半导体装置制造方法及图纸

本发明专利技术的实施方式关于半导体装置。实施方式的半导体装置具备：第1半导体层；第2半导体层；第1多层布线层，设置在第1半导体层与第2半导体层之间，具有多个第1导电层；第2多层布线层，设置在第1多层布线层与第2半导体层之间，具有多个第2导电层；第1晶体管，具有第1半导体层中的第1杂质区域；第2晶体管，具有第2半导体层中的第2杂质区域；第1孔，将第1半导体层、第1多层布线层、第2多层布线层及第2半导体层贯通；第2孔，将第1半导体层、第1多层布线层、第2多层布线层及第2半导体层贯通；第1电极，设置在第1多层布线层中；及第2电极，设置在第1多层布线层中，夹着第1孔而与第1电极对置。

Semiconductor device

【技术实现步骤摘要】
半导体装置本申请以日本专利申请2018－173109(申请日：2018年9月14日)为基础主张优先权。本申请通过参照该申请而包含该申请的内容的全部。
本专利技术涉及半导体装置。
技术介绍
在多波束式的电子束描绘装置中，将多个电子束向试样同时照射。为了单独地控制向多个电子束的试样的照射和非照射，使用消隐孔阵列(BlankingApertureArray，BAA)。在BAA的半导体层中，设置有用来使多个电子线束穿过的贯通孔。各个贯通孔具有1对电极，通过在电极间产生的电场，将各个电子束独立地偏转。例如，如果电子束的条数增加，则要求使贯通孔的配置间距变短。但是，如果贯通孔的配置间距变短，则因由相邻的贯通孔的电极产生的电场的影响而电子束的偏转精度变低。
技术实现思路
本专利技术的目的是提供一种使电子束的偏转精度提高的半导体装置。本专利技术的一技术方案的半导体装置具备：第1半导体层；第2半导体层；第1多层布线层，设置在上述第1半导体层与上述第2半导体层之间，具有在从上述第1半导体层朝向上述第2半导体层的第1方向上层叠的多个第1导电层；第2多层布线层，设置在上述第1多层布线层与上述第2半导体层之间，具有在上述第1方向上层叠的多个第2导电层；第1晶体管，具有上述第1半导体层中的第1杂质区域；第2晶体管，具有上述第2半导体层中的第2杂质区域；第1孔，将上述第1半导体层、上述第1多层布线层、上述第2多层布线层及上述第2半导体层贯通；第2孔，将上述第1半导体层、上述第1多层布线层、上述第2多层布线层及上述第2半导体层贯通；第1电极，设置在上述第1多层布线层中；及第2电极，设置在上述第1多层布线层中，夹着上述第1孔而与上述第1电极对置。根据上述结构，提供使电子束的偏转精度提高的半导体装置。附图说明图1是第1实施方式的半导体装置的示意图。图2是第1实施方式的半导体装置的一部分的放大示意剖面图。图3是第1实施方式的半导体装置的制造途中的示意剖面图。图4是第1实施方式的半导体装置的制造途中的示意剖面图。图5是第1实施方式的半导体装置的制造途中的示意剖面图。图6是第1实施方式的半导体装置的制造途中的示意剖面图。图7是第1实施方式的半导体装置的制造途中的示意剖面图。图8是第1实施方式的半导体装置的制造途中的示意剖面图。图9是第1实施方式的半导体装置的作用的说明图。图10是第2实施方式的半导体装置的一部分的放大示意剖面图。标号说明10第1半导体层12第1源极－漏极区域(第1杂质区域)20第2半导体层22第2源极－漏极区域(第2杂质区域)30第1多层布线层31第1导电层32第1栅极电极40第2多层布线层41第2导电层42第2栅极电极100BAA(半导体装置)101a第1贯通孔(第1孔)101b第2贯通孔(第2孔)200BAA(半导体装置)E1第1电极E2第2电极E3第3电极E4第4电极E5第5电极E6第6电极E7第7电极E8第8电极TR1第1晶体管TR2第2晶体管具体实施方式在本说明书中，有对相同或类似的部件赋予相同的标号而省略重复的说明的情况。在本说明书中，为了表示零件等的位置关系，有将附图的上方记为“上”、将附图的下方记为“下”的情况。在本说明书中，“上”“下”的概念未必是表示与重力的朝向的关系的用语。(第1实施方式)第1实施方式的半导体装置具备：第1半导体层；第2半导体层；第1多层布线层，设置在上述第1半导体层与上述第2半导体层之间，具有在从上述第1半导体层朝向上述第2半导体层的第1方向上层叠的多个第1导电层；第2多层布线层，设置在上述第1多层布线层与上述第2半导体层之间，具有在上述第1方向上层叠的多个第2导电层；第1晶体管，具有上述第1半导体层中的第1杂质区域；第2晶体管，具有上述第2半导体层中的第2杂质区域；第1孔，将上述第1半导体层、上述第1多层布线层、上述第2多层布线层及上述第2半导体层贯通；第2孔，将上述第1半导体层、上述第1多层布线层、上述第2多层布线层及上述第2半导体层贯通；第1电极，设置在上述第1多层布线层中；及第2电极，设置在上述第1多层布线层中，夹着上述第1孔而与上述第1电极对置。图1是第1实施方式的半导体装置的示意图。图1(a)是俯视图，图1(b)是剖面图。图1(b)是图1(a)的AA’剖面图。第1实施方式的半导体装置例如是在多波束式的电子束描绘装置中使用的BAA100。多波束式的电子束描绘装置使用多个电子束在试样上描绘图案。BAA100具备将多个电子束各自单独地偏转的功能。例如，通过将BAA100与屏蔽电子束的孔组合，能够将各个电子束向试样的照射和非照射独立地控制。如图1所示，BAA100在中央部具有多个贯通孔101。电子束分别穿过贯通孔101。在图1(a)中，例示了将横11个、纵11个共计121个贯通孔101配置为阵列状的情况。但是，贯通孔101的个数及配置的形状并不限定于上述形态。贯通孔101的直径例如是3μm以上20μm以下。贯通孔101的配置间距例如是20μm以上40μm以下。在BAA100的上表面上设置有电极焊盘102。电极焊盘102为了从外部向BAA100施加电压而设置。电极焊盘102例如电连接在未图示的BAA100的控制电路或偏转控制用的电极上。图2是第1实施方式的半导体装置的一部分的放大示意剖面图。图2包括2个贯通孔101的截面。BAA100具备第1半导体层10、第2半导体层20、第1多层布线层30、第2多层布线层40、第1晶体管TR1、第2晶体管TR2。BAA100具备第1电极E1、第2电极E2、第3电极E3、第4电极E4、第5电极E5、第6电极E6、第7电极E7、第8电极E8。此外，BAA100具有第1贯通孔101a(第1孔)、第2贯通孔101b(第2孔)。第1半导体层10具有p型的第1基板区域11、n+型的第1源极－漏极区域12(第1杂质区域)、p+型的第1接触区域13。第2半导体层20具有p型的第2基板区域21、n+型的第2源极－漏极区域22(第2杂质区域)、p+型的第2接触区域23。第1多层布线层30具有第1导电层31、第1栅极电极32、第1接触插头33、第1连接焊盘34、第1层间绝缘层35。第2多层布线层40具有第2导电层41、第2栅极电极42、第2接触插头43、第2连接焊盘44、第2层间绝缘层45。第1半导体层10例如是单晶硅。p型的第1基板区域11是包含p型杂质的硅。n+型的第1源极－漏极区域12是包含n型杂质的硅。p+型的第1接触区域13是包含p型杂质的硅。第1半导体层10的电位例如是接地电位。p型的第1基板区域11的电位例如是接地电位。第2半本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种半导体装置，其中，/n具备：/n第1半导体层；/n第2半导体层；/n第1多层布线层，设置在上述第1半导体层与上述第2半导体层之间，具有在从上述第1半导体层朝向上述第2半导体层的第1方向上层叠的多个第1导电层；/n第2多层布线层，设置在上述第1多层布线层与上述第2半导体层之间，具有在上述第1方向上层叠的多个第2导电层；/n第1晶体管，具有上述第1半导体层中的第1杂质区域；/n第2晶体管，具有上述第2半导体层中的第2杂质区域；/n第1孔，将上述第1半导体层、上述第1多层布线层、上述第2多层布线层及上述第2半导体层贯通；/n第2孔，将上述第1半导体层、上述第1多层布线层、上述第2多层布线层及上述第2半导体层贯通；/n第1电极，设置在上述第1多层布线层中；及/n第2电极，设置在上述第1多层布线层中，夹着上述第1孔而与上述第1电极对置。/n

