稠环芳基化合物、电子器件及其应用制造技术

本发明专利技术提供一种稠环芳基化合物、电子器件及其应用，所述稠环芳基化合物，具有式(I)所示的结构，

Condensed aromatic compounds, electronic devices and their applications

【技术实现步骤摘要】
稠环芳基化合物、电子器件及其应用
本专利技术涉及光电材料
，具体涉及一种稠环芳基化合物、、电子器件及其应用。
技术介绍
有机电致发光器件(organiclight-emittingdiodes，OLED)与无机电致发光器件(electroluminescencedevice，ELD)相比，具有亮度高、响应快、视角宽、工艺简单、颜色纯度高、可实现由蓝光到红光区的全彩色显示、可柔性等优点，在显示和照明领域具有广泛的应用前景，越来越受到人们的重视。现有技术中的OLED器件通常包含空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层，并搭配合适的电极，以上各层分别由以下材料构成：空穴注入材料、空穴传输材料、发光材料、电子传输材料、电子注入材料。OLED器件在通电的情况下，空穴从阳极进入器件后穿过空穴注入层和空穴传输层，电子从阴极进入器件后穿过电子注入层和电子传输层，当空穴与电子在发光层结合时，激发发光材料而发光。因此，对于OLED器件来说，电荷的注入和传输是将电能转化为光的第一步，这一过程对器件的开启电压、发光效率及寿命都起到至关重要的作用。提高载流子的浓度和迁移率可以有效的提升电荷的注入和传输效率，进而降低器件的开启电压，提高发光效率及寿命。在空穴传输层方面，通过在空穴传输材料中掺入空穴性质的小分子，即空穴注入层材料(P掺杂材料)，可以有效提升空穴的浓度，提升空穴的传输效率。如果将电子从空穴传输材料的HOMO能级移到掺杂剂的LUMO能级，形成空穴，称之为P型掺杂，所述掺杂剂即为P掺杂材料。OLED器件常用的空穴传输材料为N,N'-二苯基-N,N'-(1-萘基)-1,1'-联苯-4,4'-二胺(NPB)，现有技术中使用的P掺杂材料虽拥有低LUMO能级，使之可以和NPB的HOMO能级匹配，但仍具有系列缺点，尤其是使用寿命方面的缺陷，严重影响材料的商业化运用。
技术实现思路
因此，本专利技术要解决的技术问题在于克服现有技术中P掺杂材料寿命短的缺陷，从而提供一种稠环芳基化合物。本专利技术要解决的另一个技术问题在于提供一种电子器件。本专利技术要解决的另一个技术问题在于提供一种电子器件的应用。为此,本专利技术提供一种一种稠环芳基化合物，具有式(I)所示的结构，其中，n为1或2，R1、R2与环B以单键或双键连接，R1-R6为吸电子基团。进一步地，R1、R2与环B以单键连接，且R1-R6各自独立地选自卤素、氰基、硝基、R7取代或未取代的C1-C10的烷基、R7取代或未取代的C2-C10的烯基、R7取代或未取代的C2-C10的炔基、R7取代或未取代C6-C30的芳基和R7取代或未取代C2-C30的杂芳基所组成的组合；所述R7取代基选自由氘、卤素、氰基、硝基、R8取代或未取代的C1-C4的烷基、R8取代或未取代的C2-C4的烯基、R8取代或未取代的C2-C4的炔基、R8取代或未取代的C6-C20的芳基和R8取代或未取代的C2-C20的杂芳基所组成的组合，所述R8选自由氘、卤素、氰基和硝基所组成的组合。进一步地，R1、R2与环B以双键连接，且为其中两个R1’相同或不同；和/或为其中两个R2’相同或不同，且R1’、R2’各自独立地选自由卤素、氰基、硝基、R7取代或未取代的C1-C10的烷基、R7取代或未取代的C2-C10的烯基、R7取代或未取代的C2-C10的炔基、R7取代或未取代C6-C30的芳基和R7取代或未取代C2-C30的杂芳基所组成的组合，或两个R1’和/或两个R2’分别与其所键合的碳原子一起形成环C，环C为R7取代或未取代C4-C20的环烯基、R7取代或未取代C6-C30的芳基、R7取代或未取代C2-C30的杂芳基；所述R3-R6各自独立地选自由氢、氘、卤素、氰基、硝基、R7取代或未取代的C1-C10的烷基、R7取代或未取代的C2-C10的烯基、R7取代或未取代的C2-C10的炔基、R7取代或未取代C6-C30的芳基和R7取代或未取代C2-C30的杂芳基所组成的组合；所述R7取代基选自由氘、卤素、氰基、硝基、R8取代或未取代的C1-C4的烷基、R8取代或未取代的C2-C4的烯基、R8取代或未取代的C2-C4的炔基、R8取代或未取代的C6-C20的芳基和R8取代或未取代的C2-C20的杂芳基所组成的组合，所述R8选自由氘、卤素、氰基和硝基所组成的组合。进一步地，所述烷基为C1-C4的烷基，所述烯基为C2-C4的烯基，所述炔基为C2-C4的炔基，所述芳基选自由苯基、联苯基、三联苯基、三亚苯基、四亚苯基、萘基、蒽基、萉基、菲基、芴基、芘基、苣基、苝基和薁基所组成的组合，所述杂芳基选自由二苯并噻吩基、二苯并呋喃基、二苯并硒吩基、呋喃基、噻吩基、苯并呋喃基、苯并噻吩基、苯并硒吩基、咔唑基、吲哚咔唑基、吡啶吲哚基、吡啶嘧啶基、吡咯并吡啶基、吡唑基、咪唑基、三唑基、恶唑基、噻唑基、恶二唑基、恶三唑基、二恶唑基、噻二唑基、吡啶基、哒嗪基、嘧啶基、吡嗪基、三嗪基、恶嗪基、恶噻嗪基、恶二嗪基、吲哚基、苯并咪唑基、吲唑基、茚并嗪基、苯并恶唑基、苯并异恶唑基、苯并噻唑基、喹啉基、异喹啉基、噌啉基、喹唑啉基、喹喔啉基、萘啶基、酞嗪基、蝶啶基、呫吨基、吖啶基、吩嗪基、吩噻嗪基、苯并噻吩并吡啶基、噻吩并二吡啶基、苯并噻吩并吡啶基、噻吩并二吡啶基、苯并硒吩并吡啶基、硒苯并二吡啶基、邻菲啰啉基、吡嗪并吡嗪基、噻吩酮基、苯并噻唑基和所组成的组合，其中“*”为连接位置。进一步地，所述化合物具有如下之一所示结构：其中，所述R3-R6、R9-R12各自独立地选自由氘、氟、三氟甲基、氰基、硝基、R13全取代的苯基、R13全取代的吡嗪基、R13全取代的嘧啶基、R13全取代的吡啶基、R13全取代的三嗪基、R13全取代的环戊二烯基、R13全取代的乙烯基、R13全取代的苯甲酮基、R13全取代的和R13全取代的所组成的组合；R3-R6、R9-R12各自被多个R13取代时，R13可以相同也可以不同，且选自由氟、三氟甲基和氰基所组成的组合，其中“*”为连接位置。进一步地，所述化合物具有如下之一所示结构：本专利技术还提供一种电子器件，至少包含空穴注入层、空穴传输层、发光层和电子传输层，所述空穴注入层包括任一种上述所述的化合物。进一步地，所述电子器件选自由有机发光二极管、有机太阳能电池、有机光导体、有机晶体管和照明元件所组成的组合。本专利技术还提供一种电子器件在显示装置或照明装置中的应用。本专利技术技术方案，具有如下优点：1.本专利技术提供的稠环芳基化合物，母核结构为非平面结构(立体结构)，分子间无堆叠，减少由高能激子产生的湮灭，促进阳极将空穴注入空穴传输层，避免焦耳热的产生，避免空穴传输层的分子发生堆栈和结晶，提高器件的寿命；母核为刚性结构，稳定性好，利于提高器件的稳定性；取代基为吸电子基团，使得化合物的LUMO能级在-5.0～-6.0eV，可以作为P-掺杂材料。2.本专利技术提供的稠环芳基化合物，母核结构中不含活性氢，且取代基中也无氢原子本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种稠环芳基化合物，其特征在于，具有式(I)所示的结构，/n

