加成固化型有机硅组合物及半导体装置制造方法及图纸

本发明专利技术为一种加成固化型有机硅组合物，其特征在于，其含有：(A)下述平均单元式(1)所示的有机聚硅氧烷；(B)下述平均单元式(2)所示的有机聚硅氧烷；(C)下述平均组成式(3)所示的、1分子中具有至少2个Si‑H键的有机氢聚硅氧烷；及(D)氢化硅烷化反应催化剂。由此，本发明专利技术提供一种供给固化快、透光率高、耐高温性优异的固化物的加成固化型有机硅组合物以及使用了该组合物的半导体装置。(R

Addition curing silicone composition and semiconductor device

【技术实现步骤摘要】
加成固化型有机硅组合物及半导体装置
本专利技术涉及加成固化型有机硅组合物以及半导体元件被该组合物的固化物覆盖的半导体装置。
技术介绍
通过氢化硅烷化反应而固化的加成固化型有机硅组合物被用作光电藕合器、发光二极管、固态成像元件等光学用半导体装置中的半导体元件的保护性涂布剂。这样的半导体元件的保护性涂布剂的硬度或透明性有时因为由半导体元件产生的热或光而发生变化。为了抑制该变化，以往通过将Q单元(SiO2)导入分子内(专利文献1～4)，进一步通过将软链段导入组成中来进行应对(专利文献5)。然而，这种应对方法不能应对永久性材料的硬度变化。此外，由于周边元件使用了不耐热的树脂，因此在以20～80℃等低温使其固化时，通常增加固化催化剂来进行应对，因此具有不经济的缺点。现有技术文献专利文献专利文献1：日本特开平7-252419号公报专利文献2：日本特开2011-252175号公报专利文献3：日本特开2013-067683号公报专利文献4：日本特开2009-052038号公报专利文献5：日本特开2007-63538号公报
技术实现思路
本专利技术要解决的技术问题本专利技术鉴于上述情况而成，其目的在于提供一种供给固化快、透光率高、耐高温性优异的固化物的加成固化型有机硅组合物，以及使用了该组合物的半导体装置。解决技术问题的技术手段为了解决上述技术问题，本专利技术提供一种加成固化型有机硅组合物，其特征在于，其包含：(A)下述平均单元式(1)所示的有机聚硅氧烷，(R1SiO3/2)a1(R13SiO1/2)b1(X1O1/2)c1···(1)式中，R1为可以相同也可以不同的取代或未取代的脂肪族一价烃基，全部R1中的0.1～50％为烯基，X1为氢原子或烷基，a1、b1、c1为满足0.1≤a1≤1、0≤b1≤0.75、0≤c1≤0.1、且a1+b1+c1＝1的数；(B)下述平均单元式(2)所示的有机聚硅氧烷：其相对于100质量份的(A)成分为0～5,000质量份，(R22SiO)a2(R23SiO1/2)b2···(2)式中，R2为可以相同也可以不同的取代或未取代的脂肪族一价烃基，全部R2中的0.01～25摩尔％为烯基，a2、b2为满足0.33≤a2≤0.999、0.001≤b2≤0.67、且a2+b2＝1的正数；(C)下述平均组成式(3)所示的、1分子中具有至少2个Si-H键的有机氢聚硅氧烷：其相对于(A)成分与(B)成分的总量100质量份为1～200质量份，R3dHeSiO[(4-d-e)/2]···(3)式中，R3为除脂肪族不饱和烃基以外的、可以相同也可以不同的取代或未取代的一价烃基，d、e为满足0.7≤d≤2.1、0.01≤e≤1.0、且0.8≤d+e≤2.7的正数；及(D)氢化硅烷化反应催化剂：相对于组合物整体，其为以金属原子的质量换算计为0.01～500ppm的量。由这样的本专利技术的加成固化型有机硅组合物形成的固化物的固化快、透光率高、耐高温性优异，因此作为反光材料，例如作为发光装置用、特别是发光二极管用的密封材料是有用的。此外，优选：在所述(A)成分中，所述平均单元式(1)中的R1包含碳原子数为1～3的烷基。若为这样的化合物，则能够得到耐热性及固化性更优异的固化物。此外，优选：在所述(A)成分中，所述平均单元式(1)中的R1中，甲基的含有率为80摩尔％以上，剩余为乙烯基。若为这样的化合物，则能够得到耐热性及固化性更优异的固化物。此外，优选：相对于(A)成分与(B)成分的总量100质量份，进一步含有0.01～3质量份的(E)含有环氧基的有机硅烷化合物及有机聚硅氧烷中的任意一种或两种。如上所述，通过含有(E)成分，能够提高粘合性。进一步，本专利技术提供一种半导体装置，其特征在于，利用上述记载的加成固化型有机硅组合物的固化物覆盖半导体元件。若为这样的半导体装置，则由于由如上所述的固化快、透光率高、耐高温性优异的固化物构成，因此为可靠性优异的半导体装置。专利技术效果由本专利技术的加成固化型有机硅组合物形成的固化物的固化快、透光率高、耐高温性优异，因此作为反光材料，例如作为发光装置用、特别是发光二极管用的密封材料是有用的。附图说明图1为示出本专利技术的半导体装置的一个例子的剖面示意图。附图标记说明1…半导体装置、2…镀银基板、3…封装、4…半导体芯片、5…接合线、6…加成固化型有机硅组合物(的固化物)。具体实施方式本申请的专利技术人对上述技术问题反复进行了深刻研究，结果发现，含有具有特定结构的有机聚硅氧烷的加成固化型有机硅组合物可供给固化性、透明性、耐热性优异的固化物，从而完成了本专利技术。即，本专利技术为一种加成固化型有机硅组合物，其包含：(A)下述平均单元式(1)所示的有机聚硅氧烷，(R1SiO3/2)a1(R13SiO1/2)b1(X1O1/2)c1···(1)式中，R1为可以相同也可以不同的取代或未取代的脂肪族一价烃基，全部R1中的0.1～50％为烯基。X1为氢原子或烷基，a1、b1、c1为满足0.1≤a1≤1、0≤b1≤0.75、0≤c1≤0.1、且a1+b1+c1＝1的数；(B)下述平均单元式(2)所示的有机聚硅氧烷：其相对于100质量份的(A)成分为0～5,000质量份，(R22SiO)a2(R23SiO1/2)b2···(2)式中，R2为可以相同也可以不同的取代或未取代的脂肪族一价烃基，全部R2中的0.01～25摩尔％为烯基，a2、b2为满足0.33≤a2≤0.999、0.001≤b2≤0.67、且a2+b2＝1的正数；(C)下述平均组成式(3)所示的、1分子中具有至少2个Si-H键的有机氢聚硅氧烷：其相对于(A)成分与(B)成分的总量100质量份为1～200质量份，R3dHeSiO[(4-d-e)/2]···(3)式中，R3为除脂肪族不饱和烃基以外的、可以相同也可以不同的取代或未取代的一价烃基，d、e为满足0.7≤d≤2.1、0.01≤e≤1.0、且0.8≤d+e≤2.7的正数；及(D)氢化硅烷化反应催化剂：相对于组合物整体，其为以金属原子的质量换算计为0.01～500ppm的量。以下，对本专利技术进行详细说明，但本专利技术并不限定于此。另外，在本说明书中，粘度为利用旋转粘度计测定的值。＜加成固化型有机硅组合物＞本专利技术的加成固化型有机硅组合物含有下述(A)～(D)成分而成。以下，对各成分进行详细说明。[(A)成分](A)成分为下述平均单元式(1)所示的有机聚硅氧烷。(R1SiO3/2)a1(R13SiO1/2)b1(X1O1/2)c1···(1)式中，R1为可以相同也可以不同的取代或未取代的脂肪族一价烃基，全部R1中的0.1～50％本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种加成固化型有机硅组合物，其特征在于，其包含：/n(A)下述平均单元式(1)所示的有机聚硅氧烷，/n(R

