内部屏蔽微电子封装件和其制造方法技术

公开了对电磁交叉耦合有增加的电阻的内部屏蔽微电子封装件，还公开了用于制造这种微电子封装件的方法。在实施例中，所述内部屏蔽微电子封装件包括具有前侧和纵轴的基板。第一微电子装置安装在所述基板的所述前侧，而第二微电子装置另外安装在所述基板的所述前侧并且与所述第一微电子装置沿着所述纵轴隔开。内部屏蔽结构包括屏蔽壁或由屏蔽壁组成，所述屏蔽壁如沿着所述纵轴取得的定位在所述第一微电子装置与所述第二微电子装置之间。所述内部屏蔽壁结构至少部分地由磁导材料构成，这减少了在所述内部屏蔽微电子封装件的操作期间所述第一微电子装置与所述第二微电子装置之间的电磁交叉耦合。

Internal shielding microelectronic package and its manufacturing method

【技术实现步骤摘要】
内部屏蔽微电子封装件和其制造方法
本专利技术的实施例总体上涉及微电子，并且更具体地说，涉及内部屏蔽微电子封装件和用于生产内部屏蔽电子封装件的方法。
技术介绍
EM交叉耦合(更通俗地，“串扰”)可以发生在整合到或容置在微电子封装件中的电路系统的单独的信号路径之间。EM交叉耦合在小型大功率RF应用的上下文中尤其成问题。考虑例如包含N路多尔蒂(Doherty)PA电路系统并且具有相对紧凑的形状因子的的RF微电子封装件。通过常见设计，这种微电子封装件可以包含以并排关系附接到基底法兰的两个或更多个高增益晶体管管芯。接合线阵列可以将晶体管管芯与其它电路元件如封装端、集成式无源电容器或封装件内包含的其它装置互连。由于晶体管管芯与其对应的接合线阵列极为贴近，因此EM交叉耦合可能在封装件操作期间发生并且如果足够严重则可能限制RFPA电路系统的性能；例如，EM交叉耦合可以取代呈现给晶体管管芯的阻抗，这样会在线性度、效率、峰值功率或增益方面减损RF性能。类似地，EM交叉耦合同样会限制包含其它类型的电路系统的微电子装置的性能，所述其它类型的电路系统包含相对接近地延伸并且承载不同的电信号的信号路径。因此，持续需要提供微电子封装件，所述微电子封装件对EM交叉耦合具有降低的敏感性，即使在包含在较高功率水平下操作的(例如，RF)电路系统并且具有相对紧凑的形状因子时也是如此。在理想情况下，这种微电子组合件的实施例将会提供相邻信号路径对EM交叉耦合的增强屏蔽，同时保持高水平的封装性能并维持有效制造成本。类似地，期望提供用于制造具有这种有利特性的微电子封装件的方法。通过结合附图和前述
技术介绍
进行的随后的具体实施方式和随附权利要求书，本公开的实施例的其它期望特征和特性将会变得显而易见。
技术实现思路
根据本专利技术的第一方面，提供一种内部屏蔽微电子封装件，包括：基板，所述基板具有前侧和纵轴；第一微电子装置，所述第一微电子装置安装在所述基板的所述前侧；第二微电子装置，所述第二微电子装置另外安装在所述基板的所述前侧并且与所述第一微电子装置沿着所述纵轴隔开；以及内部屏蔽结构，所述内部屏蔽结构包括如沿着所述纵轴取得的定位在所述第一微电子装置与所述第二微电子装置之间的屏蔽壁，所述内部屏蔽结构至少部分地由磁导材料构成，从而减少了在所述内部屏蔽微电子封装件的操作期间所述第一微电子装置与所述第二微电子装置之间的电磁交叉耦合。在一个或多个实施例中，所述基板包括所述内部屏蔽结构所接触的基底法兰。在一个或多个实施例中，所述内部屏蔽结构进一步由通过所述基底法兰耦合到电接地的导电材料构成。在一个或多个实施例中，所述内部屏蔽结构包括：电屏蔽层；以及磁屏蔽层，所述磁屏蔽层具有比所述电屏蔽层的磁导率更大的磁导率并且具有比所述电屏蔽层的电导率更小的电导率。在一个或多个实施例中，所述磁屏蔽层和所述电屏蔽层中的一个层电镀到所述磁屏蔽层和所述电屏蔽层中的另一个层上。在一个或多个实施例中，所述内部屏蔽微电子封装件进一步包括：第一对封装引线，所述第一微电子装置电耦合到所述第一对封装引线；以及第二对封装引线，所述第二微电子装置电耦合到所述第二对封装引线；其中所述第一对封装引线、所述第二对封装引线和所述内部屏蔽结构包括引线框的单体化件。