存储装置制造方法及图纸

存储装置包括：介电鳍状物形成于基板上；一对存储单元沿着介电鳍状物的个别侧壁延伸，且每一存储单元包括：第一导体层、选择器层、电阻材料层、与第二导体层，其中第一导体层、选择器层、电阻材料层、与第二导体层各自包括上侧边界与下侧边界，且上侧边界与下侧边界的至少一者自介电鳍状物的侧壁的至少一者倾斜一角度。

Storage device

【技术实现步骤摘要】
存储装置
本公开实施例关于半导体装置，更特别关于电阻式随机存取存储装置。
技术介绍
近年来，已出现非传统的非挥发性存储装置如铁电随机存取存储装置、相变化随机存取存储装置、与电阻式随机存取存储装置。具体而言，电阻式随机存取存储装置在高电阻态与低电阻态之间具有切换特性，其比现有的非挥发性存储装置具有多种优点。举例来说，这些优点包括可与现有的互补式金属氧化物半导体技术相容的制作步骤、低成本制作、紧密结构、具有弹性的尺寸、快速切换、高整合密度、与类似优点。一般而言，电阻式随机存取存储装置包括下电极(如阳极)、上电极(如阴极)、与夹设于上述两者之间的可变电阻材料层。现有的电阻式随机存取存储装置的形成方法通常为按序沉积多层以形成下电极、可变电阻材料层、与上电极，接着一起蚀刻多层，使现有的电阻式随机存取存储装置的下电极、可变电阻材料层、与上电极的个别下侧边界与上侧边界彼此水平对准。形成含有多个配置的电阻式随机存取存储装置的电阻式随机存取存储阵列的此方法，通常受限于用以定义电阻式随机存取存储阵列的每一电阻式随机存取存储装置的间距的微影技术。此外，多个导电路径会导致难以评估装置效能。因此现有的电阻式随机存取存储装置与其形成方法无法满足所有方面。
技术实现思路
本公开一实施例提供的存储装置，包括：介电鳍状物，形成于基板上；一对存储单元，沿着介电鳍状物的个别侧壁，且存储单元的每一者包括：第一导体层、选择器层、电阻材料层、与第二导体层；以及盖层，沿着存储单元的至少一者的侧壁，其中第一导体层、选择器层、电阻材料层、与第二导体层各自包括上侧边界与下侧边界，且每一第一导体层、选择器层、电阻材料层、与第二导体层的上侧边界与下侧边界的至少一者，自介电鳍状物的侧壁的一者倾斜一角度。本公开一实施例提供的存储装置，包括：多个介电鳍状物，形成于基板上；多个存储单元，沿着介电鳍状物的个别侧壁，每一存储单元包括第一导体层、选择器层、电阻材料层、与第二导体层；以及盖层，沿着一对存储单元的至少一者的侧壁，其中第一导体层、选择器层、电阻材料层、与第二导体层各自包含上侧边界与下侧边界，且每一层的上侧边界与下侧边界的至少一者自介电鳍状物之一的个别鳍状物倾斜一角度。本公开一实施例提供的方法包括：形成介电鳍状物于基板上；沉积第一导体材料于介电鳍状物与基板上；蚀刻第一导体材料，以形成下侧导体层，其上侧边界自介电鳍状物的侧壁倾斜第一角度；沉积选择器材料于下侧导体层、介电鳍状物、与基板上；蚀刻选择器材料，以形成选择器层，其下侧边界与上侧边界自介电鳍状物的侧壁倾斜第二角度；沉积第二导体材料于选择器层、介电鳍状物、与基板上；蚀刻第二导体材料，以形成中间导体层，其下侧边界与上侧边界自介电鳍状物的侧壁倾斜第三角度；沉积电阻材料于中间导体层、介电鳍状物、与基板上；蚀刻电阻材料，以形成电阻材料层，其下侧边界与上侧边界自介电鳍状物的侧壁倾斜第四角度；沉积第三导体材料于电阻材料层、介电鳍状物、与基板上；蚀刻第三导体材料，以形成上侧导体层，其下侧边界与上侧边界自介电鳍状物的侧壁倾斜第五角度；以及沉积盖层于围绕介电鳍状物的第一导体材料、选择器材料、第二导体材料、电阻材料、与第三导体材料的至少一侧壁上。附图说明图1A、1B、与1C是一些实施例中，用于形成半导体装置的例示性方法的流程图。图2A、2B、2C、2D、2E、2F、2G、2H、2I、2J、2K、2L、2M、与2N是一些实施例中，以图1A至1C的方法形成的例示性半导体装置于多种制作阶段的剖视图。图3是一些实施例中，以图1A至1C的方法形成的含存储单元的存储装置的附图。