以螺双吖啶为核的空穴传输材料及有机发光二极管制造技术

本发明专利技术公开一种以螺双吖啶为核的空穴传输材料，其具有如通式(I)的结构，并具有合适最高占据分子轨域的能级和最低未占分子轨域的能级的迁移率。再者，本发明专利技术公开一种有机发光二极管，其包括一阳极；一阴极；以及位于所述阳极与所述阴极之间的一发光结构，其中所述发光结构具有如通式(I)所示的以螺双吖啶为核的空穴传输材料。

Hole transport materials and organic light emitting diodes with spirodiacridine as core

【技术实现步骤摘要】
以螺双吖啶为核的空穴传输材料及有机发光二极管
本专利技术是有关于一种有机发光材料
，特别是有关于一种以螺双吖啶为核的空穴传输材料以及使用所述以螺双吖啶为核的空穴传输材料所制备的有机发光二极管。
技术介绍
有机发光二极管(organiclight-emittingdiodes,OLEDs)在固态照明及平板显示等领域具有广阔的应用前景，而发光客体材料是影响有机发光二极管的发光效率的主要因素。在早期，有机发光二极管使用的发光客体材料为荧光材料，其在有机发光二极管中的单重态和三重态的激子比例为1:3，因此在理论上有机发光二极管的内量子效率(internalquantumefficiency,IQE)只能达到25％，使荧光电致发光器件的应用受到限制。再者，重金属配合物磷光发光材料由于重原子的自旋轨道耦合作用，而能够同时利用单重态和三重态激子，进而达到100％的内量子效率。然而，通常重金属配合物磷光发光材料所使用的重金属都是铱(Ir)或铂(Pt)等贵重金属，并且重金属配合物磷光发光材料在蓝光材料方面尚有待改良。对于目前使用的顶发射有机发光二极管中，空穴传输材料作为最厚的一层，其能级以及空穴迁移率一直存在矛盾的关系。然而，目前具备匹配能级以及高空穴迁移率的空穴传输材料还是比较缺乏的。因此，有必要提供一种新颖空穴传输材料，以解决现有技术所存在的问题。
技术实现思路
有鉴于此，本专利技术提供一种以螺双吖啶为核的空穴传输材料，其具有结构式如下:其中R1选自以及r>其中R2选自在本专利技术的一实施例中，所述以螺双吖啶为核的空穴传输材料的结构式为：在本专利技术的一实施例中，所述以螺双吖啶为核的空穴传输材料为:，是通过下述合成路线合成出：在本专利技术的另一实施例中，所述以螺双吖啶为核的空穴传输材料为：，是通过下述合成路线合成出：在本专利技术的又一实施例中，所述以螺双吖啶为核的空穴传输材料为：，是通过下述合成路线合成出：本专利技术另一实施例提供一种有机发光二极管，所述有机发光二极管中的空穴传输层的材料为前述的以螺双吖啶为核的空穴传输材料。所述有机发光二极管中还包括一阳极；一阴极；以及位于所述阳极与所述阴极之间的一发光结构，其中所述发光结构包括前述的以螺双吖啶为核的空穴传输材料。所述发光结构包括依序形成的一空穴注入层、所述空穴传输层、一电子阻挡层、一发光层、一空穴阻挡层、一电子传输层及一电子注入层。相较于先前技术，本专利技术通过在螺双吖啶作为核的结构基础上，搭配不同官能团合成了具有合适最高占据分子轨域(highestoccupiedmolecularorbital，HOMO)的能级和最低未占分子轨域(lowestunoccupiedmolecularorbital，LUMO)的能级的迁移率的以螺双吖啶为核的空穴传输材料，其具有有效增加发光结构的发光效率的作用，合成路线亦具有提高的材料合成效率，进而有利于实现长寿命、高效率的有机发光二极管的制备。附图说明图1是本专利技术实施例的有机发光二极管的示意图。