一种堆栈式芯片硅基质量智能检测方法技术

本发明专利技术公开了一种堆栈式芯片硅基质量智能检测方法，包括以下步骤：S1：将堆栈式芯片硅基等距放置在输送带上经由输送带输送至摄像部位；S2：利用三百六十度的摄像设备对堆栈式芯片硅基的外侧进行摄像，并件图像发送至图像处理器；S3：利用图像处理器对堆栈式芯片硅基的外表面进行初检测，淘汰不合格产品；S4：检测合格的堆栈式芯片硅基继续经由输送带输送至红外线检测仪位置进行快速检测，淘汰内部分子组合不合格的产品。本发明专利技术设计合理，对堆栈式芯片硅基的质量进行外部和内部的自动化的双重检测，工作人员的工作强度低，检测结果的准确性高，提升了堆栈式芯片硅基的生产效率和检测效率。

An intelligent method for quality inspection of stack chip silicon base

【技术实现步骤摘要】
一种堆栈式芯片硅基质量智能检测方法
本专利技术涉及质量检测
，尤其涉及一种堆栈式芯片硅基质量智能检测方法。
技术介绍
硅片是一块很小的硅，内含集成电路，在集成电路的制作中，芯片是经由晶圆制作、形成集成电路以及切割晶圆等步骤而完成，芯片堆栈结构已被广泛讨论，其有别于过去将整个系统集合在单一芯片中，通过垂直方向布局堆栈芯片，可让不同功能或不同工艺技术的芯片达到整合的目的。堆栈式芯片应用范围覆盖了军工、民用的几乎所有电子设备，由于芯片的应用广泛，芯片的生产量大，生产过程中的质量检测也就尤为重要，一般堆栈式芯片硅基的质量检测为人工检测或半自动化检测，工作人员对硅基产品进行观察分析，再将次品取出并单独放置，这种方式劳动强度大，工作效率低，而且由于人工操作，检测结果不稳定，对堆栈式芯片硅基的检测工作产生影响，所以我们提出了一种堆栈式芯片硅基质量智能检测方法，用以解决上述提出的问题。
技术实现思路
基于
技术介绍
存在的技术问题，本专利技术提出了一种堆栈式芯片硅基质量智能检测方法。本专利技术提出的一种堆栈式芯片硅基质量智能检测方法，包括以下步骤：S1：将堆栈式芯片硅基等距放置在输送带上经由输送带输送至摄像部位；S2：利用三百六十度的摄像设备对堆栈式芯片硅基的外侧进行摄像，并件图像发送至图像处理器；S3：利用图像处理器对堆栈式芯片硅基的外表面进行初检测，淘汰不合格产品；S4：检测合格的堆栈式芯片硅基继续经由输送带输送至红外线检测仪位置进行快速检测，淘汰内部分子组合不合格的产品；S5：将检测合格的产品加入至加热箱中进行耐高温的检测并利用红外检测仪检测加热后分子的稳定性；S6：将S5中检测合格的堆栈式芯片硅基利用输送带输送至下料装置所在的区域；S7：将S6中下料的堆栈式芯片硅基利用封装箱进行封装；S8：将封装完毕的堆栈式芯片硅基至于仓库进行堆放。优选的，所述S1中，在输送带上设置一个主动辊、一个从动辊和一个驱动电机，驱动电机和主动辊传动连接，用来带动堆栈式芯片硅基的移动。优选的，所述S2中摄像设备上设置一个圆环，圆环上设置了呈环形排布的多个照相机，多个照相机刚好可以覆盖堆栈式芯片硅基的三百六十度，快速的对堆栈式芯片硅基的外表面进行拍照。优选的，所述S3中，图像处理器的检测项目为外表面的明显裂缝，裂缝的误差范围为1mm-3mm，芯片和硅基胶粘的缝隙，误差范围为2mm-3mm。优选的，所述S3中，不合格的产品图像处理器会将淘汰命令发送给抓取机构，抓取机构为气缸驱动的机械手，机械手将不合格产品抓离输送带，置于回流箱内进行保存。优选的，所述S4中，红外检测仪可以检测堆栈式芯片硅基内部的分子组成，和合格的分子组成进行比对，并记录下分子组合，将分子组合发送至处理器位置，淘汰比对不吻合的产品。优选的，所述S5中，加热箱中的加热温度为200-500摄氏度，加热时间为20-30S，继续利用红外检测仪对堆栈式芯片硅基的内部分子进行检测，比对加热前后分子的组成，无明显差异的即为合格产品。优选的，所述S6中，下料装置为设置在输送带端部的一斜板，在斜板的顶部两侧设置了挡板，当堆栈式芯片硅基和输送带脱离时会顺着斜板进行下滑。优选的，所述S7中，封装箱使用的是密封纸箱，顺着斜板滑落的堆栈式芯片硅基会滑入纸箱的内部，一个纸箱内存放十个堆栈式芯片硅基，装满后进行纸箱口部的封闭。优选的，所述S8中，仓库的温度要求范围为20-35摄氏度，相对湿度低于40%。