附图标记说明：θ1、θ2、θ3、θ4、θ5角度100方法102、104、106、108、110、112、114、116、118、120、122、124、126、128步骤200电阻式随机存取存储装置202基板202U、204-1U、204-2U、210-1AU、222-1AU、226-1AU、230-1AU、234-1AU上侧边界204-1、204-2鳍状物204-1S1、204-1S2、204-2S1、204-2S2、210-1AS1、210-1AS2、222-1AS1、222-1AS2、226-1AS1、226-1AS2、230-1AS1、230-1AS2、234-1AS1、234-1AS2侧壁205宽度207高度208第一导体材料210-1A、210-1B、210-2A、210-2B下电极212-1、214-1、216-1、218-1第一部分212-2、214-2、216-2、218-2第二部分212-3、214-3、216-3、218-3第三部分212-4、214-4、216-4、218-4第四部分212-5、214-5、216-5、218-5第五部分219、223、227、231、235蚀刻工艺220选择器材料222-1A、222-1B、222-2A、222-2B选择器层222-1AL、226-1AL、230-1AL、234-1AL下侧边界224第二导体材料226-1A、226-1B、226-2A、226-2B中间电极228可变电阻材料230-1A、230-1B、230-2A、230-2B可变电阻材料层232第三导体材料234-1A、234-1B、234-2A、234-2B上电极236盖层238介电材料239研磨工艺240共平面边界250、252方向性导电路径301-1、301-2、301-3、301-4位元线302、306、310、314电阻式存储器303共同字元线304、308、312、316选择器具体实施方式下述公开内容提供许多不同实施例或实例以实施本公开的不同结构。特定构件与排列的实施例是用以简化本公开而非局限本公开。举例来说，形成第一构件于第二构件上的叙述包含两者直接接触，或两者之间隔有其他额外构件而非直接接触。此外，本公开的多种例子中可重复标号，但这些重复仅用以简化与清楚说明，不代表不同实施例及/或设置之间具有相同标号的单元之间具有相同的对应关系。此外，空间性的相对用语如“下方”、“其下”、“较下方”、“上方”、“较上方”、或类似用语可用于简化说明某一元件与另一元件在图示中的相对关系。空间性的相对用语可延伸至以其他方向使用的元件，而非局限于图示方向。元件亦可转动90°或其他角度，因此方向性用语仅用以说明图示中的方向。本公开提供新颖的电阻式随机存取存储装置与其形成方法的多种实施例。一些实施例中公开的电阻式随机存取存储装置包括一或多个电阻式随机存取存储单元，其各自沿着个别介电鳍状物的侧壁延伸。一或多个电阻式随机存取存储单元的每一者的组成，是电阻式随机存取存储电阻器与电阻式随机存取本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种存储装置，包括：/n一介电鳍状物，形成于一基板上；/n一对存储单元，沿着该介电鳍状物的个别侧壁，且该对存储单元的每一者包括：/n一第一导体层、一选择器层、一电阻材料层、与一第二导体层；以及/n一盖层，沿着该对存储单元的至少一者的侧壁，/n其中该第一导体层、该选择器层、该电阻材料层、与该第二导体层各自包括一上侧边界与一下侧边界，且每一该第一导体层、该选择器层、该电阻材料层、与该第二导体层的该上侧边界与该下侧边界的至少一者，自该介电鳍状物的侧壁的一者倾斜一角度。/n

【技术特征摘要】
20180829 US 16/116,3081.一种存储装置，包括：
一介电鳍状物，形成于一基板上；
一对存储单元，沿着该介电鳍状物的个别侧壁，且该对存储单元的每一者包括：
一第一导体层、一选择器层、一电阻材料层、与一第二导体...

【专利技术属性】
技术研发人员：莫竣杰，洪蔡豪，郭仕奇，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾;71