顶部与底部发光型微发光二极管显示器及其形成方法技术

本发明专利技术是关于一种微发光二极管显示器，包含第一主基板；多个微发光二极管，设于第一主基板之上；第一光阻断层，设于第一主基板的上方，以定义多个发光区；导光层，设于该些发光区内；及多个连接结构，设于该些发光区内且分别电性连接于该些微发光二极管。

Top and bottom LED display and its forming method

【技术实现步骤摘要】
顶部与底部发光型微发光二极管显示器及其形成方法
本专利技术是有关一种发光二极管显示器，特别是关于一种顶部发光型(topemission)微发光二极管显示器与底部发光型(bottomemission)微发光二极管显示器。
技术介绍
微发光二极管(microLED、mLED或μLED)显示面板为平板显示器(flatpaneldisplay)的一种，其是由尺寸等级为1～10微米的个别精微(microscopic)发光二极管所组成。相较于传统液晶显示面板，微发光二极管显示面板具较大对比度及较快反应时间，且消耗较少功率。微发光二极管与有机发光二极管(OLED)虽然同样具有低功耗的特性，但是，微发光二极管因为使用三-五族二极管技术(例如氮化镓)，因此相较于有机发光二极管具有较高的亮度(brightness)、较高的发光效能(luminousefficacy)及较长的寿命。使用薄膜晶体管(TFT)的主动驱动方式为一种普遍使用的驱动机制，其可以和微发光二极管结合以制造显示面板。但是，薄膜晶体管使用的是互补金属氧化物半导体(CMOS)制程，而微发光二极管则是使用覆晶(flipchip)技术，两者会产生热失配(thermalmismatch)问题，且薄膜晶体管的制程较为复杂。在低灰阶显示时，由于驱动电流很小，会受到微发光二极管的漏电流而影响灰阶显示。被动驱动方式为另一种驱动机制。传统的被动式驱动显示面板，其列驱动电路与行驱动电路是设于显示面板的边缘。然而，当显示面板的尺寸变大或者分辨率变高时，造成驱动器的输出负载过大，过长的延迟时间使得显示面板无法正常驱动。因此，被动式驱动机制无法适用于大尺寸的微发光二极管显示面板。因此，亟需提出一种新颖的微发光二极管显示面板，特别是大尺寸或高分辨率的显示面板，使其保有微发光二极管的优点且能改善传统驱动机制的缺点。由于相邻微发光二极管之间的距离极小，很容易造成相邻微发光二极管或相邻像素之间的互相干扰，例如混色(colormixing)，且降低对比度(contrastratio)。此外，微发光二极管需要借由连接导线与其他组件或电路作电性连接，这些连接导线通常包含不透明(opaque)材质或反射(reflective)材质，因此会造成不均匀(non-uniform)的显示问题。因此，亟需提出一种新颖的微发光二极管显示器，用以改善传统微发光二极管显示器的发光效能。
技术实现思路
鉴于上述，本专利技术实施例的目的之一在于提出一种顶部发光型微发光二极管显示器与底部发光型微发光二极管显示器的结构与制造方法，有效避免干扰、混色或不均匀的显示问题。本专利技术的目的及解决其技术问题是采用以下技术方案来实现的。根据本专利技术实施例之一，顶部发光型微发光二极管显示器包含第一主基板；底共电极层，设于第一主基板的顶面；多个微发光二极管，设于底共电极层之上；第一光阻断层，设于底共电极层的上方，以定义多个发光区；导光层，设于该些发光区内；及多个连接结构，设于该些发光区内且分别电性连接于该些微发光二极管。所述的顶部发光型微发光二极管显示器，其中该些连接结构具相同图样。所述的顶部发光型微发光二极管显示器，其中该些连接结构包含透明材质。所述的顶部发光型微发光二极管显示器，其中该些连接结构包含非透明材质。所述的顶部发光型微发光二极管显示器，其中该第一光阻断层为黑矩阵。所述的顶部发光型微发光二极管显示器，其中该第一光阻断层的厚度大于该导光层的厚度。所述的顶部发光型微发光二极管显示器，其中该第一光阻断层的厚度小于该导光层的厚度，该第一光阻断层与该导光层相邻的区域互相部分重叠，且该第一光阻断层被该导光层部分覆盖。所述的顶部发光型微发光二极管显示器，其中每一个该发光区相应于一个微发光二极管。所述的顶部发光型微发光二极管显示器，其中每一个该发光区相应于一个红色微发光二极管、一个绿色微发光二极管与一个蓝色微发光二极管。所述的顶部发光型微发光二极管显示器，其中该发光区内的红色微发光二极管、绿色微发光二极管与蓝色微发光二极管分别相应于相同图样的连接结构。所述的顶部发光型微发光二极管显示器，其中该连接结构全面形成于该发光区内。所述的顶部发光型微发光二极管显示器，更包含阻断基板，位于该第一主基板与该第一光阻断层的上方；及第二光阻断层，形成于该阻断基板的底面，该第二光阻断层覆盖该发光区与该第一光阻断层以外的区域；其中该第一光阻断层具框形以围绕该发光区，该第一光阻断层与该第二光阻断层相邻的区域互相部分重叠。所述的顶部发光型微发光二极管显示器，其中该第一光阻断层的开口内径异于该第二光阻断层的开口内径。所述的顶部发光型微发光二极管显示器，其中该第二光阻断层为黑矩阵。所述的顶部发光型微发光二极管显示器，其中该阻断基板的材质包含透光材质。所述的顶部发光型微发光二极管显示器，更包含第二主基板，与该第一主基板位于同一水平面，但分别相应于各自的微发光二极管显示面板，该第一主基板与该第二主基板之上分别设有第一光阻断层；其中该第一主基板与该第二主基板对应于同一个阻断基板，且于该第一主基板与该第二主基板的相邻处，该第一主基板的第一光阻断层与该第二主基板的第一光阻断层对应于同一个第二光阻断层。所述的顶部发光型微发光二极管显示器，更包含遮蔽层，设于该阻断基板与该第二光阻断层之间，用以遮蔽电磁干扰。所述的顶部发光型微发光二极管显示器，其中该遮蔽层包含透明导电材质。所述的顶部发光型微发光二极管显示器，其中该些微发光二极管为长方形，且垂直纵列设置。本专利技术的目的及解决其技术问题还可采用以下技术措施进一步实现。本专利技术提供一种形成顶部发光型微发光二极管显示器的方法，包含提供第一主基板，形成多个微发光二极管于该第一主基板之上；形成第一光阻断层于该第一主基板的上方，以定义多个发光区；形成导光层于该些发光区内；及形成多个连接结构于该些发光区内且分别电性连接于该些微发光二极管。所述的形成顶部发光型微发光二极管显示器的方法，其中该些连接结构具相同图样。所述的形成顶部发光型微发光二极管显示器的方法，其中该些连接结构包含透明材质。所述的形成顶部发光型微发光二极管显示器的方法，其中该些连接结构包含非透明材质。所述的形成顶部发光型微发光二极管显示器的方法，在形成该些微发光二极管之前，更全面形成导电层于该第一主基板的多个发光区内。所述的形成顶部发光型微发光二极管显示器的方法，在形成该些连接结构之前，更形成接触洞于该些微发光二极管的顶面。所述的形成顶部发光型微发光二极管显示器的方法，其中该第一光阻断层为黑矩阵。所述的形成顶部发光型微发光二极管显示器的方法，其中该发光区内的红色微发光二极管、绿色微发光二极管与蓝色微发光二极管分别相应于相同图样的连接结构。所述的形成顶部发光型微发光二极管显示器的方法，其中形成该第一光阻断层的步骤包含形成黑树脂；及使用光学制程及固化制程处理该黑树本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种顶部发光型微发光二极管显示器，其特征在于，包含：/n第一主基板；/n底共电极层，设于该第一主基板的顶面；/n多个微发光二极管，设于该底共电极层之上；/n第一光阻断层，设于该底共电极层的上方，以定义多个发光区；/n导光层，设于该些发光区内；及/n多个连接结构，设于该些发光区内且分别电性连接于该些微发光二极管。/n

