红外线检测装置制造方法及图纸

信号处理基板(10)具有多个信号处理电路(23)，该处理电路处理由红外线检测元件(1)的多个像素输出的信号。信号处理基板(10)具有：配置有红外线检测元件(1)的元件配置区域(17)、从与信号处理基板(10)正交方向看以围绕元件配置区域(17)的方式位于元件配置区域(17)的外侧的电路配置区域(19)。信号处理基板(10)具有层叠于与半导体基板(3)相对的面侧的多个绝缘层(13)。多个信号处理电路(23)以围绕元件配置区域(17)的方式配置于电路配置区域(19)。在信号处理基板(10)上，以位于至少有一层绝缘层(13)上并且位于元件配置区域(17)的方式，配置有热导电层(27)。热导电层(27)具有比绝缘层(13)的热传导率更高的热传导率。

Infrared detection device

【技术实现步骤摘要】
红外线检测装置本申请是申请日为2015年11月19日、申请号为201580076369.3、专利技术名称为红外线检测装置的专利申请的分案申请。
本专利技术涉及红外线检测装置。
技术介绍
具有红外线检测元件与信号处理基板的红外线检测装置为人们所熟知(例如参照专利文献1)。红外线检测元件具有多个像素呈二维状配置的半导体基板。信号处理基板具有处理从多个像素输出的信号的多个信号处理电路。信号处理基板与半导体基板相对配置。多个信号处理电路配置于与半导体基板相对的区域。现有技术文献专利文献专利文献1：日本特开第2011-142558号公报
技术实现思路
专利技术所要解决的技术问题信号处理电路在运作时会发热。多个信号处理电路在配置于与半导体基板相对的区域的情况下，由信号处理电路发出的热容易传导到半导体基板(红外线检测元件)上。因此，红外线检测元件容易受信号处理基板发出的热的影响。红外线检测元件若受热的影响则会增加暗电流。因此，本专利技术一个形态的目的在于提供一种能够抑制暗电流的增加的红外线检测装置。解决技术问题的手段本专利技术的一个形态所涉及的红外线检测装置的特征为：具有红外线检测元件、信号处理基板以及配置于信号处理基板的热传导层。红外线检测元件具有多个像素呈二维状配置的半导体基板。信号处理基板具有处理从多个像素输出的信号的多个信号处理电路，而且，信号处理基板与半导体基板相对配置。信号处理基板具有，配置有红外线检测元件的元件配置区域，以及从与信号处理基板正交的方向看以围绕元件配置区域的方式位于元件配置区域外侧的电路配置区域。信号处理基板具有层叠于与半导体基板相对的面侧的多个绝缘层。多个信号处理电路，以围绕元件配置区域的方式配置于电路配置区域。热传导层以位于至少一层的绝缘层上并位于元件配置区域的方式配置。热导电层具有比多个绝缘层的热传导率更高的热传导率。本形态所涉及的红外线检测装置上，多个信号处理电路以围绕元件配置区域的方式配置于电路配置区域上。在多个信号处理电路配置于电路配置区域的结构中，与现有的多个信号处理电路配置于位于红外线检测元件(半导体基板)的正下方的区域的结构相比，成为热的发生源的信号处理电路到红外线检测元件的距离更长。即，在与本专利技术相关的红外线检测装置中，与上述现有的结构相比，红外线检测元件因为远离信号处理电路，红外线检测元件不易受信号处理基板发出的热的影响。因此，在与本专利技术相关的红外线检测元件上抑制了在红外线检测元件的暗电流的增加。即使在多个信号处理电路配置于电路配置区域的结构上，信号处理电路所散发的热会传导至元件配置区域。在这个情况下，在元件配置区域，信号处理电路附近位置的温度与远离信号处理电路位置的温度不同。即，元件配置区域会产生温度梯度。