芯片封装结构的形成方法技术

本公开实施例提供一种芯片封装结构的形成方法，包含：形成导电结构于基板之上；基板包含介电层和位于介电层中的布线层，且导电结构电性连接至布线层；形成第一模制层于基板之上并围绕导电结构；形成重分布结构于第一模制层和导电结构之上；以及将芯片结构接合至重分布结构。

【技术实现步骤摘要】
芯片封装结构的形成方法
本公开实施例涉及芯片封装结构及其形成方法，且特别涉及芯片封装结构中的导电结构及其形成方法。
技术介绍
半导体装置已运用在各种电子应用上，例如个人电脑、手机、数码相机以及其他的电子设备。半导体装置的制造通常会按序将绝缘层或介电层、导电层及半导体层沉积在半导体基板之上，并且利用光刻工艺和蚀刻工艺将各材料层图案化以形成电路元件及其上的元件。随着半导体技术的发展，半导体芯片/晶粒变得越来越小。此时，需要将更多功能整合到半导体晶粒中。结果，半导体晶粒的封装变得更困难。
技术实现思路
根据本公开的一实施例，提供一种芯片封装结构的形成方法，包含：形成导电结构于基板之上，其中基板包含介电层和位于介电层中的布线层，且导电结构电性连接至布线层；形成第一模制层于基板之上并围绕导电结构和基板；形成重分布结构于第一模制层和导电结构之上；以及将芯片结构接合至重分布结构。根据本公开的另一实施例，提供一种芯片封装结构的形成方法，包含：形成导电结构于基板之上，其中基板包含介电层和位于介电层中的布线层，且导电结构电性连接至布线层；形成第一模制层于基板之上以围绕导电结构；移除导电结构之上的第一模制层；形成重分布结构于第一模制层和导电结构之上，其中重分布结构直接接触导电结构；以及将芯片结构接合至重分布结构。又根据本公开的另一实施例，提供一种芯片封装结构，包含：基板，包含介电层和位于介电层中的布线层，其中基板具有第一表面和侧壁，且侧壁邻接第一表面；导电结构，位于第一表面之上并电性连接至布线层；第一模制层，位于第一表面和侧壁之上以围绕导电结构和基板；重分布结构，位于第一模制层和导电结构之上；以及芯片结构，位于重分布结构之上。附图说明通过以下的详细描述配合说明书附图，可以更加理解本公开实施例的内容。需强调的是，根据产业上的标准惯例，许多部件(feature)并未按照比例绘制。事实上，为了能清楚地讨论，各种部件的尺寸可能被任意地增加或减少。图1A至图1I根据一些实施例示出形成芯片封装结构的工艺的各个阶段的剖面示意图。附图标记说明：100～芯片封装结构110～载体基板120～粘着层130、172a、174a～基板130a、131a、131b、156～表面131c、154、169、214～侧壁132、161、163、165、DI1、DI2～介电层132a、144a、161a、163a、165a～开口134、162、164～布线层136～导孔138、139、166、P1、P2～导电垫142～种子层144～遮罩层146～导电层147～导电结构147a、152、167、174d、212～顶表面150、176d、210～模制层160、176a～重分布结构168、B1、B2～底表面170～芯片结构172、174、176b～芯片172b、174b～装置层172c、174c～内连线层176～芯片封装176c、182、184、186、220～导电凸块190～底部充填层D1～距离T1、T2、T3、T4、T5～厚度V1～方向W1、W2、W3、W4、W5～宽度具体实施方式以下内容提供了许多不同的实施例或范例，用于实施所提供的标的的不同部件。组件和配置的具体范例描述如下，以简化本公开实施例。当然，这些仅仅是范例，并非用以限定本公开实施例。举例来说，叙述中若提及第一部件形成于第二部件上方，可能包含形成第一和第二部件直接接触的实施例，也可能包含额外的部件形成于第一和第二部件之间，使得第一和第二部件不直接接触的实施例。此外，本公开实施例在不同范例中可重复使用参考数字及/或字母，此重复是为了简化和清楚的目的，并非代表所讨论的不同实施例及/或组态之间有特定的关系。此外，其中可能用到与空间相对用语，例如“在……之下”、“在……下方”、“下方的”、“在……上方”、“上方的”及类似的用词，这些空间相对用语为了便于描述如图所示的一个(些)元件或部件与另一个(些)元件或部件之间的关系。这些空间相对用语包含使用中或步骤中的装置的不同方位，以及附图中所描述的方位。当装置被转向不同方位时(旋转90度或其他方位)，则其中所使用的空间相对形容词也将依转向后的方位来解释。应理解的是，可在此方法之前、期间及之后提供额外的步骤，且在此方法的其他实施例中，可置换或删除所述的一些操作。图1A至图1I根据一些实施例示出形成芯片封装结构的工艺的各个阶段的剖面图。根据一些实施例，如图1A所示，提供载体基板110。根据一些实施例，载体基板110被配置以在后续工艺步骤期间提供暂时性的机械和结构支撑。根据一些实施例，载体基板110包含玻璃、硅、氧化硅、氧化铝、金属、前述的组合及/或类似的材料。根据一些实施例，载体基板110包含金属框架。根据一些实施例，如图1A所示，形成粘着层120于载体基板110之上。根据一些实施例，粘着层120直接接触载体基板110。根据一些实施例，粘着层120顺应性地(conformally)形成于载体基板110上。根据一些实施例，粘着层120是由例如聚合物材料的绝缘材料所组成。利用涂布工艺或其他合适的工艺来形成粘着层120。根据一些实施例，如图1A所示，基板130设置在粘着层120之上。根据一些实施例，基板130具有表面131a和131b以及侧壁131c。根据一些实施例，表面131a背向载体基板110。根据一些实施例，表面131a相反于表面131b。根据一些实施例，侧壁131c位于表面131a和131b之间。根据一些实施例，侧壁131c邻接表面131a和131b。根据一些实施例，基板130包含介电层132、布线层(wiringlayers)134、导孔(conductivevias)136以及导电垫138和139。根据一些实施例，布线层134、导孔136以及导电垫138和139位于介电层132中。根据一些实施例，一些导孔136在布线层134之间电性连接。根据一些实施例，其他导孔136在布线层134和导电垫138之间电性连接。根据一些实施例，布线层134、导孔136以及导电垫138和139彼此电性连接。介电层132是由聚合物材料或其他合适的材料所组成。举例而言，介电层132包含例如玻璃纤维材料的纤维材料、例如聚合物材料的预浸材料(prepregmaterial)、Ajinomoto积层膜(ABF；AjinomotoBuild-upFilm)、阻焊材料或前述的组合。根据一些实施例，布线层134、导孔136以及导电垫138和139是由例如铜、铝或钨的导电材料所组成。根据一些实施例，如图1A所示，形成种子层142于基板130之上。根据一些实施例，种子层142形成于导电垫138和介电层132之上。根据一些实施例，种子层142直接接触导电垫1本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种芯片封装结构的形成方法，包括：/n形成一导电结构于一基板之上，其中该基板包含一介电层和位于该介电层中的一布线层，且该导电结构电性连接至该布线层；/n形成一第一模制层于该基板之上并围绕该导电结构和该基板；/n形成一重分布结构于该第一模制层和该导电结构之上；以及/n将一芯片结构接合至该重分布结构。/n

【技术特征摘要】
20180830 US 62/724,838;20190108 US 16/242,3111.一种芯片封装结构的形成方法，包括：
形成一导电结构于一基板...

【专利技术属性】
技术研发人员：蔡柏豪，洪士庭，郑心圃，翁得期，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾;71