与现有技术相比，本专利技术的有益效果是：一方面，利用摄像设备可以对堆栈式芯片硅基进行外表面的质量检测和淘汰不合格产品，进一步的，可以对堆栈式芯片硅基加热前后的分子排布来检测其耐热性，检测的更加全面，自动化程度高，为堆栈式芯片硅基的投入使用提供良好的保证。本专利技术设计合理，对堆栈式芯片硅基的质量进行外部和内部的自动化的双重检测，工作人员的工作强度低，检测结果的准确性高，提升了堆栈式芯片硅基的生产效率和检测效率。具体实施方式下面结合具体实施例对本专利技术作进一步解说。实施例一本实施例中提出了一种堆栈式芯片硅基质量智能检测方法，包括以下步骤：S1：将堆栈式芯片硅基等距放置在输送带上经由输送带输送至摄像部位；S2：利用三百六十度的摄像设备对堆栈式芯片硅基的外侧进行摄像，并件图像发送至图像处理器；S3：利用图像处理器对堆栈式芯片硅基的外表面进行初检测，淘汰不合格产品；S4：检测合格的堆栈式芯片硅基继续经由输送带输送至红外线检测仪位置进行快速检测，淘汰内部分子组合不合格的产品；S5：将检测合格的产品加入至加热箱中进行耐高温的检测并利用红外检测仪检测加热后分子的稳定性；S6：将S5中检测合格的堆栈式芯片硅基利用输送带输送至下料装置所在的区域；S7：将S6中下料的堆栈式芯片硅基利用封装箱进行封装；S8：将封装完毕的堆栈式芯片硅基至于仓库进行堆放。本实施例中，S1中，在输送带上设置一个主动辊、一个从动辊和一个驱动电机，驱动电机和主动辊传动连接，用来带动堆栈式芯片硅基的移动，S2中摄像设备上设置一个圆环，圆环上设置了呈环形排布的多个照相机，多个照相机刚好可以覆盖堆栈式芯片硅基的三百六十度，快速的对堆栈式芯片硅基的外表面进行拍照，S3中，图像处理器的检测项目为外表面的明显裂缝，裂缝的误差范围为1mm-3mm，芯片和硅基胶粘的缝隙，误差范围为2mm-3mm，S3中，不合格的产品图像处理器会将淘汰命令发送给抓取机构，抓取机构为气缸驱动的机械手，机械手将不合格产品抓离输送带，置于回流箱内进行保存，S4中，红外检测仪可以检测堆栈式芯片硅基内部的分子组成，和合格的分子组成进行比对，并记录下分子组合，将分子组合发送至处理器位置，淘汰比对不吻合的产品，S5中，加热箱中的加热温度为500摄氏度，加热时间为30S，继续利用红外检测仪对堆栈式芯片硅基的内部分子进行检测，比对加热前后分子的组成，无明显差异的即为合格产品，S6中，下料装置为设置在输送带端部的一斜板，在斜板的顶部两侧设置了挡板，当堆栈式芯片硅基和输送带脱离时会顺着斜板进行下滑，S7中，封装箱使用的是密封纸箱，顺着斜板滑落的堆栈式芯片硅基会滑入纸箱的内部，一个纸箱内存放十个堆栈式芯片硅基，装满后进行纸箱口部的封闭，S8中，仓库的温度要求范围为35摄氏度，相对湿度低于40%。实施例二本实施例中提出了一种堆栈式芯片硅基质量智能检测方法，包括以下步骤：S1：将堆栈式芯片硅基等距放置在输送带上经由输送带输送至摄像部位；S2：利用三百六十度的摄像设备对堆栈式芯片硅基的外侧进行摄像，并件图像发送至图像处理器；S3：利用图像处理器对堆栈式芯片硅基的外表面进行初检测，淘汰不合格产品；S4：检测合格的堆栈式芯片硅基继续经由输送带输送至红外线检测仪位置进行快速检测，淘汰内部分子组合不合格的产品；S5：将检测合本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种堆栈式芯片硅基质量智能检测方法，其特征在于，包括以下步骤：/nS1：将堆栈式芯片硅基等距放置在输送带上经由输送带输送至摄像部位；/nS2：利用三百六十度的摄像设备对堆栈式芯片硅基的外侧进行摄像，并件图像发送至图像处理器；/nS3：利用图像处理器对堆栈式芯片硅基的外表面进行初检测，淘汰不合格产品；/nS4：检测合格的堆栈式芯片硅基继续经由输送带输送至红外线检测仪位置进行快速检测，淘汰内部分子组合不合格的产品；/nS5：将检测合格的产品加入至加热箱中进行耐高温的检测并利用红外检测仪检测加热后分子的稳定性；/nS6：将S5中检测合格的堆栈式芯片硅基利用输送带输送至下料装置所在的区域；/nS7：将S6中下料的堆栈式芯片硅基利用封装箱进行封装；/nS8：将封装完毕的堆栈式芯片硅基至于仓库进行堆放。/n

