光罩处理方法及微影装置制造方法及图纸

本揭示揭露一种光罩处理方法及微影装置。根据本揭示的一些实施方式，一种光罩处理方法包含判断颗粒是否在光罩的接触表面上。若颗粒在接触表面，则光罩被清洁以由光罩的接触表面移除颗粒。在清洁光罩之后，光罩被设置于吸盘上，其中光罩的接触表面在光罩设置于吸盘上时接触吸盘。微影制程利用设置于吸盘上的光罩被执行。

The treatment method of the mask and the micro shadow device

【技术实现步骤摘要】
光罩处理方法及微影装置
本揭示有关于一种光罩处理方法及微影装置。
技术介绍
在半导体集成电路(IC)行业，IC材料和设计的技术进步已经产生了一代又一代的集成电路，每一代的电路都比上一代更小、更复杂。在集成电路的发展过程中，功能密度(即，每个芯片区域的互连元件的数量)通常增加，而几何尺寸(即，可以使用制造过程产生最小的组件(或线))减少。这种按比例缩小的流程通常通过提高生产效率和降低相关成本来提供好处。这种按比例缩小也增加了集成电路加工和制造的复杂性。微影技术形成图形化的抗蚀层，用于各种图案化工艺，例如蚀刻或离子注入等。这种微影技术所能图案化的最小特征尺寸受投射辐射源波长的限制。微影机已经从使用波长365纳米的紫外光发展到使用深紫外(DUV)光，包括248纳米的氟化氪激光(KrF激光)和193纳米的氟化氩激光(ArF激光)，以及使用波长为13.5纳米的极紫外光(EUV)，以提高每一步的分辨率。
技术实现思路
根据本揭示的一些实施方式，一种光罩处理方法包含：判断颗粒是否在光罩的接触表面上；若颗粒在接触表面，则清洁光罩以由光罩的接触表面移除颗粒；在清洁光罩之后将光罩设置于吸盘上，其中光罩的接触表面在光罩设置于吸盘上时接触吸盘；以及利用设置于吸盘上的光罩执行微影制程。根据本揭示的一些实施方式，一种光罩处理方法包含：判断颗粒是否在光罩的接触表面上；若颗粒在接触表面，则测定颗粒的高度；判断颗粒的高度是否小于高度；若颗粒的高度小于预定高度，则将光罩设置于吸盘上，其中光罩的接触表面在光罩设置于吸盘上时接触吸盘；以及利用设置于吸盘上的光罩执行微影制程。根据本揭示的一些实施方式，一种微影装置包含第一隔间、检测系统、测量系统、第二隔间、吸盘以及转移机构。检测系统在第一隔间内，并配置以决定颗粒是否在光罩上。测量系统在第一隔间内，并配置以在颗粒在光罩上时测定颗粒的高度。第一隔间和第二隔间共享侧壁，并且侧壁具有连通第一隔间和第二隔间的通道。吸盘在第二隔间内。转移机构配置以在吸盘、检测系统和测量系统之间转移光罩。附图说明当结合随附附图阅读时，自以下详细描述将很好地理解本揭示的态样。注意到，各个特征并非必须按比例绘制。事实上，出于论述清晰的目的，可任意增加或减小各个特征的尺寸及几何形状。图1是根据本揭示的一些实施方式绘示光罩处理方法的流程图；图2是根据本揭示的一些实施方式绘示光罩处理方法的一操作的子操作的流程图；图3是根据本揭示的一些实施方式绘示光罩处理方法的一操作的子操作的流程图；图4是根据本揭示的一些实施方式绘示微影装置的示意图；图5是根据本揭示的一些实施方式绘示微影装置中的第一光学检测模块和维持在第一位置的光罩的示意图；图6是根据本揭示的一些实施方式绘示微影装置中的第二光学检测模块和维持在第二位置的光罩的示意图；图7是根据本揭示的一些实施方式绘示微影装置的功能方块图；图8是根据本揭示的一些实施方式绘示微影装置的局部剖面示意图。具体实施方式以下揭示内容描述了各个示例性实施例，以便实施标的的不同特征。下文描述部件及排列的具体实例以简化本揭示。当然，这些仅为实例且并不意欲为限制性。例如，将理解，当元件被称为“连接到”或“耦合到”另一元件时，其可直接连接到或耦合到其他元件，或可能存在一或多个中间元件。另外，本揭示可在各个实例中重复元件符号及/或字母。此重复是出于简便性及清晰的目的且本身并不指示所论述的各个实施例及/或配置之间的关系。此外，为了便于描述，本文可使用空间相对性术语(诸如“之下”、“下方”、“下部”、“上方”、“上部”及类似者)来描述诸图中所示出的一个元件或特征与另一元件(或多个元件)或特征(或多个特征)的关系。除了诸图所描绘的定向外，空间相对性术语意欲包含使用或操作中装置的不同定向。设备可经其他方式定向(旋转90度或处于其他定向)且由此可类似解读本文所使用的空间相对性描述词。硅晶圆以一系列连续步骤制造，包括光罩对准、曝光、光阻显影、层蚀刻和外延层生长，以形成限定集成电路(IC)内的器件结构和互连的图案。为了保证稳健的光罩对准，将专用对准结构放置在IC的物理布局数据内，并且由半导体制造流程内的在线对准工具使用，以在光罩对准期间实现覆盖(OVL)控制。图案化晶圆包括布置成周期性阵列或光罩场的多个IC，其中每个光罩场由步进-重复工具图案化，此步进-重复工具配置以基于对准结构的晶圆图将图案化光罩对准单独的光罩场。这些对准结构是从IC的物理布局数据获得。当形成器件的层时，产量和器件性能依赖于两个或更多光罩对准步骤之间的稳健OVL控制。因此，本揭示的一些实施方式涉及实现增强的重迭控制的方法。在光罩被吸盘持住时，光罩用来接触吸盘的接触表面是被检查，以判断颗粒是否在光罩的接触表面上。若颗粒在光罩的接触表面上，则光罩被清洁以将颗粒由光罩的接触表面移除。在颗粒由光罩的接触表面移除之后，光罩被设置于吸盘上，其中光罩的接触表面接触吸盘。既然颗粒由光罩的接触表面移除，当光罩的接触表面接触吸盘时，光罩不具有显著变形，因此重迭控制可增强。请参照图1。图1是根据本揭示的一些实施方式绘示光罩处理方法1000的流程图。光罩处理方法1000开始于操作1100：判断颗粒是否在光罩的接触表面上。光罩处理方法1000接续于操作1200：若颗粒在接触表面上，则测定颗粒的高度。光罩处理方法1000接续于操作1300：判断颗粒的高度是否小于预定高度。光罩处理方法1000接续于操作1400：若颗粒的高度大于预定高度，则清洁光罩。光罩处理方法1000接续于操作1500：将光罩设置于吸盘上。光罩处理方法1000接续于操作1600：利用光罩执行微影制程。请参照图2。图2是根据本揭示的一些实施方式绘示光罩处理方法1000的一操作1100的子操作的流程图。操作1100开始于子操作1101：朝向光罩的接触表面发光。操作1100接续于子操作1102：侦测由光罩的接触表面反射的光。操作1100接续于子操作1103：侦测由光罩的接触表面穿过的光。于一些实施方式中，若光罩由不透明的材料所制成，则子操作1103可省略。请参照图3。图3是根据本揭示的一些实施方式绘示光罩处理方法1000的一操作1200的子操作的流程图。操作1200开始于子操作1201：撷取颗粒在不同高度的多个二维影像。操作1200接续于子操作1202：利用颗粒的二维影像测定颗粒的高度。下面的讨论说明了可以根据图1至图3的光罩处理方法1000操作的微影装置100的实施方式。虽然光罩处理方法1000在下面被示出并描述为一系列动作或事件，但是应当理解，这些动作或事件的所示顺序不应被解释为限制意义。举例来说，一些动作可以以不同的顺序发生和/或与除了这里示出和/或描述的动作或事件之外的其他动作或事件同时发生。另外，可能不需要所有示出的动作来实现本揭示描述的一个或多态样或实施方式。此外，本揭示描绘的一个或多个动作可以在一个或多个单独的动作和/或阶段中执行。请参照图4本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种光罩处理方法，其特征在于，包含：/n判断一颗粒是否在一光罩的一接触表面上；/n若该颗粒在该接触表面，则清洁该光罩以由该光罩的该接触表面移除该颗粒；/n在清洁该光罩之后将该光罩设置于一吸盘上，其中该光罩的该接触表面在该光罩设置于该吸盘上时接触该吸盘；以及/n利用设置于该吸盘上的该光罩执行一微影制程。/n

