一种硅圆晶连续提取装置制造方法及图纸

本发明专利技术涉及硅晶圆加工领域，具体涉及一种硅圆晶连续提取装置，包括有吸附提取组件包括真空分配器和吸附载盘，真空分配器的输出轴连接有吸附载盘，角度调节组件包括角度调节器和安装座，真空分配器的侧部设有支撑架，支撑架上安装有角度调节器，支撑架上设有安装架，安装座的一端与安装架铰接，安装座的另一端与角度调节器的输出轴铰接，安装座上安装有真空分配器，高度调节组件包括高度调节器，安装座上固定有高度调节器，高度调节器的输出轴传动连接有真空分配器，并带动真空分配器靠近或者远离安装架，本发明专利技术盘体的沟槽可供溢出的黏胶流入，以避免胶渗漏至硅晶圆与盘体之间而堵塞盘体的吸孔而造成吸附力下降，以防止硅晶圆因为吸附力不足导致晃动而破裂。

A continuous extraction device of silicon round crystal

【技术实现步骤摘要】
一种硅圆晶连续提取装置
本专利技术涉及硅晶圆加工领域，具体涉及一种硅圆晶连续提取装置。
技术介绍
硅晶圆广泛值得是电子电器的断开和闭合时，进行相互分离和接触的交点，由于金属导体端子在接触的瞬间容易产生瞬间的发热和火花，促使其接触点在使用的多频率过程中，容易产生氧化和电解，故而将其接触点加大加厚，或是采用高分子金属制造（以银和铜两种材料为主），于是，便将这个以高分子金属制成的接触点或者是以同等材料加大加厚的点称为硅晶圆。现有优良的硅晶圆的端部并不是平整的状态，会有一定的弧度凹陷，硅晶圆在加工成型后，端部或多或少会存在一些毛刺，由于硅晶圆的工作特殊性，所以必须对这些毛刺进行去毛刺处理，硅晶圆规格又比较小，硅晶圆的凹陷程度又不一，所以在对端部除毛刺的时候，现有装备实现较为困难，因此可以设计种装置对硅晶圆去毛刺。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供硅圆晶连续提取装置，该连续提取装置可以更好地吸附硅晶圆。为达此目的，本专利技术采用以下技术方案：一种硅圆晶连续提取装置，包括有吸附提取组件，真空吸附提取硅圆晶，包括真空分配器和吸附载盘，真空分配器的输出轴连接有吸附载盘，吸附载盘用于于吸附硅晶圆，吸附载盘包括盘体以及多个吸孔，盘体包括相反的底面与顶面、自底面的周缘延伸至顶面的周缘的围绕面、凹陷形成在围绕面一侧的沟槽，沟槽延伸至顶面以在顶面形成一缺口，顶面供硅晶圆放置，且沟槽的缺口被硅晶圆覆盖而使硅晶圆的部分侧缘邻近沟槽，吸孔贯穿盘体的底面与顶面；角度调节组件，设置在吸附提取组件的侧部，用于调节吸附提取组件的角度，以适应硅晶圆的端部，包括角度调节器和安装座，真空分配器的侧部设有支撑架，支撑架上安装有角度调节器，支撑架上设有安装架，安装座的一端与安装架铰接，安装座的另一端与角度调节器的输出轴铰接，安装座上安装有真空分配器，真空分配器设置在安装座远离安装架的一端，吸附载盘延伸出安装座端部外；高度调节组件，设置在吸附提取组件的侧部并固定在角度调节组件上，用于调节吸附提取组件的高度，以适应硅晶圆的端部，包括高度调节器，安装座上固定有高度调节器，高度调节器的输出轴传动连接有真空分配器，并带动真空分配器靠近或者远离安装架。作为硅圆晶连续提取装置的一种优选方案，安装座设置为字型，包括第一安装座和第二安装座，第一安装座的一端与第二安装座的一端一体化相固定并交错设置，第二安装座的另一端与安装架铰接，第一安装座的另一端固定有高度调节器，第一安装座靠近第二安装座的一端与角度调节器的输出轴铰接。作为硅圆晶连续提取装置的一种优选方案，角度调节器设置为气缸，高度调节器设置为气缸。作为硅圆晶连续提取装置的一种优选方案，角度调节器的输出轴铰接有连杆，连杆的另一端与第一安装座铰接。作为硅圆晶连续提取装置的一种优选方案，第一安装座远离第二安装座的一端端部设有弹性垫块，弹性垫块与吸附载盘接触连接。作为硅圆晶连续提取装置的一种优选方案，真空分配器安装在保护座内，保护座与高度调节器的输出轴传动连接。作为硅圆晶连续提取装置的一种优选方案，保护座上设有导向块，第一安装座上设有与导向块相配合的导槽。作为硅圆晶连续提取装置的一种优选方案，支撑架安装在工作台上。本专利技术的有益效果：盘体的沟槽可供溢出的黏胶流入，以避免胶渗漏至硅晶圆与盘体之间而堵塞盘体的吸孔而造成吸附力下降，以防止硅晶圆因为吸附力不足导致晃动而破裂，通过角度调节组件和高度调节组件调整吸附载盘与硅晶圆端部的角度，更好地去吸附硅晶圆，提取所需要的硅晶圆，并且根据所加工的硅晶圆型号的不同，可以适应性地通过角度调节组件和高度调节组件调整，实现对不同型号硅晶圆的连续加工。附图说明为了更清楚地说明本专利技术实施例的技术方案，下面将对本专利技术实施例中所需要使用的附图作简单地介绍。显而易见地，下面所描述的附图仅仅是本专利技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。