在一个或多个实施例中，所述第一微电子装置具有如沿着正交于所述基板的所述前侧的轴线取得的第一高度，所述第二微电子装置具有如沿着所述轴线取得的第二高度，并且所述内部屏蔽结构包括高度超过所述第一高度和所述第二高度的屏蔽壁。在一个或多个实施例中，所述内部屏蔽微电子封装件进一步包括：封装体；以及接合焊盘架，所述接合焊盘架围绕所述封装体的内周延伸，所述内部屏蔽结构在所述接合焊盘架的相对边缘之间延伸。在一个或多个实施例中，如沿着正交于所述纵轴的轴线取得的，所述接合焊盘架具有第一宽度并且所述内部屏蔽结构具有第二宽度，所述第二宽度等于或大于所述第一宽度的一半。在一个或多个实施例中，所述内部屏蔽微电子封装件进一步包括：封装体，所述封装体至少部分地由所述基板限定；以及覆盖件，所述覆盖件接合到所述封装体并且所述内部屏蔽结构附接到所述覆盖件。在一个或多个实施例中，所述内部屏蔽结构的至少一部分与所述覆盖件一体地形成。在一个或多个实施例中，所述内部屏蔽微电子封装件进一步包括在所述基板的所述前侧形成的开放沟槽，所述内部屏蔽结构的下边缘部分收纳在所述开放沟槽中。在一个或多个实施例中，所述内部屏蔽微电子封装件进一步包括：第一引线；第一接合线阵列，所述第一接合线阵列将所述第一微电子装置与所述第一引线电互连；第二引线，所述第二引线如沿着所述纵轴取得的与所述第一引线隔开；以及第二接合线阵列，所述第二接合线阵列将所述第二微电子装置与所述第二引线电互连，所述内部屏蔽结构的一部分如沿着所述纵轴取得的另外定位在第一接合线阵列与所述第二接合线阵列之间。在一个或多个实施例中，所述第一微电子装置包括第一晶体管管芯，所述第二微电子装置包括第二晶体管管芯，并且所述第一晶体管管芯和所述第二晶体管管芯包括射频功率放大电路系统。在一个或多个实施例中，所述内部屏蔽微电子封装件进一步包括：封装体，所述封装体包含所述第一微电子装置和所述第二微电子装置；以及第一封装引线和第二封装引线，所述第一封装引线和所述第二封装引线从所述封装体的一侧延伸，所述第一封装引线和所述第二封装引线分别电耦合到所述第一微电子装置和所述第二微电子装置；其中所述内部屏蔽结构另外包括从所述封装体突出并且在所述第一封装引线与所述第二封装引线之间延伸的屏蔽延伸件。根据本专利技术的第二方面，提供一种内部屏蔽微电子封装件，包括：第一微电子装置；第二微电子装置；封装体，所述封装体包含所述第一微电子装置和所述第二微电子装置；以及内部屏蔽结构，所述内部屏蔽结构包括位于所述封装体内并且定位在所述第一微电子装置与所述第二微电子装置之间的屏蔽壁，所述屏蔽壁包括：磁导部分，所述磁导部分具有第一磁导率和第一电导率；以及导电部分，所述导电部分接合到磁导层，所述导电部分具有小于所述第一磁导率的第二磁导率并且具有大于所述第一电导率的第二电导率。在一个或多个实施例中，所述磁导部分包括引线框的单体化件，并且所述磁导部分包括安置在所述引线框的所述单化体件上的导电层。根据本专利技术的第三方面，提供一种用于制造内部屏蔽微电子封装件的方法，所述方法包括：提供具有前侧的基板；将第一微电子装置和第二微电子装置附接到所述基板的所述前侧；以及在将所述第一微电子装置和所述第二微电子装置附接到所述基板的所述前侧之前或之后，将屏蔽壁定位在所述第一微电子装置与所述第二微电子装置之间；其中所述屏蔽壁至少部分地由磁导材料构成，从而减少了在所述内部屏蔽微电子封装件的操作期间所述第一微电子本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种内部屏蔽微电子封装件，其特征在于，包括：/n基板，所述基板具有前侧和纵轴；/n第一微电子装置，所述第一微电子装置安装在所述基板的所述前侧；/n第二微电子装置，所述第二微电子装置另外安装在所述基板的所述前侧并且与所述第一微电子装置沿着所述纵轴隔开；以及/n内部屏蔽结构，所述内部屏蔽结构包括如沿着所述纵轴取得的定位在所述第一微电子装置与所述第二微电子装置之间的屏蔽壁，所述内部屏蔽结构至少部分地由磁导材料构成，从而减少了在所述内部屏蔽微电子封装件的操作期间所述第一微电子装置与所述第二微电子装置之间的电磁交叉耦合。/n

