高接着强度LCP基板及制备方法技术

本发明专利技术公开了一种高接着强度LCP基板，包括至少一铜箔层、至少一低介电胶层和一LCP层，低介电胶层位于铜箔层和LCP层之间，且粘接二者，低介电胶层是指Dk值为2.0‑4.0，且Df值为0.001‑0.010的胶层；LCP层是指Dk值为2.5‑4.0，且Df值为0.001‑0.010的LCP层；且组分A的比例之和为低介电胶层的总固含量的0‑50％(重量百分比)，组分B为低介电胶层的总固含量的5‑80％(重量百分比)。本发明专利技术提供的LCP基板，通过在铜箔层与LCP层间加入低介电胶层并改善其配方和性能，能够增加LCP层与铜箔层之间的接着强度，故可选用Rz值较低的铜箔层，于高频高速传输时不易造成讯号损失；此外低介电胶层具有低介电常数及低介电损失，亦有利于高频高速传输。

LCP substrate with high adhesion strength and its preparation method

【技术实现步骤摘要】
高接着强度LCP基板及制备方法
本专利技术涉及FPC(柔性线路板)及其制备
，特别涉及LCP基板。
技术介绍
软板因具有可连续自动化生产、可提高配线密度、可挠性、设计领域大、可以三次元立体配线、能省略接线器、电线之焊接等优势，符合电子产品轻薄短小且功能多元的需求，让软板应用与日俱增。随着高频高速传输需求激增及5G时代即将来临，高性能工程塑料需求大幅提升，过去软性铜箔基板是以铜箔及聚酰亚胺(PI)树脂等原料制成，但PI膜介电高、易吸湿，在高频高速传输下易造成讯号损失。液晶高分子材料(LCP)因具备低吸湿、高耐化性、高尺寸安定性与低介电常数/介电损失因子(Dk/Df)等特性，其介电性能低损耗、低吸水性在微波及高频的毫米波均较传统PI有明显优势，逐渐成为新应用材料，可应用于天线、基地台、毫米波雷达等。然而和PI相比，LCP与铜箔之间的接着力较差，故LCP基板通常选用表面较粗糙、Rz值较高的铜箔以提升接着强度。然而在高频高速传输时的集肤效应(skineffect)，电子传输倾向在铜箔表面进行，若表面较粗糙，则会形成较大的讯号损失。故如何提升LCP层与铜箔层的接着强度，使基板制作时可选用Rz值较低的铜箔，是LCP基板发展的重要议题。举凡于第CN205105448U号中国专利提出复合式迭构高频低介电性胶膜，第CN205255668U号中国专利提出低介电性胶膜，第CN105295753B号中国专利提出高频黏着胶水层叠结构及其制备方法，第CN206840863U号中国专利提出复合式LCP高频高速双面铜箔基板，第CN206932462U号中国专利提出复合式LCP高频高速FRCC基材。前期专利并无改善LCP与铜箔接着力之前例。
技术实现思路
为了满足市场对高频高速可挠性板材的需求，本专利技术提供的LCP基板，通过在铜箔层与LCP层间加入低介电胶层并改善其配方和性能，能够增加LCP层与铜箔层之间的接着强度，故可选用Rz值较低的铜箔层，于高频高速传输时不易造成讯号损失；此外低介电胶层具有低介电常数及低介电损失，亦有利于高频高速传输。为解决上述技术问题，本专利技术采用的一个技术方案是：本专利技术提供了一种高接着强度LCP基板，包括至少一铜箔层、至少一低介电胶层和一LCP层，所述低介电胶层位于所述铜箔层和所述LCP层之间，且粘接所述铜箔层和所述LCP层，所述低介电胶层是指Dk值为2.0-4.0，且Df值为0.001-0.010的胶层；所述LCP层是指Dk值为2.5-4.0，且Df值为0.001-0.010的LCP层；每一所述铜箔层的厚度为1-35μm；每一所述低介电胶层的厚度均为1-7μm；所述LCP层的厚度为12-75μm；所述低介电胶层包括组分A和组分B中的至少一种，所述组分A包括陶瓷粉体、烧结二氧化硅、铁氟龙、氟系树脂、PEEK(聚醚醚酮)和阻燃剂中的至少一种；所述组分B包括环氧树脂、丙烯酸系树脂、胺基甲酸酯系树脂、硅橡胶系树脂、聚对环二甲苯系树脂、双马来酰亚胺系树脂和聚酰亚胺系树脂中的至少一种；且所述组分A的比例之和为低介电胶层的总固含量的0-50％(重量百分比)，所述组分B为低介电胶层的总固含量的5-80％(重量百分比)。为解决上述技术问题，本专利技术采用的进一步技术方案是：所述陶瓷粉体为BaTiO3、SrTiO3、Ba(Sr)TiO3、PbTiO3、CaTiO3和Mg2TiO4中的至少一种。