显示面板的制备方法技术

技术编号:23448494 阅读:20 留言:0更新日期:2020-02-28 22:01
本发明专利技术涉及一种显示面板的制备方法。该显示面板包括显示区、开孔区与隔离区,隔离区位于显示区与开孔区之间;所述方法包括:在衬底上形成支撑层,支撑层位于开孔区与隔离区;支撑层包括第一支撑子层与第二支撑子层;第一支撑子层在衬底上的投影位于开孔区,第二支撑子层在衬底上的投影位于隔离区;在支撑层上形成第一阻挡层;第一阻挡层包括第一阻挡子层与第二阻挡子层,第一阻挡子层位于第一支撑子层上,第二阻挡子层位于第二支撑子层上且位于第二支撑子层上的开槽区;刻蚀第二阻挡子层;对开槽区进行刻蚀得到凹槽与隔离柱,凹槽的底面的面积大于开口的面积。根据本发明专利技术的实施例,可使得有机发光材料层在凹槽的槽壁处发生自然分离,降低成本。

Preparation of display panel

【技术实现步骤摘要】
显示面板的制备方法
本专利技术涉及OLED显示设备
,尤其涉及一种显示面板的制备方法。
技术介绍
随着显示装置的快速发展,用户对屏幕占比的要求越来越高。由于屏幕顶部需要安装摄像头、传感器、听筒等元件,因此,相关技术中屏幕顶部通常会预留开孔区域用于安装上述元件,以实现高的屏占比。
技术实现思路
本专利技术提供一种显示面板的制备方法,以解决相关技术中的不足。根据本专利技术实施例的第一方面,提供一种显示面板的制备方法,所述显示面板包括:显示区、开孔区与隔离区,所述隔离区位于所述显示区与所述开孔区之间,且至少部分围绕所述开孔区;所述方法包括:在衬底上形成支撑层,所述支撑层位于所述开孔区与所述隔离区;所述支撑层包括第一支撑子层与第二支撑子层;所述第一支撑子层在所述衬底上的投影位于所述开孔区,所述第二支撑子层在所述衬底上的投影位于所述隔离区;在所述支撑层上形成第一阻挡层;所述第一阻挡层包括第一阻挡子层、第二阻挡子层与第三阻挡子层,所述第一阻挡子层位于所述第一支撑子层上,所述第二阻挡子层与所述第三阻挡子层位于所述第二支撑子层上,且所述第二阻挡子层位于所述第二支撑子层上的开槽区;刻蚀所述第二阻挡子层,以暴露所述开槽区;对所述开槽区进行刻蚀,得到凹槽与隔离柱,所述凹槽的底面的面积大于开口的面积;所述隔离柱与所述凹槽相间分布;所述隔离柱远离所述衬底的表面的面积大于所述隔离柱靠近所述衬底的底面的面积。在一个实施例中,所述的显示面板的制备方法,还包括:在所述衬底上形成缓冲层,所述缓冲层位于所述显示区,所述支撑层与所述缓冲层在同一工序中形成。由于支撑层与缓冲层在同一工序中形成,这样可以节约工序,降低成本。在一个实施例中,所述的显示面板的制备方法,还包括:在所述衬底上形成缓冲层,所述缓冲层位于所述显示区;在所述缓冲层上形成隔离层,所述隔离层位于所述显示区,所述支撑层与所述隔离层在同一工序中形成。由于支撑层与隔离层在同一工序中形成,这样可以节约工序,降低成本。在一个实施例中,所述的显示面板的制备方法,还包括:在所述衬底上形成驱动电路层,所述驱动电路层位于所述显示区,所述驱动电路层远离所述衬底的表面与所述支撑层远离所述衬底的表面齐平;在所述驱动电路层上形成第二阻挡层;所述第二阻挡层远离所述衬底的表面与所述第一阻挡层远离所述衬底的表面齐平。由于在驱动电路层上形成了第二阻挡层,因此,可以在刻蚀第二阻挡子层时和在对开槽区进行刻蚀时可以对驱动电路层进行保护,避免损坏驱动电路层。在一个实施例中,所述第二阻挡层与所述第一阻挡层在同一工序中形成。由于第二阻挡层与第一阻挡层在同一工序中形成,这样可以节约工序,降低成本。在一个实施例中,所述驱动电路层包括连线层;所述支撑层与所述连线层在同一工序中形成。由于支撑层与连线层在同一工序中形成,这样可以节约工序,降低成本。在一个实施例中,所述对所述开槽区进行刻蚀,得到凹槽与隔离柱之后,还包括:刻蚀所述第一阻挡子层、所述第三阻挡子层与所述第二阻挡层,得到阵列基板。所述刻蚀所述第一阻挡子层、所述第三阻挡子层与所述第二阻挡层,包括:对所述第一阻挡子层、所述第三阻挡子层与所述第二阻挡层进行湿法刻蚀。优选地,进行湿法刻蚀采用的酸液的成分包括磷酸、草酸、醋酸中的至少一种。由于进行湿法刻蚀采用的酸液的成分包括磷酸、草酸、醋酸中的至少一种,可以防止损坏驱动电路层中的阳极。