处理条件修正方法和基片处理系统技术方案

本发明专利技术提供处理条件修正方法和基片处理系统，在摄像装置少的基片处理系统中能够不损害生产率地对处理条件进行适当修正。处理条件修正方法包括：监视用拍摄步骤，在一连串处理开始前和结束后拍摄各基片；装置确定步骤，基于监视用拍摄步骤的拍摄结果和处理装置的信息确定推断为存在异常的处理装置；异常判断用拍摄步骤，在规定的处理条件下对检查用基片进行确定出的处理装置的单位处理，在进行单位处理前后拍摄该检查用基片；异常有无判断步骤，基于异常判断用拍摄步骤的拍摄结果判断确定出的处理装置中实际有无异常；和处理条件修正步骤，基于异常判断用拍摄步骤中的拍摄结果对判断为实际存在异常的处理装置的单位处理的处理条件进行修正。

Modification method of processing conditions and substrate processing system

【技术实现步骤摘要】
处理条件修正方法和基片处理系统
本专利技术涉及处理条件修正方法和基片处理系统。
技术介绍
专利文献1公开了一种用于形成均匀的线宽的基片处理系统。在该基片处理系统中，在图案曝光前利用摄像部拍摄形成了抗蚀剂膜的基片，基于拍摄结果来测量图案曝光前的基片上的抗蚀剂膜的膜厚分布。另外，在图案曝光接着加热处理之后由摄像部拍摄同一基片，基于拍摄结果测量加热处理后的基片上的抗蚀剂膜的膜厚分布。然后，根据图案曝光前的抗蚀剂膜的膜厚分布和加热处理后的抗蚀剂膜的膜厚分布，生成膜厚差数据，基于膜厚差数据推算抗蚀剂图案的线宽。通过基于该推算结果的抗蚀剂膜的修正条件，对抗蚀剂膜进行修正处理。现有技术文献专利文献专利文献1：日本特开2017-28086号公报
技术实现思路
专利技术要解决的技术问题本专利技术的技术能够在摄像装置少的基片处理系统中不损害生产率地对处理条件进行适当修正。用于解决技术问题的技术方案本专利技术的一个方式是一种处理条件修正方法，其对基片处理系统中的处理条件进行修正，其中：上述基片处理系统进行包括以下处理的一连串处理：分别执行一次以上在基片上形成层状膜的步骤和去除层状膜的步骤的处理，或者多次执行其中一者的处理，上述基片处理系统具有多个进行构成上述一连串处理的单位处理的处理装置，对于每个上述单位处理该处理装置设置有多个，上述基片处理系统还包括拍摄上述基片的摄像装置，该方法包括：监视用拍摄步骤，其对于各个基片在上述一连串处理开始前和结束后利用上述摄像装置拍摄该基片；装置确定步骤，其基于上述监视用拍摄步骤中的拍摄结果和上述一连串处理中使用的上述处理装置的信息，来确定推断为存在异常的上述处理装置；异常判断用拍摄步骤，其使用上述装置确定步骤中确定出的上述处理装置，在规定的处理条件下对检查用基片进行该处理装置中的上述单位处理，在进行上述单位处理之前和之后利用上述摄像装置拍摄该检查用基片；异常有无判断步骤，其基于上述异常判断用拍摄步骤中的拍摄结果，判断上述装置确定步骤中确定出的上述处理装置中实际有无异常；和处理条件修正步骤，其对于在上述异常有无判断步骤中被判断为实际存在异常的上述处理装置，基于上述异常判断用拍摄步骤中的拍摄结果，对该处理装置中的上述单位处理的处理条件进行修正。专利技术效果依照本专利技术，能够在摄像装置少的基片处理系统中不损害生产率地对处理条件进行适当修正。附图说明图1是表示第一实施方式的基片处理系统的结构的概略的俯视图。图2是表示第一实施方式的基片处理系统的结构的概略的正视图。图3是表示第一实施方式的基片处理系统的结构的概略的后视图。图4是表示抗蚀剂涂敷装置的结构的概略的纵截面图。图5是表示抗蚀剂涂敷装置的结构的概略的横截面图。图6是表示热处理装置的结构的概略的纵截面图。图7是表示热处理装置的结构的概略的横截面图。图8是表示热处理装置的热板的结构的概略的俯视图。图9是表示检查装置的结构的概略的纵截面图。图10是表示检查装置的结构的概略的横截面图。图11是示意性地表示控制部的结构的概略的框图。图12A～图12D是表示晶片上的抗蚀剂图案的线宽与使用了摄像装置的拍摄结果之间存在相关性的图。图13是用于说明第一实施方式的晶片处理的一例的流程图。图14是表示第二实施方式的基片处理系统的结构的概略的俯视图。图15是表示第二实施方式的基片处理系统的结构的概略的正视图。附图标记说明1、1a基片处理系统30显影处理装置31下层膜形成装置32中间层膜形成装置33抗蚀剂膜形成装置40热处理装置210摄像装置300控制部311第一获取部312装置确定部313第二获取部315异常有无判断部316处理条件修正部W晶片。