【技术实现步骤摘要】
显示面板的制备方法
本专利技术涉及OLED显示设备
,尤其涉及一种显示面板的制备方法。
技术介绍
随着显示装置的快速发展,用户对屏幕占比的要求越来越高。由于屏幕顶部需要安装摄像头、传感器、听筒等元件,因此,相关技术中屏幕顶部通常会预留开孔区域用于安装上述元件,以实现高的屏占比。
技术实现思路
本专利技术提供一种显示面板的制备方法,以解决相关技术中的不足。根据本专利技术实施例的第一方面,提供一种显示面板的制备方法,所述显示面板包括:显示区、开孔区与隔离区,所述隔离区位于所述显示区与所述开孔区之间,且至少部分围绕所述开孔区;所述方法包括:在衬底上形成支撑层,所述支撑层位于所述开孔区与所述隔离区;所述支撑层包括第一支撑子层与第二支撑子层;所述第一支撑子层在所述衬底上的投影位于所述开孔区,所述第二支撑子层在所述衬底上的投影位于所述隔离区;在所述支撑层上形成第一阻挡层;所述第一阻挡层包括第一阻挡子层、第二阻挡子层与第三阻挡子层,所述第一阻挡子层位于所述第一支撑子层上,所述第二阻挡子层与所述第三阻挡子层位于所述第二支撑子层上,且所述第二阻挡子层位于所述第二支撑子层上的开槽区;刻蚀所述第二阻挡子层,以暴露所述开槽区;对所述开槽区进行刻蚀,得到凹槽与隔离柱,所述凹槽的底面的面积大于开口的面积;所述隔离柱与所述凹槽相间分布;所述隔离柱远离所述衬底的表面的面积大于所述隔离柱靠近所述衬底的底面的面积。在一个实施例中,所述的显示面板的制备方法,还包括:在所述衬底上形成 ...
【技术保护点】
1.一种显示面板的制备方法,其特征在于,所述显示面板包括:显示区、开孔区与隔离区,所述隔离区位于所述显示区与所述开孔区之间,且至少部分围绕所述开孔区;所述方法包括:/n在衬底上形成支撑层,所述支撑层位于所述开孔区与所述隔离区;所述支撑层包括第一支撑子层与第二支撑子层;所述第一支撑子层在所述衬底上的投影位于所述开孔区,所述第二支撑子层在所述衬底上的投影位于所述隔离区;/n在所述支撑层上形成第一阻挡层;所述第一阻挡层包括第一阻挡子层、第二阻挡子层与第三阻挡子层,所述第一阻挡子层位于所述第一支撑子层上,所述第二阻挡子层与所述第三阻挡子层位于所述第二支撑子层上,且所述第二阻挡子层位于所述第二支撑子层上的开槽区;/n刻蚀所述第二阻挡子层,以暴露所述开槽区;/n对所述开槽区进行刻蚀,得到凹槽与隔离柱,所述凹槽的底面的面积大于开口的面积;所述隔离柱与所述凹槽相间分布;所述隔离柱远离所述衬底的表面的面积大于所述隔离柱靠近所述衬底的底面的面积。/n
【技术特征摘要】
1.一种显示面板的制备方法,其特征在于,所述显示面板包括:显示区、开孔区与隔离区,所述隔离区位于所述显示区与所述开孔区之间,且至少部分围绕所述开孔区;所述方法包括:
在衬底上形成支撑层,所述支撑层位于所述开孔区与所述隔离区;所述支撑层包括第一支撑子层与第二支撑子层;所述第一支撑子层在所述衬底上的投影位于所述开孔区,所述第二支撑子层在所述衬底上的投影位于所述隔离区;
在所述支撑层上形成第一阻挡层;所述第一阻挡层包括第一阻挡子层、第二阻挡子层与第三阻挡子层,所述第一阻挡子层位于所述第一支撑子层上,所述第二阻挡子层与所述第三阻挡子层位于所述第二支撑子层上,且所述第二阻挡子层位于所述第二支撑子层上的开槽区;
刻蚀所述第二阻挡子层,以暴露所述开槽区;
对所述开槽区进行刻蚀,得到凹槽与隔离柱,所述凹槽的底面的面积大于开口的面积;所述隔离柱与所述凹槽相间分布;所述隔离柱远离所述衬底的表面的面积大于所述隔离柱靠近所述衬底的底面的面积。
2.根据权利要求1所述的显示面板的制备方法,其特征在于,还包括:
在所述衬底上形成缓冲层,所述缓冲层位于所述显示区,所述支撑层与所述缓冲层在同一工序中形成;或者,
在所述衬底上形成缓冲层,所述缓冲层位于所述显示区;
在所述缓冲层上形成隔离层,所述隔离层位于所述显示区,所述支撑层与所述隔离层在同一工序中形成。
3.根据权利要求1所述的显示面板的制备方法,其特征在于,还包括:
在所述衬底上形成驱动电路层,所述驱动电路层位于所述显示区,所述驱动电路层远离所述衬底的表面与所述支撑层远离所述衬底的表面齐平;
在所述驱动电路层上形成第二阻挡层;所述第二阻挡层远离所述衬底的表面与所述第一阻挡层远离所述衬底的表面齐平;
优选地,所述第二阻挡层与所述第一阻挡层在同一工序中形成。
4.根据权利要求3所述的显示面板的制备方法,其特征在于,所述驱动电路层包括连线层;
所述支撑层与所述连线层在同一工序中形成。
5.根据权利要求3所述的显示面板的制备方法,其特征在于,所述对所述开槽区进行刻蚀,得到凹槽与隔离柱之后,还包括:
刻蚀所述第一阻挡子层、所述第三阻挡子层与所述第二阻挡层,得到阵列基板;
所述刻蚀所述第一阻挡子层、所述第三阻挡子层与所述第二阻挡层,包括:
对所述第一阻挡子层、所述第三阻挡子层与所述第二阻挡层进行湿法刻蚀;
优选地,进行湿法刻蚀采用的酸液的成分包括磷酸、草酸、醋酸中的至少一种;
优选地,所述第一阻挡层的材料为氧化铟锡ITO、氧化铟镓IGO或氧化铟镓锌IGZO;所述第二阻挡层的材料为氧化铟锡ITO、氧化铟镓IGO或氧化铟镓锌IGZO。
6.根据权利要求1...
【专利技术属性】
技术研发人员:王守坤,秦韶阳,
申请(专利权)人:云谷固安科技有限公司,
类型:发明
国别省市:河北;13
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