【技术特征摘要】
20180829 US 16/116,6861.一种内部屏蔽微电子封装件，其特征在于，包括：
基板，所述基板具有前侧和纵轴；
第一微电子装置，所述第一微电子装置安装在所述基板的所述前侧；
第二微电子装置，所述第二微电子装置另外安装在所述基板的所述前侧并且与所述第一微电子装置沿着所述纵轴隔开；以及
内部屏蔽结构，所述内部屏蔽结构包括如沿着所述纵轴取得的定位在所述第一微电子装置与所述第二微电子装置之间的屏蔽壁，所述内部屏蔽结构至少部分地由磁导材料构成，从而减少了在所述内部屏蔽微电子封装件的操作期间所述第一微电子装置与所述第二微电子装置之间的电磁交叉耦合。


2.根据权利要求1所述的内部屏蔽微电子封装件，其特征在于，所述内部屏蔽结构包括：
电屏蔽层；以及
磁屏蔽层，所述磁屏蔽层具有比所述电屏蔽层的磁导率更大的磁导率并且具有比所述电屏蔽层的电导率更小的电导率。


3.根据权利要求1所述的内部屏蔽微电子封装件，其特征在于，进一步包括：
第一对封装引线，所述第一微电子装置电耦合到所述第一对封装引线；以及
第二对封装引线，所述第二微电子装置电耦合到所述第二对封装引线；
其中所述第一对封装引线、所述第二对封装引线和所述内部屏蔽结构包括引线框的单体化件。


4.根据权利要求1所述的内部屏蔽微电子封装件，其特征在于，所述第一微电子装置具有如沿着正交于所述基板的所述前侧的轴线取得的第一高度，所述第二微电子装置具有如沿着所述轴线取得的第二高度，并且所述内部屏蔽结构包括高度超过所述第一高度和所述第二高度的屏蔽壁。


5.根据权利要求1所述的内部屏蔽微电子封装件，其特征在于，进一步包括：
封装体；以及
接合焊盘架，所述接合焊盘架围绕所述封装体的内周延伸，所述内部屏蔽结构在所述接合焊盘架的相对边缘之间延伸。


6.根据权利要求1所述的内部屏蔽微电子封装件，其特征在于，进一步...

【专利技术属性】
技术研发人员：A·桑切斯，L·维斯瓦纳坦，V·希利姆卡尔，R·斯里尼迪安巴尔，
申请(专利权)人：恩智浦美国有限公司，
类型：发明
国别省市：美国;US