一种晶格式鞋底制造技术

本发明专利技术提供一种晶格式鞋底，采用3D打印技术制作而成。所述晶格式鞋底包括第一晶格区域与第二晶格区域，所述第一晶格区域的第一晶格结构的结构密度高于所述第二晶格区域的第二晶格结构的结构密度。该种晶格式鞋底通过采用结构密度不同的第一晶格区域与第二晶格区域，从而实现鞋底不同区域具备不同受力特性，进而为穿戴者提供更好的穿戴舒适度。

A kind of crystal sole

【技术实现步骤摘要】
一种晶格式鞋底
本专利技术涉及鞋类领域，具体涉及一种晶格式鞋底。
技术介绍
目前，鞋底产品常采用一体结构，鞋底各部分的硬度、耐弯折性、减震性、回弹性、密度等特性相同。而人体在运动过程中，脚底的不同区域在水平方向和竖直方向上受力都不同。而这种情形在面临各种不同的运动场景的时候，更为突出。例如，穿戴者在走路、跑步或者打篮球的时候，这种鞋底无法合理地分配穿戴者脚底的受力效果，给穿戴者的穿戴舒适度不佳。
技术实现思路
有鉴于此，本专利技术目的在于提供一种具备不同晶格区域的晶格式鞋底。为实现本专利技术目的，提供一种晶格式鞋底，采用3D打印技术制作而成。所述晶格式鞋底包括第一晶格区域与第二晶格区域，所述第一晶格区域的第一晶格结构的结构密度高于所述第二晶格区域的第二晶格结构的结构密度。可选地，所述第一晶格结构与所述第二晶格结构一一对应连接，且所述第一晶格结构的第一连接面的四个第一顶角点与所述第二晶格结构的第二连接面的四个第二顶角点一一对应，且所述第一晶格结构的第一连接面的第一中心点与所述第二晶格结构的第二连接面的第二中心点相互对应。可选地，所述第一晶格结构与所述第二晶格结构的杆径尺寸均位于0.7毫米-2毫米范围内。可选地，所述第一晶格区域与所述第二晶格区域分布在所述晶格式鞋底的水平方向上，所述第一晶格区域位于所述晶格式鞋底的后脚掌位置，所述第一晶格结构用于提供较高支撑性能，所述第二晶格位置位于所述晶格式鞋底的前脚掌位置，所述第二晶格结构用于提供较高回弹减震性能。可选地，所述第一晶格区域与所述第二晶格区域分布在所述晶格式鞋底的竖直方向上，所述第一晶格区域位于所述第二晶格区域的下方，所述第一晶格结构平均杆长度比所述第二晶格结构的平均杆长度短，用于提供较强的支撑性能，所述第二晶格结构具有多面体的内部空间结构，用于提供较高减震性能。可选地，所述第一晶格结构为四叶菱形堆叠结构，所述第二晶格结构为截角八面体结构。可选地，所述晶格式鞋底进一步包括第三晶格区域，所述第三晶格区域位于所述第二晶格区域上方，且所述第三晶格区域的第三晶格结构的结构密度低于所述第二晶格区域的所述第二晶格结构，用于提供轻柔接触性能，所述第三晶格结构为类金刚石分子结构。可选地，所述晶格式鞋底进一步包括另一第一晶格区域，所述另一第一晶格区域位于所述第二晶格区域的下方。可选地，在竖直方向上，所述第一晶格区域的所述第一晶格结构的杆径尺寸从上到下依次增大，或所述第二晶格区域的所述第二晶格结构的杆径尺寸从上到下依次增大。可选地，所述在竖直方向上，所述第一晶格区域的所述第一晶格结构的杆径尺寸从上到下依次增大，且所述第二晶格区域的所述第二晶格结构的杆径尺寸从上到下依次增大。本专利技术提供的一种晶格式鞋底，通过采用结构密度不同的第一晶格区域与第二晶格区域，从而实现鞋底不同区域具备不同受力特性，进而为穿戴者提供更好的穿戴舒适度。附图说明为了更清楚地说明本专利技术实施例的技术方案，下面将对实施例的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅涉及本专利技术的一些实施例，而非对本专利技术的限制。图1为本专利技术第一实施例提供的一种晶格式鞋底的水平结构示意图。图2为所述第一实施例的晶格式鞋底的晶格区域布局示意图。图3为所述第一实施例的晶格式鞋底的竖直结构示意图。图4为所述第一实施例的晶格式鞋底的晶格的结构示意图。图5为本专利技术第二实施例提供的一种晶格式鞋底的竖直结构示意图。图6为所述第二实施例的晶格式鞋底的晶格区域布局示意图。图7为所述第二实施例的晶格式鞋底的晶格的结构示意图。具体实施方式为使本专利技术实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本专利技术实施例的附图，对本专利技术实施例的技术方案进行清楚、完整地描述。显然，所描述的实施例是本专利技术的一部分实施例，而不是全部的实施例。基于所描述的本专利技术的实施例，本领域普通技术人员在无需创造性劳动的前提下所获得的所有其他实施例，都属于本专利技术的保护范围。参看图1及图2，本专利技术第一实施例提供一种晶格式鞋底100。晶格式鞋底100包括第一晶格区域110及第二晶格区域120。第一晶格区域110与第二晶格区域120分布在晶格式鞋底100的水平方向。第一晶格区域110位于后脚掌，用于提供较高支撑性能，第二晶格区域120位于前脚掌，用于提供较高回弹减震性能。参看图3及图4，第一晶格区域110的第一晶格结构111为四叶菱形堆叠结构，体积占比34.9/200；第二晶格区域120的第二晶格结构121为截角八面体结构，体积占比27.8/200。其中，体积占比以200mm3（10mm*10mm*2mm）为计量基准。第一晶格结构111的结构密度高于第二晶格结构121。在第一晶格区域110与第二晶格区域120的连接区域，第一晶格结构111与第二晶格结构121一一对应连接。其中，第一晶格结构111的第一连接面1111的四个第一顶角点1111a与第二晶格结构121的第二连接面1211的四个第二顶角点1211a一一对应，且第一晶格结构111的第一连接面1111的第一中心点1111b与第二晶格结构121的第二连接面1211的第二中心点1211b相互对应。因此，通过这种准确的对位方式，可使得第一晶格区域110与第二晶格区域120的相互连接对位准确，连接紧密。在第一晶格区域110的内部连接关系上，各第一晶格结构111的二相邻单位晶格之间通过该二相邻单位晶格的接触面的四个顶点及面心处相互连接。此外，在竖直方向上，第一晶格区域110的第一晶格结构111的杆径尺寸在竖直方向从上到下依次增大，以达到线性的脚感。第一晶格结构111的杆径尺寸位于0.7毫米-2毫米范围内。在第二晶格区域120的内部连接关系上，各第二晶格结构121的二相邻单位晶格之间通过该二相邻单位晶格的接触面的四个顶点及面心处相互连接。此外，在竖直方向上，第二晶格区域120的第二晶格结构121的杆径尺寸在竖直方向从上到下依次增大，以达到线性的脚感。第二晶格结构121的杆径尺寸位于0.7毫米-2毫米范围内。在其他实施例中，第一晶格结构111和第二晶格结构121的杆径并不一定在竖直方向上从上到下依次增大，而是可分别调节杆径的尺寸，以适应前后掌不同的受力特性，兼顾舒适性和稳定性。参看图5及图6，本专利技术第二实施例提供一种晶格式鞋底200。晶格式鞋底200包括第一晶格区域210、第二晶格区域220和第三晶格区域230。第一晶格区域210、第二晶格区域220与第三晶格区域230依次分布在晶格式鞋底200的竖直方向上。第一晶格区域210位于第二晶格区域220的下方，第三晶格区域230位于第二晶格区域220的上方。进一步参看图7，第一晶格区域210的第一晶格结构211为四叶菱形堆叠结构，体积占比34.9/200；第二晶格区域220的第二晶格结构221为截角八面体结构，体积占比27.8/200；第三晶格区域230的第三晶格结构231为类金刚石分子结构，体积占比14.6/200。本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种晶格式鞋底，采用3D打印技术制作而成，其特征在于，所述晶格式鞋底包括第一晶格区域与第二晶格区域，所述第一晶格区域的第一晶格结构的结构密度高于所述第二晶格区域的第二晶格结构的结构密度。/n

