述电介质平行的方式配置，上述第二外侧电极的整个一面或一面的一部分与上述电介质相向；供电装置，用于向上述中心电极输入高电压；以及至少一个气体注入部，用于向上述各个外侧电极与上述电介质之间的隔开空间注入等离子体源气体。

Plasma device with double discharge

【技术实现步骤摘要】
具有双重型等离子体排出部的等离子体装置
本专利技术涉及等离子体装置，更加详细地，涉及可生成及排出相互平行的2个线性等离子体的等离子体装置。
技术介绍
作为处理基板表面的方法，例如，从基板的表面去除有机物质等污染物，去除抗蚀剂(resist)，提高有机膜的粘结、表面变形、膜的形成，还原金属氧化物或清洗液晶用玻璃基板等方法大致包括利用化学药品的方法以及利用等离子体的方法。其中，利用化学药品的方法存在化学药品对环境产生恶劣影响的缺点。作为利用等离子体的表面处理方法的一例，可举出利用低温、低压状态的等离子体的方法。利用低温、低压等离子体的表面处理方法中，通过在低温、低压的真空槽内发生等离子体来使等离子体与基板的表面相接触，从而处理基板表面。这种利用低温、低压状态的等离子体的表面处理方法尽管具有优异的清洗效果，但实际未被广泛利用，其原因在于，上述方法需要由真空装置来维持低压，因此，难以适用于在大气压状态下执行的连续工序。由此，近年来积极地进行着所要通过在大气压状态下发生等离子体来利用于表面处理的研究。作为一例，作为在大气压状态下发生等离子体的等离子体装置，利用如下方法，即，在向等离子体发生空间的外部引导从等离子体发生空间生成的等离子体之后，使上述等离子体与基板相接触来处理基板表面的方法。图1示出现有大气压等离子体装置的一例。图1所示的大气压等离子体装置包括：2个平板电极101a、101b，平行配置，通过绝缘体106a、106b绝缘；处理气体流入口103，形成于设置在上述2个电极101a、101b之间的等离子体发生空间102的一侧面；以及排出口104，形成于等离子体发生空间的另一侧面。使处理气体通过形成于等离子体发生空间的一侧面的流入口103向等离子体发生空间102流入，所流入的处理气体通过向电极101a、101b供给的交流电压被转换为等离子体，所生成的等离子体以及未转换为等离子体的处理气体通过形成于等离子体发生空间102的一侧面的排出口104被引导到等离子体发生空间102的外部，并与基板105的表面相接触来处理基板105的表面。但是，在图1所示的现有的大气压等离子体装置中，等离子体及未转换为等离子体的处理气体的排出口104形成于等离子体发生空间的一侧面，从而存在所要处理的宽度W受到限制的缺点，因而存在基板的表面处理性能下降的问题。在所要加宽处理宽度W的情况下，存在被输入的交流电压急剧上升的问题。图2示出现有的大气压等离子体装置的另一例。图2所示的大气压等离子体装置包括：平板式上部电极301a及平板式下部电极301b；等离子体发生空间302，形成于两个电极301a、301b之间；绝缘体303a、303b，用于使上述两个电极301a、301b绝缘；散热器304a、304b，用于降低电极301a、301b的表面温度；流入口305a、305b，用于向等离子体发生部300导入处理气体；以及排出口306a、306b、306c、306d、306e，形成于上述下部电极301b，用于向等离子体发生空间302的外部引导从等离子体发生空间302生成的等离子体以及未转换为等离子体的处理气体，在下部电极301a的下部设置有所要处理的基板308。上述上部电极301a与交流电源307相连接，下部电极301b接地。包括上述电极结构的表面处理装置可以使可转换为等离子体的电极的有效面积设计得更宽，由于使用具有排出口的电极板，因此可以实现具有更宽的处理面积的设计，但是，在电极板边缘侧的排出口306a、306e和中心部侧的排出口306c，处理气体的流速可能存在很大差异，因而不仅难以生成均匀的等离子体，而且各个排出口306a、306b、306c、306d、306e中的处理气体的化学强度也可能发生变化，由此，存在无法均匀地处理基板308的整个表面的问题。
技术实现思路
(一)要解决的技术问题因此，本专利技术所要解决的问题在于，提供如下的等离子体装置，即，通过向生成等离子体的等离子体排出通道内均匀地供给等离子体源气体，从而可生成及排出均匀的线性等离子体。作为另一目的，提供能够以双重型排出上述线性等离子体的等离子体装置。(二)技术方案一种具有双重型等离子体排出部的等离子体装置，其特征在于，包括：板形态的中心电极；第一电介质层及第二电介质层，层叠于上述中心电极的两面；板形态的第一外侧电极及板形态的第二外侧电极，上述第一外侧电极以与上述第一电介质层平行地隔开配置，与上述第一电介质层相向，以在一侧形成中心电极的长度方向的排出口，上述第二外侧电极隔着上述中心电极与上述第一外侧电极相对称，与上述第二电介质层相向，以与上述第二电介质层平行地隔开配置；气体注入部，用于向上述第一外侧电极及第二外侧电极与第一电介质层及第二电介质层之间的隔开空间注入等离子体源气体；以及供电装置，用于向上述中心电极与上述第一外侧电极及第二外侧电极之间输入电压，以在上述隔开空间产生等离子体。在一实施例中,在上述第一外侧电极与电介质之间的隔开空间形成通过生成第一等离子体来沿着上述第一外侧电极的纵向排出上述第一等离子体的第一等离子体排出通道，在上述第二外侧电极与电介质之间的隔开空间形成通过生成第二等离子体来沿着上述第二外侧电极的纵向排出上述第二等离子体的第二等离子体排出通道。在一实施例中,上述气体注入部包括：第一气体引导通道，以与上述第一外侧电极的横向平行的方式延伸，以与上述第一等离子体排出通道的顶部相邻的方式配置；第一通道间连接孔，从上述第一气体引导通道朝向上述第一等离子体排出通道延伸来以能够使流体导流的方式与上述第一等离子体排出通道及上述第一气体引导通道相连接；第二气体引导通道，以与上述第二外侧电极的横向平行的方式延伸，以与上述第二等离子体排出通道的顶部相邻的方式配置；以及第二通道间连接孔，从上述第二气体引导通道朝向上述第二等离子体排出通道延伸来以能够使流体导流的方式与上述第二等离子体排出通道及上述第二气体引导通道相连接。在一实施例中,述的具有双重型等离子体排出部的等离子体装置，其特征在于，还包括：第一气体滞留空间，从与上述第一外侧电极的上述电介质相向的一面朝向上述第一气体引导通道方向凹陷，并以能够使流体导流的方式与上述第一等离子体排出通道及第一通道间连接孔相连接；以及第二气体滞留空间，从与上述第二外侧电极的上述电介质相向的一面朝向上述第二气体引导通道方向凹陷，并以能够使流体导流的方式与上述第二等离子体排出通道及第二通道间连接孔相连接。在一实施例中,向上述第一等离子体排出通道及第二等离子体排出通道注入互不相同的等离子体源气体。在一实施例中,述的具有双重型等离子体排出部的等离子体装置，其特征在于，还包括：第一冷却水循环通道，通过贯通与相向于上述第一外侧电极的上述电介质的一面垂直的一面来设置，用于使冷却流体朝向被注入并进行流动的第一方向及作为上述第一方向的反方向的第二方向循环；以及第二冷却水循环通道，通过贯通与相向于上述第二外侧电极的上述电介质的一面垂直的一面来设置，用于使冷却流本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种具有双重型等离子体排出部的等离子体装置，其特征在于，包括：/n板形态的中心电极；/n第一电介质层及第二电介质层，层叠于上述中心电极的两面；/n板形态的第一外侧电极及板形态的第二外侧电极，上述第一外侧电极以与上述第一电介质层平行地隔开配置，与上述第一电介质层相向，以在一侧形成中心电极的长度方向的排出口，上述第二外侧电极隔着上述中心电极与上述第一外侧电极相对称，与上述第二电介质层相向，以与上述第二电介质层平行地隔开配置；/n气体注入部，用于向上述第一外侧电极及第二外侧电极与第一电介质层及第二电介质层之间的隔开空间注入等离子体源气体；以及/n供电装置，用于向上述中心电极与上述第一外侧电极及第二外侧电极之间输入电压，以在上述隔开空间产生等离子体。/n

