监测系统及监测方法技术方案

本公开涉及一种监测系统及监测方法，该监测系统包括：一吸座；多个沟槽导管，布置围绕在吸座上的一晶圆位置的一圆周；一气源，与多个沟槽导管流体连通；以及一流量监测器，配置以判断从气源至多个沟槽导管的一单独一者的一气体流量。

Monitoring system and monitoring method

【技术实现步骤摘要】
监测系统及监测方法
本公开涉及一种监测系统及监测方法，特别涉及一种用于晶圆的监测系统及监测方法。
技术介绍
现代制造过程为典型地高度自动化以操纵材料及装置并产生成品。品质控制及维护过程通常依靠人类技能、知识及专业知识以检查在制造期间及作为成品的制造的产品。除了手动检查之外，晶圆(例如，半导体工件、半导体装置或半导体材料)的典型处理可不运用特定的检查技术以将晶圆放置在吸座(chuck)上。此手动检查可能需要打开半导体处理腔室，晶圆放置在半导体处理腔室中的吸座上。此手动检查还可能需要使半导体处理腔室离线(offline)。这种检查技术需要大量的费用，但仍然不能产生令人满意的结果。因此，现有的检查技术并不完全令人满意。
技术实现思路
本公开一些实施例提供一种监测系统，包括：一吸座；多个沟槽导管，布置围绕在吸座上的一晶圆位置的一圆周；一气源，与沟槽导管流体连通；以及一流量监测器，配置以判断从气源至沟槽导管的一单独一者的一气体流量。本公开一些实施例提供一种监测系统，包括：一吸座；多个沟槽导管，布置围绕在吸座上的一晶圆位置的一圆周，其中每一沟槽导管包括一锥形部分，锥形部分随着远离晶圆位置的一中心的距离而在面积上减小；一气源，与沟槽导管流体连通；以及一流量监测器，配置以判断从气源至沟槽导管的一单独一者的一气体流量。本公开一些实施例提供一种监测方法，包括：将一晶圆放置在一晶圆位置处的一吸座上，其中吸座包括：多个沟槽导管，布置围绕在吸座上的晶圆位置的一圆周；以及一气源，与沟槽导管流体连通；基于从气源至沟槽导管的一单独一者的一气体流量而判断一晶圆偏移；以及基于晶圆偏移而在吸座上移动该晶圆。附图说明当结合附图阅读时，可从以下详细描述中最佳地理解本公开的各形式。应注意的是，各种特征不一定按比例绘制。实际上，为了清楚起见，可以任意增加或减少各种特征的尺寸及几何。图1为根据一些实施例的监测吸座系统的概念平面图图示。图2A为根据一些实施例的监测吸座系统的概念侧视图。图2B为根据一些实施例的沟槽的剖视图。图3示出根据一些实施例的暴露沟槽尖端的偏移晶圆。图4A为根据一些实施例的具有四分之一圆周(quadrantbased)的沟槽的监测吸座的平面图。图4B为根据一些实施例的具有位于四分之一圆周的沟槽的多个尖端的监测吸座的平面图。图4C为根据一些实施例的二环监测吸座的平面图，此二环监测吸座具有突起沟槽(granulargroove)的外环及四分之一圆周的沟槽的内环。图4D为根据一些实施例的具有三角形沟槽的外环的二环监测吸座的平面图。图5为根据一些实施例的监测吸座系统的各种功能模块的方框图。图6为根据一些实施例的监测吸座过程的流程图。附图标记说明：102、502监测吸座系统104、402、420、440、460监测吸座104A上部104B下部106A、106B、106C、106D、404A、404B、404C、404D、424A、424B、424C、424D、446、466沟槽108A、108B、108C、108D锥形部分112、414、436、448、468中心114A顶部边缘114B底部边缘114C右侧边缘114D左侧边缘116A、116B、116C、116D、126导管118A、118B、118C、118D、128气源120A、120B、120C、120D流量监测器124中央环202半导体处理腔室壳体204透明天花板206机器人208晶圆208A后侧210平台220开口222上表面224静电力226气体228泵230叶轮232检测器部分408、428、450、470晶圆位置410、412外边缘422尖端440A、460A外环440B、460B内环442突起沟槽462三角形沟槽504处理器506电脑可读存储508网络连接510使用者接口(界面)512控制器600过程602、604、606、608、610、612操作具体实施方式以下的公开描述许多不同典型的实施例以实行本公开的不同特征。