【技术特征摘要】
20180814 US 62/718,962;20181211 US 16/216,8591.一种光罩处理方法，其特征在于，包含：
判断一颗粒是否在一光罩的一接触表面上；
若该颗粒在该接触表面，则清洁该光罩以由该光罩的该接触表面移除该颗粒；
在清洁该光罩之后将该光罩设置于一吸盘上，其中该光罩的该接触表面在该光罩设置于该吸盘上时接触该吸盘；以及
利用设置于该吸盘上的该光罩执行一微影制程。


2.根据权利要求1所述的光罩处理方法，其特征在于，其中该光罩具有一图案化区域和一非图案化区域，并且该光罩的该接触表面在该非图案化区域内。


3.根据权利要求1所述的光罩处理方法，其特征在于，其中该光罩具有多个非图案化区域和位于所述多个非图案化区域之间的一图案化区域，并且该光罩的该接触表面在所述多个非图案化区域内。


4.一种光罩处理方法，其特征在于，包含：
判断一颗粒是否在一光罩的一接触表面上；
若该颗粒在该接触表面上，则测定该颗粒的一高度；
判断该颗粒的该高度是否小于一预定高度；
若该颗粒的该高度小于该预定高度，则将该光罩设置于一吸盘上，其中该光罩的该接触表面在该光罩设置于该吸盘上时接触该吸盘；以及
利用设置于该吸盘上的该光罩执行一微影制程。
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【专利技术属性】
技术研发人员：廖主玮，廖啟宏，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾;71