显示面板制造技术

技术编号:23603809 阅读:63 留言:0更新日期:2020-03-28 05:08
本发明专利技术公开一种显示面板,包括第一基底、主动元件、第一绝缘层、像素电极、共享电极、第二绝缘层、第二基底、间隙物及显示介质。主动元件设置于第一基底上。第一绝缘层设置于主动元件上。像素电极、共享电极及第二绝缘层设置于第一绝缘层上。第二绝缘层设置于像素电极与共享电极之间。第二绝缘层具有第一表面和侧面。第一表面与侧面相连接以定义第二绝缘层的凹陷。第二基底设置于第一基底的对向。间隙物设置于第二基底上。间隙物于第一基底上的垂直投影与第二绝缘层的凹陷于第一基底上的垂直投影重叠。本发明专利技术的显示面板,性能佳。

Display panel

【技术实现步骤摘要】
显示面板
本专利技术涉及一种显示面板,且特别是有关于一种包括间隙物的显示面板。
技术介绍
随着显示科技的发展,显示面板已大量被运用在各式电子装置中,例如:手机、平板计算机、笔记本电脑、电视等。为使电子装置具有薄型化的外观,显示面板的厚度也须减薄。一般而言,将主动元件基板与对向基板组立后,会进行薄化工序,以减薄主动元件基板的基底与对向基板的基底。然而,基底被薄化后,基底的刚性降低,显示面板易受重力的影响而弯曲,造成主动元件基板与对向基板的偏移。当主动元件基板与对向基板偏移时,对向基板的间隙物偏离原位置而刮伤主动元件基板的显示区上的配向膜,因而产生亮点缺陷。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种显示面板,性能佳。为实现上述目的,本专利技术一实施例提供的显示面板,包括第一基底、主动元件、第一绝缘层、像素电极、共享电极、第二绝缘层、第二基底、间隙物以及显示介质。主动元件设置于第一基底上。第一绝缘层设置于主动元件上。像素电极、共享电极及第二绝缘层设置于第一绝缘层上。像素电极电性连接至主动元件。第二绝缘层设置于像素电极与共享电极之间。第二绝缘层具有第一表面和侧面。第一表面与侧面相连接以定义第二绝缘层的凹陷。第二基底设置于第一基底的对向。间隙物设置于第二基底上。间隙物于第一基底上的垂直投影与第二绝缘层的凹陷于第一基底上的垂直投影重叠。显示介质设置于第一基底与第二基底之间。其中,该间隙物伸入该第二绝缘层的该凹陷中。其中,更包括:一导电图案,设置于该第一绝缘层与该第二绝缘层之间;其中该导电图案于该第一基底上的垂直投影与第二绝缘层的该凹陷于该第一基底上的垂直投影重叠。其中,更包括:一凸起物,设置于该第二绝缘层的该凹陷中,其中该间隙物与该凸起物互相抵顶。其中,该凸起物具有一高度H,该第二绝缘层的该凹陷具有一深度D,且H>D。其中,该凸起物具有一高度H,该第二绝缘层的该凹陷具有一深度D,该显示介质具有一厚度G,且本专利技术一实施例提供显示面板,包括第一基底、主动元件、像素电极、绝缘层、凸起物、第二基底、间隙物以及显示介质。主动元件设置于第一基底上。像素电极设置于第一基底上,且电性连接至主动元件。绝缘层设置于第一基底上。绝缘层具有第一表面和侧面,且第一表面与侧面相连接以定义绝缘层的凹陷。凸起物设置于绝缘层的凹陷中。第二基底设置于第一基底的对向。间隙物设置于第二基底上,其中间隙物与凸起物互相抵顶。显示介质设置于第一基底与第二基底之间。其中,该凸起物具有一高度H,该绝缘层的该凹陷具有一深度D,且H>D。其中,该凸起物具有一高度H,该绝缘层的该凹陷具有一深度D,该显示介质具有一厚度G,且为让本专利技术的上述特征和优点能更明显易懂,下文特举实施例,并配合所附图式作详细说明如下,但不作为对本专利技术的限定。附图说明图1为本专利技术第一实施例的显示面板的剖面示意图。图2为本专利技术第二实施例的显示面板的剖面示意图。图3为本专利技术第三实施例的显示面板的剖面示意图。其中,附图标记:10、10A、10B:显示面板100:主动元件基板110:第一基底120:闸极130:半导体图案141:源极142:汲极150、160、180:绝缘层182:凹陷182a:第一表面182b:侧面170:共享电极172:导电图案190:像素电极192:狭缝194:凸起物200:对向基板210:第二基底220:遮光图案230:彩色滤光层240:间隙物300:显示介质D:深度GI:闸绝缘层H:高度T:主动元件具体实施方式现将详细地参考本专利技术的示范性实施例,示范性实施例的实例说明于附图中。只要有可能,相同元件符号在图式和描述中用来表示相同或相似部分。应当理解,当诸如层、膜、区域或基板的元件被称为在另一元件“上”或“连接到”另一元件时,其可以直接在另一元件上或与另一元件连接,或者中间元件可以也存在。相反,当元件被称为“直接在另一元件上”或“直接连接到”另一元件时,不存在中间元件。如本文所使用的,“连接”可以指物理及/或电性连接。再者,“电性连接”或“耦合”可为二元件间存在其它元件。本文使用的“约”、“近似”、或“实质上”包括所述值和在本领域普通技术人员确定的特定值的可接受的偏差范围内的平均值,考虑到所讨论的测量和与测量相关的误差的特定数量(即,测量系统的限制)。例如,“约”可以表示在所述值的一个或多个标准偏差内,或±30%、±20%、±10%、±5%内。再者,本文使用的“约”、“近似”或“实质上”可依光学性质、蚀刻性质或其它性质,来选择较可接受的偏差范围或标准偏差,而可不用一个标准偏差适用全部性质。除非另有定义,本文使用的所有术语(包括技术和科学术语)具有与本专利技术所属领域的普通技术人员通常理解的相同的含义。将进一步理解的是,诸如在通常使用的字典中定义的那些术语应当被解释为具有与它们在相关技术和本专利技术的上下文中的含义一致的含义,并且将不被解释为理想化的或过度正式的意义,除非本文中明确地这样定义。图1为本专利技术第一实施例的显示面板的剖面示意图。请参照图1,显示面板10包括主动元件基板100、相对于主动元件基板100的对向基板200以及设置于主动元件基板100与对向基板200之间的显示介质300。显示介质300设置于主动元件基板100的第一基底110与对向基板200的第二基底210之间。举例而言,在本实施例中,显示介质300是液晶,但本专利技术不以此为限。主动元件基板100包括第一基底110。第一基底110主要是用来承载主动元件基板100的元件之用,其材质可为玻璃、石英、有机聚合物、或是不透光/反射材料(例如:导电材料、晶圆、陶瓷、或其它可适用的材料)、或是其它可适用的材料。主动元件基板100包括主动元件T,设置于第一基底110上。主动元件T包括薄膜晶体管。薄膜晶体管具有闸极120、半导体图案130、设置于闸极120与半导体图案130之间的闸绝缘层GI以及分别与半导体图案130的不同两区电性连接的源极141与汲极142。在本实施例中,闸极120位于半导体图案130的下方,而薄膜晶体管可以是底部闸极型晶体管。然而,本专利技术不以此为限,根据其它实施例,薄膜晶体管也可以是顶部闸极型或其它适当型式的晶体管。主动元件基板100包括绝缘层150,设置于主动元件T上。主动元件基板100还包括绝缘层160,设置于绝缘层150上。在本实施例中,绝缘层150、160的材料可以是无机材料(例如:氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、或上述至少二种材料的堆栈层)、有机材料或上述的组合。主动元件基板100包括像素电极190、共享电极170及绝缘层180,设置于绝缘层160上。绝缘层180设置于像素电极190与共享电极170之间。像本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种显示面板,其特征在于,包括:/n一第一基底;/n一主动元件,设置于该第一基底上;/n一第一绝缘层,设置于该主动元件上;/n一像素电极、一共享电极及一第二绝缘层,设置于该第一绝缘层上,其中该像素电极电性连接至该主动元件,该第二绝缘层设置于该像素电极与该共享电极之间,该第二绝缘层具有一第一表面和一侧面,且该第一表面与该侧面相连接以定义该第二绝缘层的一凹陷;/n一第二基底,设置于该第一基底的对向;/n一间隙物,设置于该第二基底上,其中该间隙物于该第一基底上的垂直投影与该第二绝缘层的该凹陷于该第一基底上的垂直投影重叠;以及/n一显示介质,设置于该第一基底与该第二基底之间。/n