【技术特征摘要】
1.一种晶格式鞋底，采用3D打印技术制作而成，其特征在于，所述晶格式鞋底包括第一晶格区域与第二晶格区域，所述第一晶格区域的第一晶格结构的结构密度高于所述第二晶格区域的第二晶格结构的结构密度。


2.如权利要求1所述的一种晶格式鞋底，其特征在于，所述第一晶格结构与所述第二晶格结构一一对应连接，且所述第一晶格结构的第一连接面的四个第一顶角点与所述第二晶格结构的第二连接面的四个第二顶角点一一对应，且所述第一晶格结构的第一连接面的第一中心点与所述第二晶格结构的第二连接面的第二中心点相互对应。


3.如权利要求2所述的一种晶格式鞋底，其特征在于，所述第一晶格结构与所述第二晶格结构的杆径尺寸均位于0.7毫米-2毫米范围内。


4.如权利要求3所述的一种晶格式鞋底，其特征在于，所述第一晶格区域与所述第二晶格区域分布在所述晶格式鞋底的水平方向上，所述第一晶格区域位于所述晶格式鞋底的后脚掌位置，所述第一晶格结构用于提供较高支撑性能，所述第二晶格位置位于所述晶格式鞋底的前脚掌位置，所述第二晶格结构用于提供较高回弹减震性能。


5.如权利要求3所述的一种晶格式鞋底，其特征在于，所述第一晶格区域与所述第二晶格区域分布在所述晶格式鞋底的竖直方向上，所述第一晶格区域位于所述第二晶格区域的下方，所述第一...

【专利技术属性】
技术研发人员：袁晨，马克·安德鲁·克罗嫩伯格，安格斯·尼姆林·沃德洛，李苏，
申请(专利权)人：安踏中国有限公司，
类型：发明
国别省市：福建;35