【技术特征摘要】
20180914 JP 2018-1731091.一种半导体装置，其中，
具备：
第1半导体层；
第2半导体层；
第1多层布线层，设置在上述第1半导体层与上述第2半导体层之间，具有在从上述第1半导体层朝向上述第2半导体层的第1方向上层叠的多个第1导电层；
第2多层布线层，设置在上述第1多层布线层与上述第2半导体层之间，具有在上述第1方向上层叠的多个第2导电层；
第1晶体管，具有上述第1半导体层中的第1杂质区域；
第2晶体管，具有上述第2半导体层中的第2杂质区域；
第1孔，将上述第1半导体层、上述第1多层布线层、上述第2多层布线层及上述第2半导体层贯通；
第2孔，将上述第1半导体层、上述第1多层布线层、上述第2多层布线层及上述第2半导体层贯通；
第1电极，设置在上述第1多层布线层中；及
第2电极，设置在上述第1多层布线层中，夹着上述第1孔而与上述第1电极对置。


2.如权利要求1所述的半导体装置，其中，
上述第1电极具有包括上述第1导电层的层叠构造；
上述第2电极具有包括上述第1导电层的层叠构造。


3.如权利要求1或2所述的半导体装置，其中，
上述第1电极电连接在上述第1半导体层。


4.如权利要求1～3中任一项所述的半导体装置，其中，
上述第2电极电连接在上述第1杂质区域。


5.如权利要求1～4中任一项所述的半导体装置，其中，
...

【专利技术属性】
技术研发人员：东和幸，香西昌平，
申请(专利权)人：株式会社东芝，
类型：发明
国别省市：日本;JP