具体实施方式在半导体器件等的制造工艺中的光刻工序中，进行一连串处理，在作为基片的半导体晶片(以下称为“晶片”)上形成规定的抗蚀剂图案。上述一连串处理包括例如在晶片上涂敷抗蚀剂液来形成抗蚀剂膜的抗蚀剂涂敷处理、使抗蚀剂膜曝光的曝光处理、使曝光后的抗蚀剂膜显影的显影处理、各种热处理等。各种热处理是在曝光前加热抗蚀剂膜的处理(PAB处理)、在曝光后促进抗蚀剂膜内的化学反应的加热处理(PEB处理)等。上述抗蚀剂涂敷处理是一边使晶片旋转一边对该晶片供给涂敷液来形成涂敷膜的旋转涂敷处理。该抗蚀剂涂敷处理中的晶片的处理旋转速度等处理条件对抗蚀剂膜厚有影响。因此，如果像专利文献1那样基于摄像部的拍摄结果来测量抗蚀剂膜的膜厚，则通过基于测量结果调整抗蚀剂涂敷处理的上述处理条件而能够得到要求的膜厚。另外，PEB处理中的热处理温度等处理条件会影响抗蚀剂图案的线宽。因此，如果像专利文献1那样基于摄像部的拍摄结果来测量抗蚀剂膜的膜厚并基于该膜厚推算抗蚀剂图案的线宽，则通过基于推算结果调整PEB处理的上述处理条件而能够得到要求的线宽。然而，在光刻工序的一连串处理中，有时作为抗蚀剂膜的基底形成下层膜和中间层膜，具体而言，从下开始依次形成下层膜、中间层膜和抗蚀剂膜的各层状膜而形成为层叠膜。由于除了抗蚀剂膜以外的层状膜也与抗蚀剂膜同样需要形成为要求的膜厚，所以考虑对各层状膜测量膜厚，基于测量结果调整用于形成各层状膜的处理条件。但是，如果对于每个层叠膜设置用于测量膜厚的摄像部，则用于形成由这些层状膜构成的层叠膜的基片处理系统会变得高价。另外，在为了更准确地测量膜厚而在各层状膜形成处理前和处理后都进行晶片的拍摄时，如果在上述处理前和处理后使用不同的摄像部，则变得更高价。另外，在对各层状膜进行拍摄的情况下，当不是对于每个层状膜设置摄像部而是减少其数量在不同的层状膜之间共用摄像部时，会产生因使用摄像部导致的待机时间，生产率变差。关于这一方面，专利文献1中没有任何公开和启示。另外，下层膜、中间膜和抗蚀剂膜的各层状膜通过上述的旋转涂敷处理来形成。旋转涂敷处理等处理条件涉及的上述技术问题，与利用旋转涂敷处理以外的方法形成上述各层状膜的处理中的处理条件的调整和去除层状膜的一部分或全部的蚀刻处理中的处理条件的调整等也是相同的。于是，本专利技术能够提供即使在摄像装置少的情况下，也能够不损害生产率而适当地修正处理条件的处理条件修正方法和基片处理系统。以下，对本实施方式的处理条件设定方法和基片处理系统进行说明。此外，在本说明书和附图中，对实质上具有相同的功能结构的要素标注相同的附图标记，而省略重复说明。(第一实施方式)图1是表示第一实施方式的基片处理系统1的内部结构的概略的说明图。图2和图3是表示各个基片处理系统1的内部结构的概略的正视图和后视图。另外，在本实施方式中，以基片处理系统1为对晶片W进行涂敷显影处理的涂敷显影处理系统的情况为例进行说明。基片处理系统1进行包括以下处理的一连串处理：分别执行一次本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种处理条件修正方法，其对基片处理系统中的处理条件进行修正，所述处理条件修正方法的特征在于：/n所述基片处理系统进行包括以下处理的一连串处理：分别执行一次以上在基片上形成层状膜的步骤和去除层状膜的步骤的处理，或者多次执行其中一者的处理，/n所述基片处理系统具有多个进行构成所述一连串处理的单位处理的处理装置，对于每个所述单位处理该处理装置设置有多个，所述基片处理系统还包括拍摄所述基片的摄像装置，/n该方法包括：/n监视用拍摄步骤，其对于各个基片在所述一连串处理开始前和结束后利用所述摄像装置拍摄该基片；/n装置确定步骤，其基于所述监视用拍摄步骤中的拍摄结果和所述一连串处理中使用的所述处理装置的信息，来确定推断为存在异常的所述处理装置；/n异常判断用拍摄步骤，其使用所述装置确定步骤中确定出的所述处理装置，在规定的处理条件下对检查用基片进行该处理装置中的所述单位处理，在进行所述单位处理之前和之后利用所述摄像装置拍摄该检查用基片；/n异常有无判断步骤，其基于所述异常判断用拍摄步骤中的拍摄结果，判断所述装置确定步骤中确定出的所述处理装置中实际有无异常；和/n处理条件修正步骤，其对于在所述异常有无判断步骤中被判断为实际存在异常的所述处理装置，基于所述异常判断用拍摄步骤中的拍摄结果，对该处理装置中的所述单位处理的处理条件进行修正。/n...