【技术特征摘要】
1.一种稠环芳基化合物，其特征在于，具有式(I)所示的结构，



其中，n为1或2，R1、R2与环B以单键或双键连接，R1-R6为吸电子基团。


2.根据权利要求1所述的稠环芳基化合物，其特征在于，R1、R2与环B以单键连接，且R1-R6各自独立地选自卤素、氰基、硝基、R7取代或未取代的C1-C10的烷基、R7取代或未取代的C2-C10的烯基、R7取代或未取代的C2-C10的炔基、R7取代或未取代C6-C30的芳基和R7取代或未取代C2-C30的杂芳基所组成的组合；
所述R7取代基选自由氘、卤素、氰基、硝基、R8取代或未取代的C1-C4的烷基、R8取代或未取代的C2-C4的烯基、R8取代或未取代的C2-C4的炔基、R8取代或未取代的C6-C20的芳基和R8取代或未取代的C2-C20的杂芳基所组成的组合，所述R8选自由氘、卤素、氰基和硝基所组成的组合。


3.根据权利要求1所述的稠环芳基化合物，其特征在于，R1、R2与环B以双键连接，且为其中两个R1’相同或不同；和/或为其中两个R2’相同或不同，且R1’、R2’各自独立地选自由卤素、氰基、硝基、R7取代或未取代的C1-C10的烷基、R7取代或未取代的C2-C10的烯基、R7取代或未取代的C2-C10的炔基、R7取代或未取代C6-C30的芳基和R7取代或未取代C2-C30的杂芳基所组成的组合，或两个R1’和/或两个R2’分别与其所键合的碳原子一起形成环C，环C为R7取代或未取代C4-C20的环烯基、R7取代或未取代C6-C30的芳基、R7取代或未取代C2-C30的杂芳基；
所述R3-R6各自独立地选自由氢、氘、卤素、氰基、硝基、R7取代或未取代的C1-C10的烷基、R7取代或未取代的C2-C10的烯基、R7取代或未取代的C2-C10的炔基、R7取代或未取代C6-C30的芳基和R7取代或未取代C2-C30的杂芳基所组成的组合；
所述R7取代基选自由氘、卤素、氰基、硝基、R8取代或未取代的C1-C4的烷基、R8取代或未取代的C2-C4的烯基、R8取代或未取代的C2-C4的炔基、R8取代或未取代的C6-C20的芳基和R8取代或未取代的C2-C20的杂芳基所组成的组合，所述R8选自由氘、卤素、氰基和硝基所组成的组合。


4.根据权利要求2或3所述的稠环芳基化合物，其特...

【专利技术属性】
技术研发人员：谢坤山，蔡烨，丁欢达，魏定纬，陈志宽，
申请(专利权)人：宁波卢米蓝新材料有限公司，
类型：发明
国别省市：浙江;33