储存装置制造方法及图纸

一种湿度控制储存装置包含多个平板，这些平板配置以形成一密闭容积(Enclosed Volume)。这些平板中的第一平板包含进气口与出气口。储存装置还包含净化系统，此净化(Purge)系统具有进气管路、气体供应系统、以及气体抽出系统。进气管路包含喷嘴与耦合于进气口的圆筒部。气体供应系统配置以供应净化气体给进气管路。进气管路配置沿一方向将净化气体输出至密闭容积中，而在密闭容积内形成圆形或椭圆形的气流图案。气体抽出系统耦合于出气口，且配置以将净化气体从密闭容积中抽出。

Storage device

【技术实现步骤摘要】
储存装置
本揭露实施例是有关于一种储存装置，且特别是有关于一种湿度控制储存装置。
技术介绍
随着半导体科技的进步，对于更高储存容量、更快速的处理系统、更高性能、以及较低成本的需求已增加。为了符合这些需求，半导体产业持续缩减半导体元件的尺寸。这样的缩减已增加半导体制作制程的复杂度、以及半导体制造系统中的污染物控制的需求。
技术实现思路
在一些实施方式中，储存装置包含多个平板配置以形成一密闭容积，其中这多个平板中的第一平板包含进气口与出气口。储存装置还包含净化系统，此净化系统具有进气管路、气体供应系统、以及气体抽出系统。进气管路包含喷嘴与耦合于进气口的圆筒部。气体供应系统配置以供应净化气体给进气管路。进气管路配置沿一方向将净化气体输出至密闭容积中，而在密闭容积内形成圆形或椭圆形气流图案。气体抽出系统耦合于出气口，气体抽出系统配置以将净化气体从密闭容积中抽出。附图说明从以下结合所附附图所做的详细描述，可对本揭露的态样有更佳的了解。需注意的是，根据业界的一般实务，各特征并未依比例绘示。事实上，为了使讨论更为清楚，各特征的尺寸都可任意地增加或减少。图1A与图1B是绘示依照一些实施方式的一种半导体晶圆储存装置的等角视图；图2是绘示依照一些实施方式的在一种半导体晶圆储存装置中的净化气流的图案；图3A至图3C、图4A与图4B、以及图5是绘示依照一些实施方式的一种半导体晶圆储存装置的净化系统的净化气体进气管路的剖面图。现将参照所附附图来描述例示实施方式。在这些附图中，相同的参考符号一般标示相同、功能相似、及/或结构相似的元件。具体实施方式以下的揭露提供了许多不同实施方式或实施例，以实施所提供的标的的不同特征。以下所描述的构件与安排的特定实施例是用以简化本揭露。当然这些仅为实施例，并非用以作为限制。举例而言，于描述中，第一特征形成于第二特征的上方，可能包含第一特征与第二特征以直接接触的方式形成的实施方式，亦可能包含额外特征可能形成在第一特征与第二特征之间的实施方式，如此第一特征与第二特征可能不会直接接触。如在此所使用的，第一特征形成在第二特征上意指第一特征形成以直接接触第二特征。此外，本揭露可能会在各实施例中重复参考数字及/或文字。这样的重复以其本身而言并非用以指定所讨论的各实施方式及/或配置之间的关系。在此可能会使用空间相对用语，例如“在下(beneath)”、“下方(below)”、“较低(lower)”、“上方(above)”、“较高(upper)”与类似用语，以方便说明如附图所绘示的一构件或一特征与另一(另一些)构件或特征之间的关系。除了在图中所绘示的方向外，这些空间相对用词意欲含括元件在使用或操作中的不同方位。设备可能以不同方式定位(旋转90度或在其他方位上)，因此可利用同样的方式来解释在此所使用的空间相对描述符号。应注意的是，说明书中提及“一个实施方式”、“一实施方式”、“一例示实施方式”、“示范”等等表示所描述的实施方式可能包含特定特征、结构、或特性，但每个实施方式可能无需包含此特定特征、结构、或特性。此外，这样的用语不必然指称相同实施方式。再者，当关于一实施方式描述一特定特征、结构、或特性时，关于其他实施方式实现这样的特征、结构、或特性时落在熟悉此技艺者的知识范围内，不管有没有明确描述。应了解的是，在此的用词或术语是作描述之用，而非作为限制，因此本说明书的术语与用词由熟悉相关技艺者按照在此的教示来诠释。如在此所使用，用语“约”表示一给定数量的数值可根据与标的半导体元件有关的特定技术节点而变化。根据特定技术节点，用语“约”可表示一给定数量的数值在例如该数值的5％至30％的范围内变化(例如，该数值的±5％、±10％、±20％、或±30％)。