【技术特征摘要】
20180828 JP 2018-1591181.一种加成固化型有机硅组合物，其特征在于，其包含：
(A)下述平均单元式(1)所示的有机聚硅氧烷，
(R1SiO3/2)a1(R13SiO1/2)b1(X1O1/2)c1···(1)
式中，R1为可以相同也可以不同的取代或未取代的脂肪族一价烃基，全部R1中的0.1～50％为烯基，X1为氢原子或烷基，a1、b1、c1为满足0.1≤a1≤1、0≤b1≤0.75、0≤c1≤0.1、且a1+b1+c1＝1的数；
(B)下述平均单元式(2)所示的有机聚硅氧烷：其相对于100质量份的(A)成分为0～5,000质量份，
(R22SiO)a2(R23SiO1/2)b2···(2)
式中，R2为可以相同也可以不同的取代或未取代的脂肪族一价烃基，全部R2中的0.01～25摩尔％为烯基，a2、b2为满足0.33≤a2≤0.999、0.001≤b2≤0.67、且a2+b2＝1的正数；
(C)下述平均组成式(3)所示的、1分子中具有至少2个Si-H键的有机氢聚硅氧烷：其相对于(A)成分与(B)成分的总量100质量份为1～200质量份，
R3dHeSiO[(4-d-e)/2]···(3)
式中，R3为除脂肪族不饱和烃基以外的、可以相同也可以不同的取代或未取代的一价烃基，d、e为满足0.7≤d≤2.1、0.01≤e≤1.0、且0.8≤d+e≤2...

【专利技术属性】
技术研发人员：小材利之，木村真司，
申请(专利权)人：信越化学工业株式会社，
类型：发明
国别省市：日本;JP