【技术特征摘要】
1.一种具有双重型等离子体排出部的等离子体装置，其特征在于，包括：
板形态的中心电极；
第一电介质层及第二电介质层，层叠于上述中心电极的两面；
板形态的第一外侧电极及板形态的第二外侧电极，上述第一外侧电极以与上述第一电介质层平行地隔开配置，与上述第一电介质层相向，以在一侧形成中心电极的长度方向的排出口，上述第二外侧电极隔着上述中心电极与上述第一外侧电极相对称，与上述第二电介质层相向，以与上述第二电介质层平行地隔开配置；
气体注入部，用于向上述第一外侧电极及第二外侧电极与第一电介质层及第二电介质层之间的隔开空间注入等离子体源气体；以及
供电装置，用于向上述中心电极与上述第一外侧电极及第二外侧电极之间输入电压，以在上述隔开空间产生等离子体。


2.根据权利要求1所述的具有双重型等离子体排出部的等离子体装置，其特征在于，
在上述第一外侧电极与电介质之间的隔开空间形成通过生成第一等离子体来沿着上述第一外侧电极的纵向排出上述第一等离子体的第一等离子体排出通道，
在上述第二外侧电极与电介质之间的隔开空间形成通过生成第二等离子体来沿着上述第二外侧电极的纵向排出上述第二等离子体的第二等离子体排出通道。


3.根据权利要求2所述的具有双重型等离子体排出部的等离子体装置，其特征在于，上述气体注入部包括：
第一气体引导通道，以与上述第一外侧电极的横向平行的方式延伸，以与上述第一等离子体排出通道的顶部相邻的方式配置；
第一通道间连接孔，从上述第一气体引导通道朝向上述第一等离子体排出通道延伸来以能够使流体导流的方式与上述第一等离子体排出通道及...

【专利技术属性】
技术研发人员：石东篡，卢泰协，郑熔镐，崔荣燮，柳承烈，
申请(专利权)人：韩国基础科学支援研究院，
类型：发明
国别省市：韩国;KR