【技术特征摘要】
1.一种顶部发光型微发光二极管显示器，其特征在于，包含：
第一主基板；
底共电极层，设于该第一主基板的顶面；
多个微发光二极管，设于该底共电极层之上；
第一光阻断层，设于该底共电极层的上方，以定义多个发光区；
导光层，设于该些发光区内；及
多个连接结构，设于该些发光区内且分别电性连接于该些微发光二极管。


2.根据权利要求1所述的顶部发光型微发光二极管显示器，其特征在于，其中该些连接结构具相同图样。


3.根据权利要求1所述的顶部发光型微发光二极管显示器，其特征在于，其中该些连接结构包含透明材质。


4.根据权利要求1所述的顶部发光型微发光二极管显示器，其特征在于，其中该些连接结构包含非透明材质。


5.根据权利要求1所述的顶部发光型微发光二极管显示器，其特征在于，其中该第一光阻断层为黑矩阵。


6.根据权利要求1所述的顶部发光型微发光二极管显示器，其特征在于，其中该第一光阻断层的厚度大于该导光层的厚度。


7.根据权利要求1所述的顶部发光型微发光二极管显示器，其特征在于，其中该第一光阻断层的厚度小于该导光层的厚度，该第一光阻断层与该导光层相邻的区域互相部分重叠，且该第一光阻断层被该导光层部分覆盖。


8.根据权利要求1所述的顶部发光型微发光二极管显示器，其特征在于，其中每一个该发光区相应于一个微发光二极管。


9.根据权利要求1所述的顶部发光型微发光二极管显示器，其特征在于，其中每一个该发光区相应于一个红色微发光二极管、一个绿色微发光二极管与一个蓝色微发光二极管。


10.根据权利要求1所述的顶部发光型微发光二极管显示器，其特征在于，其中该发光区内的红色微发光二极管、绿色微发光二极管与蓝色微发光二极管分别相应于相同图样的连接结构。