进一步地说，所述陶瓷粉体比例之和为低介电胶层的总固含量的0-45％(重量百分比)，所述烧结二氧化硅的比例为低介电胶层的总固含量的0-45％(重量百分比)，所述铁氟龙的比例为低介电胶层的总固含量的0-45％(重量百分比)，所述氟系树脂的比例之和为低介电胶层的总固含量的0-45％(重量百分比)，所述PEEK的比例为低介电胶层的总固含量的0-45％(重量百分比)，所述阻燃剂的比例为低介电胶层的总固含量的0-45％(重量百分比)。进一步地说，所述氟系树脂选自聚四氟乙烯、聚偏氟乙烯、氟乙烯与乙烯基醚共聚物、四氟乙烯与乙烯的共聚物、聚三氟氯乙烯与乙烯共聚物、四氟乙烯、六氟丙烯与偏氟乙烯共聚物、四氟乙烯-全氟烷基乙烯基醚共聚物、聚三氟氯乙烯、聚氯乙烯、四氟乙烯-六氟丙稀共聚物、乙烯-氟乙烯共聚物及四氟乙烯-六氟丙烯-三氟乙烯共聚物中的至少一种。进一步地说，所述铜箔层是Rz值为0-1.2μm的低轮廓铜箔层。进一步地说，所述LCP基板为LCP单面铜箔基板，所述LCP单面铜箔基板由一铜箔层、一低介电胶层和一LCP层组成，且从上到下依次为所述铜箔层、所述低介电胶层和所述LCP层；所述LCP单面铜箔基板的厚度为14-117μm。进一步地说，所述LCP基板为LCP双面铜箔基板，所述LCP双面铜箔基板由两铜箔层、两低介电胶层和一LCP层组成组成，且从上到下依次为所述铜箔层、所述低介电胶层、所述LCP层、所述低介电胶层和所述铜箔层；所述LCP双面铜箔基板的厚度为16-159μm。本专利技术还提供了一种所述的高接着强度LCP基板的制备方法，所述LCP单面铜箔基板的制备方法如下：步骤一、将所述低介电胶层的前体物涂布于所述铜箔层的一面，于60-180℃去除溶剂；步骤二、将所述LCP层的前体物涂布于所述低介电胶层的下表面，于60-180℃去除溶剂，然后在240-260℃下，8-12小时使其annealing，即得成品LCP单面铜箔基板。本专利技术又提供了一种所述的高接着强度LCP基板的制备方法，所述LCP双面铜箔基板的制备方法为下列两种方法中的一种：第一种方法包括如下步骤：步骤一、将所述低介电胶层的前体物涂布于所述铜箔层的一面，于60-180℃去除溶剂；步骤二、将所述LCP层的前体物涂布所述低介电胶层的表面，于60-180℃去除溶剂，然后在240-260℃下，8-12小时使其annealing；步骤三、将所述低介电胶层的前体物涂布所述LCP层的表面，于60-180℃去除溶剂；步骤四、在所述低介电胶层上压合另一铜箔层，于160-200℃、5小时以上固化，即得成品LCP双面铜箔基板；第二种方法包括如下步骤：步骤一、将所述低介电胶层的前体物涂布于所述铜箔层的一面，于60-180℃去除溶剂，得到两个半成品A；步骤二、将所述LCP层的前体物涂布于其中一半成品A的表面，于60-180℃去除溶剂，然后在240-260℃下，8-12小时使其annealing，得到半成品B；步骤三、将另一半成品A的低介电胶层与半成品B的LCP层贴合并压合，于160-200℃、5小时以上固化，即得成品LCP双面铜箔基板。本专利技术的有益效果是：本专利技术提供的LCP基板包括至少一铜箔层、至少一低介电胶层和一LCP层，且铜箔层和LCP层之间通过低介电胶层粘接，通过改善低介电胶层的配方和性能，能够提高低介电胶层与铜箔层以及与LCP层之间的接着强度，进而间接增加LCP层与铜箔层之间的接着强度，故在接着强度满足要求的情况下，可选用Rz值较低本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种高接着强度LCP基板，其特征在于：包括至少一铜箔层(100)、至少一低介电胶层(200)和一LCP层(300)，所述低介电胶层位于所述铜箔层和所述LCP层之间，且粘接所述铜箔层和所述LCP层，所述低介电胶层是指Dk值为2.0-4.0，且Df值为0.001-0.010的胶层；所述LCP层是指Dk值为2.5-4.0，且Df值为0.001-0.010的LCP层；/n每一所述铜箔层的厚度为1-35μm；每一所述低介电胶层的厚度均为1-7μm；所述LCP层的厚度为12-75μm；/n所述低介电胶层包括组分A和组分B中的至少一种，所述组分A包括陶瓷粉体、烧结二氧化硅、铁氟龙、氟系树脂、PEEK和阻燃剂中的至少一种；所述组分B包括环氧树脂、丙烯酸系树脂、胺基甲酸酯系树脂、硅橡胶系树脂、聚对环二甲苯系树脂、双马来酰亚胺系树脂和聚酰亚胺系树脂中的至少一种；/n且所述组分A的比例之和为低介电胶层的总固含量的0-50％(重量百分比)，所述组分B为低介电胶层的总固含量的5-80％(重量百分比)。/n