【技术特征摘要】
20180817 JP 2018-1533961.一种处理条件修正方法，其对基片处理系统中的处理条件进行修正，所述处理条件修正方法的特征在于：
所述基片处理系统进行包括以下处理的一连串处理：分别执行一次以上在基片上形成层状膜的步骤和去除层状膜的步骤的处理，或者多次执行其中一者的处理，
所述基片处理系统具有多个进行构成所述一连串处理的单位处理的处理装置，对于每个所述单位处理该处理装置设置有多个，所述基片处理系统还包括拍摄所述基片的摄像装置，
该方法包括：
监视用拍摄步骤，其对于各个基片在所述一连串处理开始前和结束后利用所述摄像装置拍摄该基片；
装置确定步骤，其基于所述监视用拍摄步骤中的拍摄结果和所述一连串处理中使用的所述处理装置的信息，来确定推断为存在异常的所述处理装置；
异常判断用拍摄步骤，其使用所述装置确定步骤中确定出的所述处理装置，在规定的处理条件下对检查用基片进行该处理装置中的所述单位处理，在进行所述单位处理之前和之后利用所述摄像装置拍摄该检查用基片；
异常有无判断步骤，其基于所述异常判断用拍摄步骤中的拍摄结果，判断所述装置确定步骤中确定出的所述处理装置中实际有无异常；和
处理条件修正步骤，其对于在所述异常有无判断步骤中被判断为实际存在异常的所述处理装置，基于所述异常判断用拍摄步骤中的拍摄结果，对该处理装置中的所述单位处理的处理条件进行修正。


2.如权利要求1所述的处理条件修正方法，其特征在于：
包括修正适当与否判断步骤，其使用所述异常有无判断步骤中判断为实际存在异常的所述处理装置，在修正后的所述处理条件下对检查用基片进行该处理装置中的所述单位处理，利用所述摄像装置拍摄该检查用基片，基于拍摄结果，来判断所述处理条件修正步骤中的修正是否适当。


3.如权利要求1或2所述的处理条件修正方法，其特征在于：
包括比较用拍摄步骤，其使用进行与所述装置确定步骤中确定出的所述处理装置相同的所述单位处理的其他所述处理装置，在规定的处理条件下对检查用基片进行该处理装置中的所述单位处理，在进行该单位处理之前和之后利用所述摄像装置拍摄该检查用基片；
所述异常有无判断步骤基于所述异常判断用拍摄步骤中的拍摄结果和所述比较用拍摄步骤中的拍摄结果，来判断实际有无异常。


4.如权利要求1所述的处理条件修正方法，其特征在于：
所述检查用基片是裸晶片。


5.如权利要求4所述的处理条件修正方法，其特征在于：
所述裸晶片被收纳在所述基片处理系统内。


6.如权利要求4或5所述的处理条件修正方法，其特征在于：
形成于所述裸晶片的所述层状膜在由所述摄像装置拍摄后被剥离装置剥离。


7.如权利要求6所述的处理...

【专利技术属性】
技术研发人员：森拓也，
申请(专利权)人：东京毅力科创株式会社，
类型：发明
国别省市：日本;JP