【技术特征摘要】
20190507 TW 1081157091.一种显示面板,其特征在于,包括:
一第一基底;
一主动元件,设置于该第一基底上;
一第一绝缘层,设置于该主动元件上;
一像素电极、一共享电极及一第二绝缘层,设置于该第一绝缘层上,其中该像素电极电性连接至该主动元件,该第二绝缘层设置于该像素电极与该共享电极之间,该第二绝缘层具有一第一表面和一侧面,且该第一表面与该侧面相连接以定义该第二绝缘层的一凹陷;
一第二基底,设置于该第一基底的对向;
一间隙物,设置于该第二基底上,其中该间隙物于该第一基底上的垂直投影与该第二绝缘层的该凹陷于该第一基底上的垂直投影重叠;以及
一显示介质,设置于该第一基底与该第二基底之间。


2.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,该间隙物伸入该第二绝缘层的该凹陷中。


3.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,更包括:
一导电图案,设置于该第一绝缘层与该第二绝缘层之间;
其中该导电图案于该第一基底上的垂直投影与第二绝缘层的该凹陷于该第一基底上的垂直投影重叠。


4.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,更包括:
一凸起物,设置于该第二绝缘层的...

【专利技术属性】
技术研发人员:陈逸祺童腾赋李铭轩邱冠焴
申请(专利权)人:友达光电股份有限公司
类型:发明
国别省市:中国台湾;71

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