【技术实现步骤摘要】
具有半导体芯片端子的DC-DC转换器本申请是申请日为2015年02月05日、申请号为“201580007418.8”、而专利技术名称为“具有半导体芯片端子的DC-DC转换器”的专利技术专利申请的分案申请。本专利技术一般来说涉及半导体装置及工艺,且更特定来说,涉及薄经封装同步降压转换器的结构及制作方法。
技术介绍
在受欢迎电力供应电路系列当中具有用于将一个DC电压转换为另一DC电压的电力切换装置。特定来说,具有两个电力MOS场效应晶体管(FET)的电力块适于新兴的电力递送要求,所述两个电力MOSFET串联连接且通过共同切换节点而耦合在一起。此组合件也称作半桥。当添加有调节驱动器与控制器时,所述组合件被称为供电级,或更常见地,所述组合件被称为同步降压转换器。在同步降压转换器中,控制FET芯片(其也称作高侧切换器)连接在供应电压VIN与LC输出滤波器之间,且同步(sync)FET芯片(其也称作低侧切换器)连接在LC输出滤波器与接地电位之间。控制FET芯片的栅极及同步FET芯片的栅极连接到半导体芯片,所述半导体芯片包含用于转换器的驱动器及控制器的电路。所述芯片也连接到接地电位。对于许多现在的电力切换装置,电力MOSFET的芯片及驱动器与控制器IC的芯片水平地并排组装为个别组件。每一芯片通常附接到金属引线框架的矩形形状垫或正方形形状垫。所述垫由作为输入/输出端子的引线环绕。在其它电力切换装置中,电力MOSFET芯片及驱动器与控制器IC水平地并排组装在单个引线框架垫上,所述引线框架垫又在全部四个侧上由用作装置输出端子的引线环绕。所述引 ...
【技术保护点】
1.一种半导体装置,其包括:/n引线框架,其具有一或多个引线和垫,其中所述垫包含第一表面和与所述第一表面相对的第二表面,且其中所述垫的所述第二表面包括凹入部分和未凹入部分,其中所述未凹入部分是连续的并且是所述第二表面的唯一的所述未凹入部分;/n第一芯片,其附接到所述垫的所述第一表面且包括一或多个端子,所述一或多个端子中的每一者连接到所述一或多个引线中相应的一者;/n封装材料,其囊封所述第一芯片和所述垫的所述第一表面,但使所述垫的所述第二表面暴露;以及/n第二芯片,其附接到所述垫的所述第二表面的所述凹入部分,以使得所述第二芯片的至少一个端子与所述垫的所述第二表面的所述未凹入部分实质上共面。/n
【技术特征摘要】
20140205 US 14/173,147;20140909 US 14/481,2041.一种半导体装置,其包括:
引线框架,其具有一或多个引线和垫,其中所述垫包含第一表面和与所述第一表面相对的第二表面,且其中所述垫的所述第二表面包括凹入部分和未凹入部分,其中所述未凹入部分是连续的并且是所述第二表面的唯一的所述未凹入部分;
第一芯片,其附接到所述垫的所述第一表面且包括一或多个端子,所述一或多个端子中的每一者连接到所述一或多个引线中相应的一者;
封装材料,其囊封所述第一芯片和所述垫的所述第一表面,但使所述垫的所述第二表面暴露;以及
第二芯片,其附接到所述垫的所述第二表面的所述凹入部分,以使得所述第二芯片的至少一个端子与所述垫的所述第二表面的所述未凹入部分实质上共面。
2.根据权利要求1所述的半导体装置,其中所述第一芯片的所述一或多个端子中的每一者通过相应的接合线连接到所述引线框架的相应的引线,且其中每一相应的接合线也由所述封装材料囊封。
3.根据权利要求1所述的半导体装置,其包括:
第三芯片,其附接到所述垫的所述第二表面的所述凹入部分,以使得所述第三芯片的至少一个端子与所述垫的所述第二表面的所述未凹入部分实质上共面。
4.根据权利要求3所述的半导体装置,其中所述第一芯片、所述第二芯片和所述第三芯片形成转换器,其中所述第一芯片是所述转换器的驱动器与控制器芯片,且其中所述第二芯片和所述第三芯片中的一者是所述转换器的高侧切换器,且所述第二芯片和所述第三芯片中的另一者是所述转换器的低侧切换器。
5.根据权利要求4所述的半导体装置,其中所述第二芯片和所述第三芯片中的每一者包括场效应晶体管FET芯片,其中所述低侧切换器具有附接到所述垫的所述第二表面的所述凹入部分的漏极端子、并且具有与所述垫的所述第二表面的所述未凹入部分实质上共面的源极端子和栅极端子,且其中所述高侧切换器具有附接至所述垫的所述第二表面的所述凹入部分的源极端子、并且具有与所述垫的所述第二表面的所述未凹入部分实质上共面的漏极端子和栅极端子。
6.根据权利要求5所述的半导体装置,其中所述低侧切换器的所述源极端子能够连接到电路板的接地输出端子,所述高侧切换器的所述漏极端子能够连接到所述电路板的输入端子,且所述垫的所述第二表面的所述未凹入部分能够连接到所述电路板的切换节点端子。
7.根据权利要求4所述的半导体装置,其中所述垫的所述第二表面的所述未凹入部分仅沿着所述第二表面的一个边缘布置,且其中所述低侧切换器在比所述高侧切换器附接到所述垫的所述第二表面的所述凹入部分的...
【专利技术属性】
技术研发人员:奥斯瓦尔多·乔治·洛佩斯,乔纳森·阿尔梅里亚·努吉尔,
申请(专利权)人:德州仪器公司,
类型:发明
国别省市:美国;US
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