韭菜有机化种植方法技术

一种韭菜有机化种植方法，其包括如下步骤：采用环保无污染的杀灭有害生物的方法处理育苗棚室；采取育苗块／穴盘／苗床等方式播种韭菜育苗；在移栽之前的５－１０天深翻移栽田土壤，并在施入有机肥后悬翻均匀；按照每穴３－１０株，行距１５－４０，株距５－２５的密度向深翻过的田地中移栽韭菜苗，然后对其实施正常管理和割收，每次割收后用人工彻底清除土壤中掉落韭菜叶和杂草；在一个种植季节最后一刀韭菜割收完毕后，深翻移栽田的土壤２５０－５００ｍｍ，将土壤中杂草、韭菜根系及植株残体全部清除。其目的是提供一种环保安全、无污染，可实现韭菜在同一块田地持续多年有机化生产无主要病虫灾害，生产的韭菜质量好的韭菜有机化种植方法。

【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种韭菜种植的方法。
技术介绍
长期以来，韭菜种植的方法都是一次性播种，每年割收3～5刀，连续生长3～5年后连根清除。由于韭菜病虫会随着韭菜的多年生产在土壤中连续越冬繁殖，不断积累，数量越来越多，造成的损失也会越来越严重。因此，现在多年连续大面积生产韭菜要进行药剂防治，否则将没有收获。特别是在地下为害韭菜鳞茎和根部的“韭菜根蛆”，“韭菜根蛆”为韭菜赤眼蕈蚊、葱蝇、种蝇等多种蚊类和蝇类等害虫的幼虫，它们生活在地下，在不同年份、不同地区、不同季节的发生时期、主要害虫种类和比例都变化较大，采用药物防治难度很大，使用持效期短的低毒低残留药剂防治，施药早了害虫还没出来药剂已失效，施药晚了害虫已造成了危害，正因为这样，许多农民违章使用价格低廉持效期很长的高毒甚至剧毒农药防治韭菜根蛆，不但污染土壤，防治成本还不断递增。
技术实现思路
本专利技术的目的是提供一种环保安全、无污染，可实现韭菜在同一块田地持续多年有机化生产无主要病虫灾害，种植的韭菜质量好的韭菜有机化种植方法。本专利技术的韭菜有机化种植方法，其包括如下步骤(1)采用环保无污染的杀灭有害生物的方法处理育苗棚室；(2)选用优良的抗耐病虫的韭菜品种，采取育苗块/穴盘/苗床等方式播种韭菜育苗；(3)在移栽之前的5-10天深翻移栽田的土壤250-500mm，并在施入有机肥后悬翻均匀；(4)按照每穴3-10株，行距150mm-400mm，株距50mm-250mm的密度向深翻过的田地中移栽韭菜苗，然后对其实施正常管理和割收，需要时追施有机肥，每次割收后用人工彻底清除土壤中掉落韭菜叶和杂草；(5)在一个种植季节的最后一刀韭菜割收完毕后，深翻移栽田的土壤250-500mm，将土壤中杂草、韭菜根系及植株残体全部清除，集中进行太阳能杀灭有害生物或生物发酵有害生物处理。本专利技术的韭菜有机化种植方法，其中所述步骤(1)中环保无污染的杀灭有害生物的方法为太阳能杀灭有害生物的方法或臭氧杀灭有害生物的方法，太阳能杀灭有害生物方法为深翻育苗棚室内的土壤250-500mm，然后在深翻过的土壤上作垄，垄高为300mm-600mm，垄的底部宽为400mm-700mm，相邻二垄之间的距离为800mm-1400mm，根据覆地薄膜的幅度作环绕所述深翻过的土壤的压膜沟，压膜沟的宽度在50mm以上，深度在40mm以上，将覆地薄膜覆盖在垄的顶部，将覆地薄膜的周边埋入压膜沟内，保留至少一个灌水口，然后从灌水口处向垄沟内灌水，灌水的高度为400mm-600mm，然后将灌水口处的覆地薄膜埋入压膜沟内，关闭育苗棚室的所有通风口和门窗，并保持7-50天，将覆地薄膜从垄上撤除，向土壤内施加生物菌肥；采用臭氧杀灭育苗棚室内所有暴露表面上的有害生物的方法为令臭氧发生装置产生臭氧的速度为每亩地10克/小时，并保持2-3小时，或者产生臭氧速度为每亩地15克/小时，并保持1-2小时；然后将臭氧发生装置悬挂于育苗棚室内高处将臭氧输送出去，使之彻底杀灭育苗棚室内所有暴露表面上的病菌等有害生物；采用臭氧杀灭育苗棚室内土壤中的有害生物的方法为深翻育苗棚室内的土壤250mm-500mm，破碎土壤中粒径在10mm以上的颗粒，并向土壤中洒水或喷水，令土