【技术特征摘要】
1.一种堆栈式芯片硅基质量智能检测方法，其特征在于，包括以下步骤：
S1：将堆栈式芯片硅基等距放置在输送带上经由输送带输送至摄像部位；
S2：利用三百六十度的摄像设备对堆栈式芯片硅基的外侧进行摄像，并件图像发送至图像处理器；
S3：利用图像处理器对堆栈式芯片硅基的外表面进行初检测，淘汰不合格产品；
S4：检测合格的堆栈式芯片硅基继续经由输送带输送至红外线检测仪位置进行快速检测，淘汰内部分子组合不合格的产品；
S5：将检测合格的产品加入至加热箱中进行耐高温的检测并利用红外检测仪检测加热后分子的稳定性；
S6：将S5中检测合格的堆栈式芯片硅基利用输送带输送至下料装置所在的区域；
S7：将S6中下料的堆栈式芯片硅基利用封装箱进行封装；
S8：将封装完毕的堆栈式芯片硅基至于仓库进行堆放。


2.根据权利要求1所述的一种堆栈式芯片硅基质量智能检测方法，其特征在于，所述S1中，在输送带上设置一个主动辊、一个从动辊和一个驱动电机，驱动电机和主动辊传动连接，用来带动堆栈式芯片硅基的移动。


3.根据权利要求1所述的一种堆栈式芯片硅基质量智能检测方法，其特征在于，所述S2中摄像设备上设置一个圆环，圆环上设置了呈环形排布的多个照相机，多个照相机刚好可以覆盖堆栈式芯片硅基的三百六十度，快速的对堆栈式芯片硅基的外表面进行拍照。


4.根据权利要求1所述的一种堆栈式芯片硅基质量智能检测方法，其特征在于，所述S3中，图像处理器的检测项目为外表面的明显裂缝，裂缝的误差范围为1mm-3mm，芯片和硅基胶粘的缝隙，误差...

【专利技术属性】
技术研发人员：马怡军，张培林，武建军，柴利春，王志辉，张作文，纪永良，
申请(专利权)人：大同新成新材料股份有限公司，
类型：发明
国别省市：山西;14