优选地,所述第一阻挡层的材料为氧化铟锡(ITO)、氧化铟镓(IGO)或氧化铟镓锌(IGZO);所述第二阻挡层的材料为氧化铟锡(ITO)、氧化铟镓(IGO)或氧化铟镓锌(IGZO)。在一个实施例中,所述在所述支撑层上形成第一阻挡层之后,还包括:刻蚀所述第一阻挡子层;优选地,刻蚀所述第一阻挡子层与刻蚀所述第二阻挡子层在同一工序中完成。由于刻蚀第一阻挡子层与刻蚀第二阻挡子层在同一工序中完成,这样可以节约工序,降低成本。优选地,所述对所述开槽区进行刻蚀,得到凹槽与隔离柱之后,还包括:刻蚀所述第三阻挡子层与所述第二阻挡层,得到阵列基板。在一个实施例中,所述刻蚀所述第二阻挡子层之前,包括:在所述第一阻挡层上涂覆正性光刻胶;在所述正性光刻胶上放置掩膜版,所述掩膜版包括第一透光区,所述第二阻挡子层位于所述第一透光区;对所述第一透光区的正性光刻胶进行曝光、显影处理,去除所述第一透光区的正性光刻胶,以暴露所述第二阻挡子层。所述刻蚀所述第二阻挡子层,包括:对所述第二阻挡子层进行湿法刻蚀;优选地,当刻蚀所述第一阻挡子层与刻蚀所述第二阻挡子层在同一工序中完成时,所述掩膜版包括第二透光区,所述第一阻挡子层位于所述第二透光区;所述刻蚀所述第一阻挡子层之前,包括:对所述第二透光区的正性光刻胶进行曝光、显影处理,去除所述第二透光区的正性光刻胶,以暴露所述第一阻挡子层;所述刻蚀所述第一阻挡子层,包括:对所述第一阻挡子层进行湿法刻蚀。优选地,进行湿法刻蚀采用的酸液的成分包括磷酸、草酸、醋酸中的至少一种。优选地,所述第一阻挡层的材料为氧化铟锡(ITO)、氧化铟镓(IGO)或氧化铟镓锌(IGZO)。在一个实施例中,所述对所述开槽区进行刻蚀,得到凹槽与隔离柱,包括:采用第一气体与第二气体的第一混合气体对所述开槽区的第二支撑子层进行干法刻蚀,所述第一混合气体中第一气体与第二气体的成分比为2:1~10:1;采用所述第一气体与所述第二气体的第二混合气体对所述开槽区的有机层进行干法刻蚀,其中,所述第二混合气体中所述第一气体与所述第二气体的成分比为1:4~1:10。由于对开槽区的第二阻挡子层进行干法刻蚀时第一气体与第二气体的成分比为2:1~10:1,对开槽区的有机层进行干法刻蚀时第一气体与第二气体的成分比为1:4~1:10,可以使对有机层的刻蚀速率大于对第二阻挡子层的刻蚀速率,进而使凹槽的底面的面积大于开口的面积。优选地,所述第一气体包括四氟化碳与四氟化硫中的至少一种,所述第二气体包括氧气。优选地,所述支撑层的材料包括氮化硅或氧化硅。在一个实施例中,进行干法刻蚀的功率为2000~10000瓦。在一个实施例中,所述的显示面板的制备方法,还包括:在所述阵列基板上形成有机发光材料层;在所述有机发光材料层上形成阴极层;在所述阴极层上形成封装层。在一个实施例中,所述在所述阴极层上形成封装层之后,还包括:在所述封装层上形成有机填充层;所述有机填充层填充于所述封装层远离所述衬底的表面所形成的容纳空间内。由于封装层远离衬底的表面所形成的容纳空间内填充有有机填充层,因此,可以防止后续工序对凹槽产生损伤,还可以防止后续工序中的布线发生断裂,以及可以防止发生气泡不良。根据上述实施例可知,通过在衬底上形成本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种显示面板的制备方法,其特征在于,所述显示面板包括:显示区、开孔区与隔离区,所述隔离区位于所述显示区与所述开孔区之间,且至少部分围绕所述开孔区;所述方法包括:/n在衬底上形成支撑层,所述支撑层位于所述开孔区与所述隔离区;所述支撑层包括第一支撑子层与第二支撑子层;所述第一支撑子层在所述衬底上的投影位于所述开孔区,所述第二支撑子层在所述衬底上的投影位于所述隔离区;/n在所述支撑层上形成第一阻挡层;所述第一阻挡层包括第一阻挡子层、第二阻挡子层与第三阻挡子层,所述第一阻挡子层位于所述第一支撑子层上,所述第二阻挡子层与所述第三阻挡子层位于所述第二支撑子层上,且所述第二阻挡子层位于所述第二支撑子层上的开槽区;/n刻蚀所述第二阻挡子层,以暴露所述开槽区;/n对所述开槽区进行刻蚀,得到凹槽与隔离柱,所述凹槽的底面的面积大于开口的面积;所述隔离柱与所述凹槽相间分布;所述隔离柱远离所述衬底的表面的面积大于所述隔离柱靠近所述衬底的底面的面积。/n

