金属掩模版、显示面板和显示装置制造方法及图纸

本发明专利技术提出了金属掩模版、显示面板和显示装置。该金属掩模版包括开口区和周边区，周边区环绕开口区设置，且周边区设置有第一半刻槽，并且，第一半刻槽环绕开口区设置。本发明专利技术所提出的金属掩模版，通过在周边区引入环绕开口区设置的第一半刻槽，可以有效地改善金属掩模版的下垂量，且能降低金属掩模版的张网力，从而提高使用该金属掩模版形成的无机封装层在不同位置的厚度均匀性，进而使显示面板的制作良品率更高。

Metal mask, display panel and display device

【技术实现步骤摘要】
金属掩模版、显示面板和显示装置
本专利技术涉及显示制作
，具体的，本专利技术涉及金属掩模版、显示面板和显示装置。
技术介绍
现阶段的有源矩阵有机发光二极体(AMOLED)薄膜封装技术中，采用金属掩模版(Mask)对封装无机层进行图案化。参考图1，由于金属掩模版100在重力作用下会出现下垂现象，造成其中心区A和边缘区B与衬底200之间的间隙(Gap)值G不同，从而导致不同位置处的封装无机层的膜厚度不均匀，特别是参考图2，造成膜厚度在10％～90％的厚度渐变区(Shadow)C的不均匀性范围越长。
技术实现思路
本专利技术是基于专利技术人的下列发现而完成的：本专利技术人在研究过程中发现，可以在金属掩模版的周边区引入特定的半刻蚀结构设计，可以有效改善金属掩模版的下垂量，从而提高不同位置处的封装无机层的厚度均匀性，缩小厚度渐变区的范围，进而使显示面板的制作良品率更高。在本专利技术的第一方面，本专利技术提出了一种金属掩模版。根据本专利技术的实施例，所述金属掩模版包括开口区和周边区，所述周边区环绕所述开口区设置，且所述周边区设置有第一半刻槽，并且，所述第一半刻槽环绕所述开口区设置。本专利技术实施例的金属掩模版，通过在周边区引入环绕开口区设置的第一半刻槽，可以有效地改善金属掩模版的下垂量，且能降低金属掩模版的张网力，从而提高使用该金属掩模版形成的无机封装层在不同位置的厚度均匀性，进而使显示面板的制作良品率更高。另外，根据本专利技术上述实施例的金属掩模版，还可以具有如下附加的技术特征：根据本专利技术的实施例，所述第一半刻槽到所述金属掩模版的边缘在第一方向上的最小距离为零，所述第一半刻槽到所述金属掩模版的边缘在第二方向上的距离大于零，且所述第一方向与所述第二方向交叉设置。根据本专利技术的实施例，所述第一半刻槽在所述第一方向或所述第二方向上的宽度为6～30mm。根据本专利技术的实施例，所述第一半刻槽的深度为所述周边区的厚度的50％～60％。根据本专利技术的实施例，所述第一半刻槽在所述第一方向或所述第二方向上的截面形状包括方形、倒梯形和圆形。根据本专利技术的实施例，所述周边区还设置有第二半刻槽，所述第二半刻槽沿所述第一方向延伸且设置在所述第一半刻槽与所述开口区之间。根据本专利技术的实施例，所述第二半刻槽的深度大于所述第一半刻槽的深度。根据本专利技术的实施例，所述开口区设置有呈阵列排布的多个开口，任意相邻两行沿所述第一方向排列的所述开口之间设置有第三半刻槽，且所述第三半刻槽沿所述第一方向延伸。在本专利技术的第二方面，本专利技术提出了一种显示面板。根据本专利技术的实施例，所述显示面板包括无机封装层，所述无机封装层是通过上述的金属掩模版进行图案化处理的。本专利技术实施例的显示面板，其无机封装层是通过使用下垂量更小的金属掩模版进行图案化，如此，无机封装层的厚度均匀性更好，从而使显示面板的制作良品率更高。本领域技术人员能够理解的是，前面针对制作显示面板的方法所描述的特征和优点，仍适用于该显示面板，在此不再赘述。在本专利技术的第三方面，本专利技术提出了一种显示装置。根据本专利技术的实施例，所述显示装置包括上述的显示面板。本专利技术实施例的显示装置，其显示面板上的无机封装层的厚度均匀性更好，从而使显示面板的良品率更高，进而使该显示装置的长期使用稳定性更高。本领域技术人员能够理解的是，前面针对显示面板所描述的特征和优点，仍适用于该显示装置，在此不再赘述。本专利技术的附加方面和优点将在下面的描述中部分给出，部分将从下面的描述中变得明显，或通过本专利技术的实践了解到。附图说明本专利技术的上述的方面结合下面附图对实施例的描述进行解释，其中：图1是封装无机层图案化使用的金属掩模版中间下垂的示意图；图2是金属掩模版中间下垂导致封装无机层厚度渐变的示意图；图3是本专利技术一个实施例的金属掩模版的仰视结构示意图；图4是本专利技术另一个实施例的金属掩模版的仰视结构示意图；图5是本专利技术另一个实施例的金属掩模版的截面结构示意图；图6是本专利技术三个实施例的金属掩模版的下垂量对比图；图7是本专利技术一个实施例的金属掩模版的下垂量改善量图。附图标记100金属掩模版101第一半刻槽102第二半刻槽103第三半刻槽104开口110框架200衬底201功能层结构202第一挡墙203第二挡墙204有机封装层205第一无机封装层206第二无机封装层具体实施方式下面详细描述本专利技术的实施例，本