【技术特征摘要】
1.一种高接着强度LCP基板，其特征在于：包括至少一铜箔层(100)、至少一低介电胶层(200)和一LCP层(300)，所述低介电胶层位于所述铜箔层和所述LCP层之间，且粘接所述铜箔层和所述LCP层，所述低介电胶层是指Dk值为2.0-4.0，且Df值为0.001-0.010的胶层；所述LCP层是指Dk值为2.5-4.0，且Df值为0.001-0.010的LCP层；
每一所述铜箔层的厚度为1-35μm；每一所述低介电胶层的厚度均为1-7μm；所述LCP层的厚度为12-75μm；
所述低介电胶层包括组分A和组分B中的至少一种，所述组分A包括陶瓷粉体、烧结二氧化硅、铁氟龙、氟系树脂、PEEK和阻燃剂中的至少一种；所述组分B包括环氧树脂、丙烯酸系树脂、胺基甲酸酯系树脂、硅橡胶系树脂、聚对环二甲苯系树脂、双马来酰亚胺系树脂和聚酰亚胺系树脂中的至少一种；
且所述组分A的比例之和为低介电胶层的总固含量的0-50％(重量百分比)，所述组分B为低介电胶层的总固含量的5-80％(重量百分比)。


2.根据权利要求1所述的高接着强度LCP基板，其特征在于：所述陶瓷粉体为BaTiO3、SrTiO3、Ba(Sr)TiO3、PbTiO3、CaTiO3和Mg2TiO4中的至少一种。


3.根据权利要求1所述的高接着强度LCP基板，其特征在于：所述陶瓷粉体比例之和为低介电胶层的总固含量的0-45％(重量百分比)，所述烧结二氧化硅的比例为低介电胶层的总固含量的0-45％(重量百分比)，所述铁氟龙的比例为低介电胶层的总固含量的0-45％(重量百分比)，所述氟系树脂的比例之和为低介电胶层的总固含量的0-45％(重量百分比)，所述PEEK的比例为低介电胶层的总固含量的0-45％(重量百分比)，所述阻燃剂的比例为低介电胶层的总固含量的0-45％(重量百分比)。


4.根据权利要求1所述的高接着强度LCP基板，其特征在于：所述氟系树脂选自聚四氟乙烯、聚偏氟乙烯、氟乙烯与乙烯基醚共聚物、四氟乙烯与乙烯的共聚物、聚三氟氯乙烯与乙烯共聚物、四氟乙烯、六氟丙烯与偏氟乙烯共聚物、四氟乙烯-全氟烷基乙烯基醚共聚物、聚三氟氯乙烯、聚氯乙烯、四氟乙烯-六氟丙稀共聚物、乙烯-氟乙烯共聚物及四氟乙烯-六氟丙烯-三氟乙烯共聚物中的至少一种。


5.根据权利要求1所述的高接着强度LCP基板，其特征在于：所述铜箔层是Rz值为0-1.2μm的...

【专利技术属性】
技术研发人员：李建辉，杜伯贤，何家华，
申请(专利权)人：昆山雅森电子材料科技有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏;32