壤中的含水量保持在55％-75％，在育苗棚室内的田地上作垄，垄高为300mm-600mm，垄的底部宽为400mm-700mm，相邻二垄之间的距离为800mm-1400mm，各垄沟之间相互联通，贴着多个垄的顶部覆盖一层覆地薄膜，并将覆地薄膜的周边埋在压膜沟内或用物体压实，向覆地薄膜下方的垄沟内输入臭氧，输入臭氧的速度为每亩地10克/小时，并保持90-150小时，或者是输入臭氧的速度为每亩地15克/小时，并保持60-100小时，或者是输入臭氧的速度为每亩地20克/小时，并保持45-75小时，打开覆盖在垄的顶部的覆地薄膜，检测育苗棚室内的土壤中存活的各种有害生物的数量；如果检测的土壤中存活的各种有害生物的数量的数据不合格，再次深翻育苗棚室内的田地的土壤250mm-500mm，破碎土壤中粒径在10mm以上的大块颗粒，并向土壤中洒水或喷水，令土壤中的含水量保持在55％-75％，然后在田地上作堤，堤高为100mm-500mm，并贴着堤的顶部和土壤的表面覆盖一层覆地薄膜，并将覆地薄膜的周边埋在压膜沟内或用物体压实，然后向覆地薄膜下方的堤内输入臭氧，输入臭氧的速度为每亩地10克/小时，并保持90-150小时，或者是输入臭氧的速度为每亩地15克/小时，并保持60-100小时，或者是输入臭氧的速度为每亩地20克/小时，并保持45-75小时，然后打开覆盖在堤的顶部和土壤的表面的覆地薄膜，再次检测土壤中存活的各种有害生物的数量；如果再次检测育苗棚室内的土壤中存活的各种有害生物的数量的数据不合格，重复至少一次上述的方法，直至合格，然后向土壤内施加生物菌肥。本专利技术的韭菜有机化种植方法，其中所述步骤(4)中包括在移栽田中架设诱杀黄板和/或诱杀灯和/或喷施生物药剂。本专利技术的韭菜有机化种植方法，根据韭菜根蛆等病虫的发生特性，通过改变传统韭菜生产的种植方式破坏病虫的越冬繁殖环境，将韭菜3～5年生产种植一茬改为1年种植一茬，采用环保无污染的杀灭有害生物的方法处理育苗棚室，采取育苗块/穴盘/苗床等方式播种韭菜育苗，在移栽之前的5-10天深翻移栽田土壤，在每次割收后用人工彻底清除土壤中掉落韭菜叶和杂草种植结束后深翻土壤，将土壤中杂草、韭菜根系及植株残体全部清除，集中进行太阳能杀灭有害生物或生物发酵有害生物处理，致越冬病虫基本死亡或不能正常越冬，达到最大限度减少病虫基数，故在正常生产时无需施用化学农药防治害虫，仅采用色板、灯光诱杀和/或喷施少量生物农药进行控制，从而实现韭菜有机化生产。本专利技术的韭菜有机化种植方法简便可行，环保、安全、无污染，可实现韭菜主要病虫持续无害化生产，从根本上改善韭菜产品质量，更好地满足消费者需要。下面对本专利技术的韭菜有机化种植方法的具体实施方式作进一步详细说明。具体实施例方式实施例1韭菜有机化种植方法，其包括如下步骤(1)采用太阳能杀灭有害生物的方法或采用臭氧杀灭有害生物的方法处理育苗棚室；(2)选用优良的抗耐病虫的韭菜品种，采取育苗块/穴盘/苗床等方式播种韭菜育苗；(3)在移栽之前的5-10天深翻移栽田的土壤250-500mm，并在施入有机肥后悬翻均匀；(4)按照每穴3-10株，行距150mm-400mm，株距50mm-250mm的密度向深翻过的田地中移栽韭菜苗，然后对其实施正常管理和割收，需要时追施有机肥，每次割收后用人工彻底清除土壤中掉落韭菜叶和杂草，并在移栽田中架设诱杀黄板和/或诱杀灯和/或喷施生物药剂；(5)在一个种植季节的最后一刀韭菜割收完毕后，深翻移栽田的土壤250-500mm，将土壤中杂草、韭菜根系及植株残体全部清除，集中进行太阳能杀灭有害生物或生物发酵有害生物处理。上述步骤(1)中采用太阳能杀灭有害生物方法为 深翻育苗棚室内的土壤250-500mm，然后在深翻过的土壤上作垄，垄高为300mm-600mm，垄的底部宽为400mm-700mm，相邻二垄之间的距离为800mm-1400mm，根据覆地薄膜的幅度作环绕所述深翻过的土壤的压膜沟，压膜沟的宽度在50mm以上，深度在40mm以上，将覆地薄膜本文档来自技高网...