以下叙述各个构件以及排列方式的特定范例，以简化本公开。当然，仅为范例且意图不限于此。举例来说，应了解的是当一元件被认为是被“连接于”或是“耦接于”另一元件时，元件可能直接连接于或是耦接于另一元件，或是可能存在的一或是多个中间元件。此外，本公开可能在不同范例中重复参考数字及/或文字。此重复是为了简化以及清楚说明的目的，并非用以指定所讨论的不同实施例及/或配置之间的关系。又，空间相关用词，如：“在……下方”、“下方”、“较低的”、“上方”、“较高的”等等的相似用词，可在这里使用以促进描述附图中一元件或特征与另一(些)元件或特征之间的关系。除了在附图中示出的方位外，这些空间相关用词涵盖包含使用中或操作中的装置的不同方位。设备可被转向不同方位(旋转90度或其他方位)，则在此使用的空间相关用词亦可依此相同解释。根据各种实施例的系统及方法涉及利用监测吸座系统以监测各个定向沟槽(directionalgrooves)，以判断晶圆是否适当地对准或定位在晶圆位置处的吸座上。吸座可为静电吸座。当晶圆停留在吸座上时，监测吸座系统可包括与晶圆圆周相邻的定向沟槽周边。每一定向沟槽可包括通往气源的导管。而且，每一沟槽可被称为定向沟槽，因为每一沟槽可相对于晶圆位置的中心及/或监测吸座的中心，而以特定的角度方位(例如，方向)设置。在某些实施例中，沟槽可被称为沟槽导管(grooveconduit)，以表示沟槽及相关联的导管的结构。流量监测器可判断来自气源的气流及流出每一沟槽的气流。可利用相对于其他沟槽或其他基线(例如，阈值)的气体流量的增加或更大气体流量作为晶圆偏移的指标(indicia)。气体可为氦气或氩气，且还可用于在半导体处理期间冷却晶圆。晶圆偏移可指当晶圆停留在吸座上时，从晶圆的标称位置(nominalposition)(例如，晶圆位置)的方向偏移。此晶圆位置可从机器人预定，例如由机器人放置晶圆的预定设定。在某些实施例中，可实体地指示晶圆位置(例如，通过监测吸座上的实体线或其他指示器)，以便于识别晶圆位置(例如用于目视检查)。沟槽可包括锥形部分，例如三角形部分，其可随着远离晶圆位置或监测吸座的中心的距离在面积上变化或可不变化(例如，减小)。因此，锥形部分可用于精确判断特定方向上的晶圆偏移程度。由于具有锥形，当晶圆沿沟槽的锥形部分偏移时，指示晶圆偏移程度的气体流量可能增加。可具有多个定向沟槽，每一定向沟槽代表偏移方向。举例来说，可具有四个定向沟槽，分别用于顶部偏移、底部偏移、左侧偏移及底侧偏移。具有监测本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种监测系统，包括：/n一吸座；/n多个沟槽导管，布置围绕在该吸座上的一晶圆位置的一圆周；/n一气源，与所述多个沟槽导管流体连通；以及/n一流量监测器，配置以判断从该气源至所述多个沟槽导管的一单独一者的一气体流量。/n

【技术特征摘要】
20180817 US 62/719,556;20190813 US 16/539,2991.一种监测系统，包括：
一吸座；
多个沟槽导管，布置围绕在该吸座上的一晶圆位置的一圆周；
一气源，与所述多个沟槽导管流体连通；以及
一流量监测器，配置以判断从该气源至所述多个沟槽导管的一单独一者的一气体流量。


2.如权利要求1所述的监测系统，其中每一沟槽导管包括一锥形部分，该锥形部分随着远离该晶圆位置的一中心的距离而在面积上变化。


3.如权利要求2所述的监测系统，其中该锥形部分沿远离该晶圆位置的该中心的一最大距离以一曲线布置。


4.如权利要求1所述的监测系统，其中所述多个沟槽导管布置为两个同心环，每一环包括至少两个沟槽导管。


5.如权利要求4所述的监测系统，其中该两个同心环的一者包括比另一者更多的沟槽导管。


6.一种监测系统，包括：
一吸座；
多个沟槽导管，布置围绕在该吸座上的一晶圆...

【专利技术属性】
技术研发人员：王国鸿，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾;71