图1和图2是本专利技术实施例所述的硅圆晶连续提取装置的两种不同视角的结构示意图；图3是本专利技术实施例所述的硅圆晶连续提取装置中安装座的结构示意图；图4是本专利技术实施例所述的硅圆晶连续提取装置中角度调节组件处的结构示意图；图5是本专利技术实施例所述的硅圆晶连续提取装置中的高度调节组件和吸附提取组件的结构示意图；图6是专利技术实施例所述的硅圆晶连续提取装置吸附载盘的俯视示意图；图7是专利技术实施例所述的硅圆晶连续提取装置吸附载盘的侧视示意图。图中：1、吸附提取组件；1a、真空分配器；1b、吸附载盘；1b1、盘体；1b2、底面；1b3、顶面；1b4、围绕面；1b5、沟槽；1b6、缺口；1b7、平口部；1b8、底盘；1b9、吸孔；1b10、第一锁固孔；1b11、第二锁固孔；1c、保护座；1d、导向块；2、角度调节组件；2a、角度调节器；2b、安装座；2b1、第一安装座；2b2、第二安装座；2b3、导槽；2c、支撑架；2d、安装架；2e、连杆；2f、垫块；3、高度调节组件；3a、高度调节器；4、工作台。具体实施方式为使本专利技术实现的技术手段、创作特征、达成目的与功效易于明白了解，下面结合具体实施方式，进一步阐述本专利技术。作为本专利技术的一个实施例，本专利技术提出一种硅圆晶连续提取装置，包括有吸附提取组件，真空吸附提取硅圆晶，包括真空分配器和吸附载盘，真空分配器的输出轴连接有吸附载盘，吸附载盘用于于吸附硅晶圆，吸附载盘包括盘体以及多个吸孔，盘体包括相反的底面与顶面、自底面的周缘延伸至顶面的周缘的围绕面、凹陷形成在围绕面一侧的沟槽，沟槽延伸至顶面以在顶面形成一缺口，顶面供硅晶圆放置，且沟槽的缺口被硅晶圆覆盖而使硅晶圆的部分侧缘邻近沟槽，吸孔贯穿盘体的底面与顶面；角度调节组件，设置在吸附提取组件的侧部，用于调节吸附提取组件的角度，以适应硅晶圆的端部，包括角度调节器和安装座，真空分配器的侧部设有支撑架，支撑架上安装有角度调节器，支撑架上设有安装架，安装座的一端与安装架铰接，安装座的另一端与角度调节器的输出轴铰接，安装座上安装有真空分配器，真空分配器设置在安装座远离安装架的一端，吸附载盘延伸出安装座端部外；高度调节组件，设置在吸附提取组件的侧部并固定在角度调节组件上，用于调节吸附提取组件的高度，以适应硅晶圆的端部，包括高度调节器，安装座上固定有高度调节器，高度调节器的输出轴传动连接有真空分配器，并带动真空分配器靠近或者远离安装架。通过该连续提取装置的设计，盘体的沟槽可供溢出的黏胶流入，以避免胶渗漏至硅晶圆与盘体之间而堵塞盘体的吸孔而造成吸附力下降，以防止硅晶圆因为吸附力不足导致晃动而破裂，通过角度调节组件和高度调节组件调整吸附载盘与硅晶圆端部的角度，更好地去吸附硅晶圆，提取所需要的硅晶圆，并且根据所加工的硅晶圆型号的不同，可以适应性地通过角度调节组件和高度调节组件调整，实现对不同型号硅晶圆的连续加工。下面结合本专利技术本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种硅圆晶连续提取装置，其特征在于，包括有吸附提取组件（1），真空吸附提取硅圆晶，包括真空分配器（1a）和吸附载盘（1b），真空分配器（1a）的输出轴连接有吸附载盘（1b），吸附载盘（1b）用于于吸附硅晶圆，吸附载盘（1b）包括盘体（1b1）以及多个吸孔（1b9），盘体（1b1）包括相反的底面（1b2）与顶面（1b3）、自底面（1b2）的周缘延伸至顶面（1b3）的周缘的围绕面（1b4）、凹陷形成在围绕面（1b4）一侧的沟槽（1b5），沟槽（1b5）延伸至顶面（1b3）以在顶面形成一缺口（1b6），顶面（1b3）供硅晶圆放置，且沟槽（1b5）的缺口被硅晶圆覆盖而使硅晶圆的部分侧缘邻近沟槽（1b5），吸孔（1b9）贯穿盘体（1b1）的底面（1b2）与顶面（1b3）；/n角度调节组件（2），设置在吸附提取组件（1）的侧部，用于调节吸附提取组件（1）的角度，以适应硅晶圆的端部，包括角度调节器（2a）和安装座（2b），真空分配器（1a）的侧部设有支撑架（2c），支撑架（2c）上安装有角度调节器（2a），支撑架（2c）上设有安装架（2d），安装座（2b）的一端与安装架（2d）铰接，安装座（2b）的另一端与角度调节器（2a）的输出轴铰接，安装座（2b）上安装有真空分配器（1a），真空分配器（1a）设置在安装座（2b）远离安装架（2d）的一端，吸附载盘（1b）延伸出安装座（2b）端部外；/n高度调节组件（3），设置在吸附提取组件（1）的侧部并固定在角度调节组件（2）上，用于调节吸附提取组件（1）的高度，以适应硅晶圆的端部，包括高度调节器（3a），安装座（2b）上固定有高度调节器（3a），高度调节器（3a）的输出轴传动连接有真空分配器（1a），并带动真空分配器（1a）靠近或者远离安装架（2d）。/n...