如在此所使用的，用语“实质”表示一给定数量的数值在例如该数值的5％的范围内变化。在制造半导体元件期间，半导体晶圆在不同处理反应室中遭遇不同制程(例如，湿蚀刻、干蚀刻、灰化、剥除、金属电镀、及/或化学机械研磨)。在不同制程之间的间隔期间，晶圆一般是以批次方式运送并暂时储存于晶圆储存装置中。每一批次的晶圆垂直堆叠在晶圆储存装置中，且由晶圆储存装置内的具有多个分离晶圆架或槽的支撑框所支撑。这些通常称为前开式晶圆传送盒(FOUPs)的晶圆储存装置需提供湿度与污染控制的环境，以维持晶圆及/或晶圆上的制作层的完整性。来自周遭大气的晶圆储存装置内的水分会与来自不同晶圆制程的晶圆上的残留材料反应，并在晶圆上的制造层中形成缺陷，而会导致有缺陷的半导体元件，因而造成生产良率的损失。举例而言，历经使用四氟化碳(CF4)作为蚀刻剂的蚀刻制程的晶圆会具有氟硅铵石((NH4)2SiF6)作为残留材料。氟硅铵石会与水蒸气型式中的水气反应，而生成氨(NH3)与氢氟酸(HF)，其会从晶圆上移除制造层的部分，进而在制造层中形成缺陷。除了水气外，晶圆储存装置内的微粒及/或化学气体型式的污染物亦会导致有缺陷的晶圆，进而造成有缺陷的半导体元件。这些可来自制造层材料所释气的化学物的污染物附着于晶圆储存装置的内表面，而后当晶圆移动且返回晶圆储存装置时，这些污染物在后续制程步骤中转移回晶圆。本揭露提供晶圆储存装置的例示净化系统，其配置以达成与维持晶圆储存装置的整个内部容积所需的含水量及/或污染物容许程度。在一些实施方式中，例示的净化系统具有净化气体进气管路，净化气体进气管路配置以在晶圆储存装置内提供净化气体的圆形气流图案。此净化气体的圆形气流可实质均匀的移除晶圆储存装置的整个内部容积的水分与污染物。净化气体进气管路可具有一或多个喷嘴，这些喷嘴配置以导引净化气体使其相对于一垂直轴(例如，Z轴)一角度，而在晶圆储存装置内形成圆形或椭圆形气流图案。在一些实施方式中，相对于一或多个喷嘴的水平面(例如，XY平面)上的水平轴(例如，X轴)的旋转角度可手动或利用例如一或多个启动器来调整。此一或多个喷嘴具有可调开口，以控制从此一或多个喷嘴喷出的净化气体。在此所揭露的例示净化系统不仅可达成与维持晶圆储存装置的整个内部容积所需的含水量及/或污染物容许程度，亦可以更好的净化时间达到较低的相对湿度。因此，这些例示净化系统因更好的净化时间而增加处理晶圆的产能，且因有缺陷的晶圆的减少而增加生产良率。在一些实施方式中，由例示净化系统所达到的相对湿度可改善约1％至约7％。在少于约5分钟的净化时间(例如，约4分钟、3分钟、或2分钟)下可达到这样较低的相对湿度。图1A与图1B是分别绘示依照一些实施方式的一种不具背盖102与具有背盖102的晶圆储存装置100的等角视图。晶圆储存装置100可配置以运送与暂时储存一批次的晶圆(未绘示)，这些晶圆可能等着被处理以在其上制造半导体元件。晶圆储存装置100可配置以维持晶圆储存装置100的整个内部容积所需的相对湿度(例如，等于或小于约13％)及/或污染物容许程度，以保护晶圆及/或晶圆上的制造层免于遭受水气与污染物损害。如上所述，若存在晶圆储存装置100内的所需相对湿度以上的水分可与晶本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种储存装置，其特征在于，该储存装置包含：/n多个平板，配置以形成一密闭容积，其中所述多个平板中的一第一平板包含一进气口与一出气口；以及/n一净化系统，包含：/n一进气管路，具有一喷嘴与耦合于该进气口的一圆筒部；/n一气体供应系统，配置以供应一净化气体给该进气管路，/n其中该进气管路配置沿一方向将该净化气体输出至该密闭容积中，而在该密闭容积内形成一圆形气流图案或一椭圆形气流图案；以及/n一气体抽出系统，耦合于该出气口，且配置以从该密闭容积抽出该净化气体。/n

【技术特征摘要】
20180815 US 62/764,658;20190102 US 16/238,0011.一种储存装置，其特征在于，该储存装置包含：
多个平板，配置以形成一密闭容积，其中所述多个平板中的一第一平板包含一进气口与一出气口；以及
...

【专利技术属性】
技术研发人员：杨胜钧，林艺民，万昭宏，许修豪，陈冠中，梁伯维，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾;71