具体实施方式因应高性能空穴传输材料的迫切需求，本专利技术通过在螺双吖啶作为核的结构基础上，搭配不同官能团合成了具有合适最高占据分子轨域(highestoccupiedmolecularorbital，HOMO)的能级和最低未占分子轨域(lowestunoccupiedmolecularorbital，LUMO)的能级的迁移率的以螺双吖啶为核的空穴传输材料，其具有有效增加发光结构的发光效率的作用，合成路线亦具有提高的材料合成效率，进而有利于实现长寿命、高效率的有机发光二极管的制备为了达到上述效果，本专利技术提供的的以螺双吖啶为核的空穴传输材料，具有结构式如下:其中R1选自以及其中R2选自在本专利技术的一实施例中，所述以螺双吖啶为核的空穴传输材料的结构式为：以下结合实施例和附图来对本专利技术作进一步的详细说明，其目的在于帮助更好的理解本专利技术的内容，但本专利技术的保护围不仅限于这些实施例。实施例1：制备结构式如下的以螺双吖啶为核的空穴传输材料，合成路线如下所示：化合物1的合成首先，向250mL二口瓶中加入原料1(3.82g，5mmol)，二苯胺(1.01g，6mmol)，醋酸钯(0.09g，0.4mmol)和三叔丁基膦四氟硼酸盐(0.34g，1.2mmol)。然后，将二口瓶放到手套箱中，加入NaOt-Bu(1.17g，12mmol)。接着，在氩气氛围下打入100mL事先除水除氧的甲苯(toluene)，在120℃反应24小时，冷却至室温后获得反应液。随后，导入反应液至200mL冰水中，用二氯甲烷萃取三次，合并每次萃取取得的有机相，合并有机相，旋成硅胶，并用柱层析法(二氯甲烷:正己烷，v:v，1:3)分离纯化，最终获得化合物1(白色粉末)3.1g，产率73％。MS(EI)m/z:[M]+:853.35。实施例2：制备结构式如下的空穴传输材料，合成路线如下所示：化合物2的合成首先，向250mL二口瓶中加入原料1(3.82g，5mmol)，咔唑(1.00g，6mmol)，醋酸钯(0.09g，0.4mmol)和三叔丁基膦四氟硼酸盐(0.34g，1.2mmol)。然后，将二口瓶放到手套箱中，加入NaOt-Bu(1.17g，12mmol)。接着，在氩气氛围下打入100mL事先除水除氧的甲苯，在120℃反应24小时，冷却至室温后获得反应液。随后，导入反应液至200mL冰水中，用二氯甲烷萃取三次，合并每次萃取取得的有机相，合并有机相，旋成硅胶，并用柱层析法(二氯甲烷:正己烷，v:v，1:3)进行分离纯化，最终获得化合物2(得白色粉末)2.6g，产率61％。MS(EI)m/z:[M]+:851.29。实施例3：制备结构式如下的空穴传输材料，合成路线如下所示：化合物3的合成首先，向250mL二口瓶中加入加入原料1(3.82g，5mmol)，吩恶嗪(1.10g，6mmol)，醋酸钯(0.09g，0.4mmol)和三叔丁基膦四氟硼酸盐(0.34g，1.2mmol)。然后，将二口瓶放到手套箱中，加入NaOt-Bu(1.17g，12mmol)。接着，在氩气氛围下打入100mL事先除水除氧的甲苯，在120℃反应24小时，冷却至室温后获得反应液。随后，导入反应液至200mL冰水中，用二氯甲烷萃取三次，合并每次萃取取得的有机相，合并有机相，旋成硅胶，并用柱层析法(二氯甲烷:正己烷，v:v，1:3)进行分离纯化，最终获得化合物3(白色粉末)2.4g，产率55％。MS(EI)m/z:[M]+:867.29。化合物1-3的物理特本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种以螺双吖啶为核的空穴传输材料，其特征在于，所述空穴传输材料的结构式如下:/n

【技术特征摘要】
1.一种以螺双吖啶为核的空穴传输材料，其特征在于，所述空穴传输材料的结构式如下:



其中R1选自


以及
其中R2选自






2.根据权利要求1所述的以螺双吖啶为核的空穴传输材料，其特征在于，所述空穴传输材料的结构式为：








3.根据权利要求2所述的以螺双吖啶为核的空穴传输材料，其特征在于，所述空穴传输材料为:

，
是通过下述合成路线合成出：





4.根据权利要求2所述的以螺双吖啶为核的空穴传输材料，其特征在于，所述空穴传输材料为：

，
是通过下述合成路线合成出：

【专利技术属性】
技术研发人员：罗佳佳，
申请(专利权)人：武汉华星光电半导体显示技术有限公司，
类型：发明
国别省市：湖北;42