【技术特征摘要】
1.一种硅圆晶连续提取装置，其特征在于，包括有吸附提取组件（1），真空吸附提取硅圆晶，包括真空分配器（1a）和吸附载盘（1b），真空分配器（1a）的输出轴连接有吸附载盘（1b），吸附载盘（1b）用于于吸附硅晶圆，吸附载盘（1b）包括盘体（1b1）以及多个吸孔（1b9），盘体（1b1）包括相反的底面（1b2）与顶面（1b3）、自底面（1b2）的周缘延伸至顶面（1b3）的周缘的围绕面（1b4）、凹陷形成在围绕面（1b4）一侧的沟槽（1b5），沟槽（1b5）延伸至顶面（1b3）以在顶面形成一缺口（1b6），顶面（1b3）供硅晶圆放置，且沟槽（1b5）的缺口被硅晶圆覆盖而使硅晶圆的部分侧缘邻近沟槽（1b5），吸孔（1b9）贯穿盘体（1b1）的底面（1b2）与顶面（1b3）；
角度调节组件（2），设置在吸附提取组件（1）的侧部，用于调节吸附提取组件（1）的角度，以适应硅晶圆的端部，包括角度调节器（2a）和安装座（2b），真空分配器（1a）的侧部设有支撑架（2c），支撑架（2c）上安装有角度调节器（2a），支撑架（2c）上设有安装架（2d），安装座（2b）的一端与安装架（2d）铰接，安装座（2b）的另一端与角度调节器（2a）的输出轴铰接，安装座（2b）上安装有真空分配器（1a），真空分配器（1a）设置在安装座（2b）远离安装架（2d）的一端，吸附载盘（1b）延伸出安装座（2b）端部外；
高度调节组件（3），设置在吸附提取组件（1）的侧部并固定在角度调节组件（2）上，用于调节吸附提取组件（1）的高度，以适应硅晶圆的端部，包括高度调节器（3a），安装座（2b）上固定有高度调节器（3a），高度调节器（3a）的输出轴传动连接有真空分配器（1a），并带动真空分配器（1a）靠近或者远离安装架（2d）。


2.根据权利要求1所述的硅圆晶连续提取装置，其特征在于，安装座（2b）设置为Z字型，包括第一安装座（2b1）和第二安装座（2b2），第一安装座（2b1）的一端与第二安装座（2b2）的一端一体化相固定并交错设置，第二安装座（2b2）...

【专利技术属性】
技术研发人员：钱波，
申请(专利权)人：苏师大半导体材料与设备研究院邳州有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏;32