人员会理解，下面实施例旨在用于解释本专利技术，而不应视为对本专利技术的限制。除非特别说明，在下面实施例中没有明确描述具体技术或条件的，本领域技术人员可以按照本领域内的常用的技术或条件或按照产品说明书进行。在本专利技术的一个方面，本专利技术提出了一种金属掩模版。根据本专利技术的实施例，参考图3，金属掩模版100包括开口区O和周边区R，周边区R环绕开口区O设置，且周边区R设置有第一半刻槽101，并且，第一半刻槽101环绕开口区O设置。如此，在目前的金属掩模版的结构设计基础上，在周边区R中引入环绕开口区O的半刻设计，能够有效地改善金属掩模版100的下垂量，并降低其张网力，从而有利于提高金属掩模版100的精度。在本专利技术的一些实施例中，参考图4，第一半刻槽101到金属掩模版100的边缘在第一方向上的最小距离可以为零，第一半刻槽101到金属掩模版100的边缘在第二方向上的距离可以大于零，且第一方向与第二方向交叉设置，具体的，第一方向可以与第二方向垂直设置。如此，第一半刻槽101到金属掩模版100的边缘距离越近，对边缘区的下垂量改善越明显。根据本专利技术的实施例，参考图4，周边区R还可以设置有第二半刻槽102，第二半刻槽102沿第一方向延伸且设置在第一半刻槽101与开口区O之间，如此，可以进一步改善金属掩模版在第二方向上的下垂量，从而进一步提高使用该金属掩模版形成的无机封装层在不同位置的厚度均匀性。根据本专利技术的实施例，参考图4，开口区O可以设置有呈阵列排布的多个开口104，任意相邻两行沿第一方向排列的开口104之间还可以设置有第三半刻槽103，且第三半刻槽103是沿第一方向延伸的。如此，不仅能更进一步改善金属掩模版在第二方向上的下垂量，还可以减轻金属掩模版中间区的重量，从而进一步改善金属掩模版在第一方向上的下垂量。在本专利技术的一些实施例中，参考图5，第一半刻槽101在第一方向或第二方向上的宽度d1可以为6～30mm，具体例如20mm等，如此，采用上述宽度的第一半刻槽101，虽然金属掩模版的中心区下垂量基本保持不变，但是，可以显著降低边缘区的下垂量，从而使金属掩模版的整体下垂量更均匀，进而使金属掩模版形成的无机封装层的厚度渐变区范围有效缩小。在一些具体示例中，第二半刻槽102在第二方向上的宽度d2可以为6～30mm，如此，采用上述宽度的第二半刻槽102本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种金属掩模版，其特征在于，包括开口区和周边区，所述周边区环绕所述开口区设置，且所述周边区设置有第一半刻槽，并且，所述第一半刻槽环绕所述开口区设置。/n

【技术特征摘要】
1.一种金属掩模版，其特征在于，包括开口区和周边区，所述周边区环绕所述开口区设置，且所述周边区设置有第一半刻槽，并且，所述第一半刻槽环绕所述开口区设置。


2.根据权利要求1所述的金属掩模版，其特征在于，所述第一半刻槽到所述金属掩模版的边缘在第一方向上的最小距离为零，所述第一半刻槽到所述金属掩模版的边缘在第二方向上的距离大于零，且所述第一方向与所述第二方向交叉设置。


3.根据权利要求2所述的金属掩模版，其特征在于，所述第一半刻槽在所述第一方向或所述第二方向上的宽度为6～30mm。


4.根据权利要求1所述的金属掩模版，其特征在于，所述第一半刻槽的深度为所述周边区的厚度的50％～60％。


5.根据权利要求2所述的金属掩模版，其特征在于，所述第一半刻槽在所述第一方向或所述第二方向上的截面形状...

【专利技术属性】
技术研发人员：王世龙，蒋志亮，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，成都京东方光电科技有限公司，
类型：发明
国别省市：北京;11