【技术保护点】
韭菜有机化种植方法，其特征在于其包括如下步骤：（１）采用环保无污染的杀灭有害生物的方法处理育苗棚室；（２）选用优良的抗耐病虫的韭菜品种，采取育苗块／穴盘／苗床等方式播种韭菜育苗；（３）在移栽之前的５－１０天深翻移栽田的土壤２５０－５００ｍｍ，并在施入有机肥后悬翻均匀；（４）按照每穴３－１０株，行距１５０ｍｍ－４００ｍｍ，株距５０ｍｍ－２５０ｍｍ的密度向深翻过的田地中移栽韭菜苗，然后对其实施正常管理和割收，需要时追施有机肥，每次割收后用人工彻底清除土壤中掉落韭菜叶和杂草；（５）在一个种植季节的最后一刀韭菜割收完毕后，深翻移栽田的土壤２５０－５００ｍｍ，将土壤中杂草、韭菜根系及植株残体全部清除，集中进行太阳能杀灭有害生物或生物发酵有害生物处理。

【技术特征摘要】
1.韭菜有机化种植方法，其特征在于其包括如下步骤(1)采用环保无污染的杀灭有害生物的方法处理育苗棚室；(2)选用优良的抗耐病虫的韭菜品种，采取育苗块/穴盘/苗床等方式播种韭菜育苗；(3)在移栽之前的5-10天深翻移栽田的土壤250-500mm，并在施入有机肥后悬翻均匀；(4)按照每穴3-10株，行距150mm-400mm，株距50mm-250mm的密度向深翻过的田地中移栽韭菜苗，然后对其实施正常管理和割收，需要时追施有机肥，每次割收后用人工彻底清除土壤中掉落韭菜叶和杂草；(5)在一个种植季节的最后一刀韭菜割收完毕后，深翻移栽田的土壤250-500mm，将土壤中杂草、韭菜根系及植株残体全部清除，集中进行太阳能杀灭有害生物或生物发酵有害生物处理。2.根据权利要求1所述的韭菜有机化种植方法，其特征在于所述步骤(1)中环保无污染的杀灭有害生物的方法为太阳能杀灭有害生物的方法或臭氧杀灭有害生物的方法，太阳能杀灭有害生物方法为深翻育苗棚室内的土壤250-500mm，然后在深翻过的土壤上作垄，垄高为300mm-600mm，垄的底部宽为400mm-700mm，相邻二垄之间的距离为800mm-1400mm，根据覆地薄膜的幅度作环绕所述深翻过的上壤的压膜沟，压膜沟的宽度在50mm以上，深度在40mm以上，将覆地薄膜覆盖在垄的顶部，将覆地薄膜的周边埋入压膜沟内，保留至少一个灌水口，然后从灌水口处向垄沟内灌水，灌水的高度为400mm-600mm，然后将灌水口处的覆地薄膜埋入压膜沟内，关闭育苗棚室的所有通风口和门窗，并保持7-50天，将覆地薄膜从垄上撤除，向土壤内施加生物菌肥；所述臭氧杀灭育苗棚室中所有暴露表面上的有害生物的方法为令臭氧发生装置产生臭氧的速度为每亩地10克/小时，并保持2-3小时，或者产生臭氧速度为每亩地15克/小时，并保持1-2小时；然后将臭氧发生装置悬挂于育苗棚室中高处将臭氧输送出去，使之彻底杀灭育苗棚室中所有暴露表面上的病...

【专利技术属性】
技术研发人员：郑建秋，
申请(专利权)人：郑建秋，
类型：发明
国别省市：11[中国|北京]