【技术实现步骤摘要】
超低压低功耗永久性OTP存储器
本专利技术涉及存储器技术。
技术介绍
参见图1,在一种传统的反熔丝存储器1.5TXPM存储器中,作为反熔丝存储核心器件的电容,以常规MOS管的栅电容实现,以栅极作为电容的一端,源漏之一(或者源极漏极连接至一点)作为电容的另一端,读取电压约为2V以上。图2、3为一种改进后的现有技术,包括选择MOS管21、检测MOS管22和常规MOS管的栅电容23,编程(电容23击穿)后,为了读取电容的状态,B点的电平应该大于0.5V,因此需要Vdd的电平大于1V(VB+VT,VB为检测MOS管的开启电压,VT为电容的压降)。该技术可以将读电压降低到约1V,但仍然不能满足某些低功耗低电压的需求,例如高性能UHF芯片,其读取电压仅为0.5~0.6V,因此只能采用电压提升电路,产生的代价是更高的功耗和电路成本。参见美国专利文献US8259518B2,US8797820B2和US8780660B2。
技术实现思路
本专利技术所要解决的技术问题是,提供一种新的一次性可编程存储器,较现有技术具有更低的功耗。本专利技术解决所述技术问题采用的技术方案是,超低压低功耗永久性OTP存储器,包括一个选择MOS管、一个检测MOS管和电容,选择MOS管的第一工作端和检测MOS管的控制端连接于参考点,选择MOS管的第二工作端和检测MOS管的第二工作端皆与第一位线连接,检测MOS管的第一工作端连接第二位线,作为反熔丝存储核心的电容设置于参考点和第一字线之间,其特征在于,所述电容为本征MOS管的栅电 ...
【技术保护点】
1.超低压低功耗永久性OTP存储器,包括一个选择MOS管、一个检测MOS管和电容,选择MOS管的第一工作端和检测MOS管的控制端连接于参考点,选择MOS管的第二工作端和检测MOS管的第二工作端皆与第一位线连接,检测MOS管的第一工作端连接第二位线,作为反熔丝存储核心的电容设置于参考点和第一字线之间,其特征在于,所述电容为本征MOS管的栅电容。/n
【技术特征摘要】
1.超低压低功耗永久性OTP存储器,包括一个选择MOS管、一个检测MOS管和电容,选择MOS管的第一工作端和检测MOS管的控制端连接于参考点,选择MOS管的第二工作端和检测MOS管的第二工作端皆与第一位线连接,检测MOS管的第一工作端连接第二位线,作为反熔丝存储核心的电容设置于参考点和第一字线之间,其特征在于,所述电容为本征MOS管的栅电容。
2.如权利要求1所述的超低压低功耗永久性OTP存储器,其特征在于,还包括一个开关管,所述开关管的一个工作端连接检测MOS管,另一个工作端连接第二位线。
3....
【专利技术属性】
技术研发人员:彭泽忠,毛军华,
申请(专利权)人:四川凯路威科技有限公司,
类型:发明
国别省市:四川;51
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