【技术特征摘要】
1.一种显示面板的制备方法,其特征在于,所述显示面板包括:显示区、开孔区与隔离区,所述隔离区位于所述显示区与所述开孔区之间,且至少部分围绕所述开孔区;所述方法包括:
在衬底上形成支撑层,所述支撑层位于所述开孔区与所述隔离区;所述支撑层包括第一支撑子层与第二支撑子层;所述第一支撑子层在所述衬底上的投影位于所述开孔区,所述第二支撑子层在所述衬底上的投影位于所述隔离区;
在所述支撑层上形成第一阻挡层;所述第一阻挡层包括第一阻挡子层、第二阻挡子层与第三阻挡子层,所述第一阻挡子层位于所述第一支撑子层上,所述第二阻挡子层与所述第三阻挡子层位于所述第二支撑子层上,且所述第二阻挡子层位于所述第二支撑子层上的开槽区;
刻蚀所述第二阻挡子层,以暴露所述开槽区;
对所述开槽区进行刻蚀,得到凹槽与隔离柱,所述凹槽的底面的面积大于开口的面积;所述隔离柱与所述凹槽相间分布;所述隔离柱远离所述衬底的表面的面积大于所述隔离柱靠近所述衬底的底面的面积。


2.根据权利要求1所述的显示面板的制备方法,其特征在于,还包括:
在所述衬底上形成缓冲层,所述缓冲层位于所述显示区,所述支撑层与所述缓冲层在同一工序中形成;或者,
在所述衬底上形成缓冲层,所述缓冲层位于所述显示区;
在所述缓冲层上形成隔离层,所述隔离层位于所述显示区,所述支撑层与所述隔离层在同一工序中形成。


3.根据权利要求1所述的显示面板的制备方法,其特征在于,还包括:
在所述衬底上形成驱动电路层,所述驱动电路层位于所述显示区,所述驱动电路层远离所述衬底的表面与所述支撑层远离所述衬底的表面齐平;
在所述驱动电路层上形成第二阻挡层;所述第二阻挡层远离所述衬底的表面与所述第一阻挡层远离所述衬底的表面齐平;
优选地,所述第二阻挡层与所述第一阻挡层在同一工序中形成。


4.根据权利要求3所述的显示面板的制备方法,其特征在于,所述驱动电路层包括连线层;
所述支撑层与所述连线层在同一工序中形成。


5.根据权利要求3所述的显示面板的制备方法,其特征在于,所述对所述开槽区进行刻蚀,得到凹槽与隔离柱之后,还包括:
刻蚀所述第一阻挡子层、所述第三阻挡子层与所述第二阻挡层,得到阵列基板;
所述刻蚀所述第一阻挡子层、所述第三阻挡子层与所述第二阻挡层,包括:
对所述第一阻挡子层、所述第三阻挡子层与所述第二阻挡层进行湿法刻蚀;
优选地,进行湿法刻蚀采用的酸液的成分包括磷酸、草酸、醋酸中的至少一种;
优选地,所述第一阻挡层的材料为氧化铟锡ITO、氧化铟镓IGO或氧化铟镓锌IGZO;所述第二阻挡层的材料为氧化铟锡ITO、氧化铟镓IGO或氧化铟镓锌IGZO。


6.根据权利要求1...

【专利技术属性】
技术研发人员:王守坤秦韶阳
申请(专利权)人:云谷固安科技有限公司
类型:发明
国别省市:河北;13

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