11.根据权利要求1所述的顶部发光型微发光二极管显示器，其特征在于，其中该连接结构全面形成于该发光区内。


12.根据权利要求1所述的顶部发光型微发光二极管显示器，其特征在于，更包含：
阻断基板，位于该第一主基板与该第一光阻断层的上方；及
第二光阻断层，形成于该阻断基板的底面，该第二光阻断层覆盖该发光区与该第一光阻断层以外的区域；
其中该第一光阻断层具框形以围绕该发光区，该第一光阻断层与该第二光阻断层相邻的区域互相部分重叠。


13.根据权利要求12所述的顶部发光型微发光二极管显示器，其特征在于，其中该第一光阻断层的开口内径异于该第二光阻断层的开口内径。


14.根据权利要求12所述的顶部发光型微发光二极管显示器，其特征在于，其中该第二光阻断层为黑矩阵。


15.根据权利要求12所述的顶部发光型微发光二极管显示器，其特征在于，其中该阻断基板的材质包含透光材质。


16.根据权利要求12所述的顶部发光型微发光二极管显示器，其特征在于，更包含：
第二主基板，与该第一主基板位于同一水平面，但分别相应于各自的微发光二极管显示面板，该第一主基板与该第二主基板之上分别设有第一光阻断层；
其中该第一主基板与该第二主基板对应于同一个阻断基板，且于该第一主基板与该第二主基板的相邻处，该第一主基板的第一光阻断层与该第二主基板的第一光阻断层对应于同一个第二光阻断层。


17.根据权利要求12所述的顶部发光型微发光二极管显示器，其特征在于，更包含遮蔽层，设于该阻断基板与该第二光阻断层之间，用以遮蔽电磁干扰。


18.根据权利要求17所述的顶部发光型微发光二极管显示器，其特征在于，其中该遮蔽层包含透明导电材质。


19.根据权利要求1所述的顶部发光型微发光二极管显示器，其特征在于，其中该些微发光二极管为长方形，且垂直纵列设置。


20.一种形成顶部发光型微发光二极管显示器的方法，其特征在于，包含：
提供第一主基板；
形成多个微发光二极管于该第一主基板之上；
形成第一光阻断层于该第一主基板的上方，以定义多个发光区；
形成导光层于该些发光区内；及
形成多个连接结构于该些发光区内且分别电性连接于该些微发光二极管。


21.根据权利要求20所述的形成顶部发光型微发光二极管显示器的方法，其特征在于，其中该些连接结构具相同图样。


22.根据权利要求20所述的形成顶部发光型微发光二极管显示器的方法，其特征在于，其中该些连接结构包含透明材质。


23.根据权利要求20所述的形成顶部发光型微发光二极管显示器的方法，其特征在于，其中该些连接结构包含非透明材质。


24.根据权利要求20所述的形成顶部发光型微发光二极管显示器的方法，其特征在于，在形成该些微发光二极管之前，更全面形成导电层于该第一主基板的多个发光区内。


25.根据权利要求20所述的形成顶部发光型微发光二极管显示器的方法，其特征在于，在形成该些连接结构之前，更形成接触洞于该些微发光二极管的顶面。


26.根据权利要求20所述的形成顶部发光型微发光二极管显示器的方法，其特征在于，其中该第一光阻断层为黑矩阵。


27.根据权利要求20所述的形成顶部发光型微发光二极管显示器的方法，其特征在于，其中该发光区内的红色微发光二极管、绿色微发光二极管与蓝色微发光二极管分别相应于相同图样的连接结构。


28.根据权利要求20所述的形成顶部发光型微发光二极管显示器的方法，其特征在于，其中形成该第一光阻断层的步骤包含：
形成黑树脂；及
使用光学制程及固化制程处理该黑树脂，以形成黑矩阵光阻断层。


29.根据权利要求20所述的形成顶部发光型微发光二极管显示器的方法，其特征在于，其中形成该第一光阻断层的步骤包含：
使用喷墨印刷技术及固化制程以形成黑矩阵光阻断层。


30.根据权利要求20所述的形成顶部发光型微发光二极管显示器的方法，其特征在于，其中形成该第一光阻断层的步骤包含：
形成铬/氧化铬薄膜；及
使用照相蚀刻技术处理该铬/氧化铬薄膜，以形成黑矩阵光阻断层。


31.一种底部发光型微发光二极管显示器，其特征在于，包含：
第一主基板；
多个微发光二极管，设于该第一主基板之上；
第一光阻断层，设于该第一主基板的上方，以定义多个发光区；
导光层，设于该些发光区内；
多个连接结构，设于该些发光区内且分别电性连接于该些微发光二极管；及
顶共电极层，设于该第一光阻断层与该些微发光二极管的顶面。


32.根据权利要求31所述的底部发光型微发光二极管显示器，其特征在于，其中该些连接结构具相同图样。


33.根据权利要求31所述的底部发光型微发光二极管显示器，其特征在于，其中该些连...

【专利技术属性】
技术研发人员：吴炳升，吴昭文，
申请(专利权)人：启端光电股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾;71