例如，信号处理电路附近位置的温度比远离信号处理电路位置的温度更高。若元件配置区域产生温度梯度，在元件配置区域的信号处理电路附近位置相对配置的像素，以及在远离元件配置区域的信号处理电路位置相对配置的像素，受到信号处理基板散发热的影响不同。例如，在元件配置区域的信号处理电路附近位置相对配置的像素，以及在远离元件配置区域的信号处理电路位置相对配置的像素，因为温度容易变高，有暗电流增加的倾向。像这样有暗电流在像素间不规则分布的担忧。对于此，本形态所涉及的红外线检测装置中，在信号处理基板上，以位于至少有一层绝缘层上并位于元件配置区域的方式，配置有具有比多个绝缘层的热传导率更高的热传导率的热导电层，所以在元件配置区域不易产生温度梯度。因此，在红外线检测元件上，可以抑制暗电流在像素间的不规则分布。热传导层可以是无间隙实体状(solidly-formed)的金属层。这种情况下，可以轻易实现在元件配置区域不易产生温度梯度的结构。热传导层可以以位于相邻的两层绝缘层之间的方式配置。这种情况下，热传导层与信号处理基板的与半导体基板相对的面相比，配置于信号处理基板内。所以，热传导层在信号处理基板内配置的结构，例如，与热传导层配置于信号处理基板的与半导体基板相对的面的结构相比，因为从热传导层到红外线检测元件的距离长，红外线检测元件不易受热传导层散发的热的影响。因此，进一步抑制在红外线检测元件上的暗电流增加，并可以抑制暗电流在像素间不规范分布。从信号处理基板正交方向来看，信号处理基板呈矩形形状，多个信号处理电路以沿着信号处理基板的各边的方式配置于电路配置区域。这种情况下，因为热从四周方向传导至元件配置区域，在元件配置区域更加不易产生温度梯度。从与信号处理基板正交的方向来看，元件配置区域呈具有与信号处理基板的相对的一对边平行，且互相相对的一对边、和与信号处理基板相对的另外一对边平行，且与互相相对的一对边的矩形形状。在元件配置区域，电连接于对应的像素的多个电极，以与多个像素的配置对应的方式呈二维状配置。元件配置区域由矩形形状的四个部分区域组成的情况下，在四个部分区域各自配置的电极，和以沿着配置该电极的部分区域的一边相对的上述信号处理基板的边的方式配置的上述信号处理电路连接。在此情况下，元件配置区域不易产生温度梯度。以沿着信号处理基板各边的方式配置的各信号处理电路可以与该信号处理电路对应的电极恰当连接。多个信号处理电路也可配置为相互间具有间隔，可以为热传导层从与信号处理基板正交的方向来看，具有位于相邻信号处理电路之间层部分。这种情况下，从信号处理电路散发的热容易传导至热传导层，所以元件配置区域更不易产生温度梯度。红外线检测装置配置于信号处理基板，具备热传导部件，其具有比多个绝缘层的热传导率更高的热传导率。热传导部件具有，连接于热传导层的一端和位于上述信号处理基板的与上述半导体基板相对的面的背面侧的另一端。在此情况下，热传导层的热一部分通过热传导部件，传导至信号处理基板的与半导体基板相对的面的背面侧。传导至信号处理基板的背面侧的热因为通过信号处理基板向外散出，热传导层温度则可降低。因此，可进一步抑制红外线检测元件上的暗电流的增加，并且可以抑制暗电流在像素间的不规则分布。专利技术效果通过以上所述的本专利技术，可以提供一种能抑制暗电流增加的红外线检测装置。附图说明图1是表示本专利技术的实施方式所涉及的红外线检测装置的平面结构的示意图。图2是表示本专利技术的实施方式所涉及的红外线检测装置截面结构的示意图。图3是表示信号处理基板的平面结构的示意图。图4是表示信号处理电路和热传导层的位置关系的示意图。图5是表示信号处理电路和热传导层的位置关系的示意图。图6是表示本实施方式变形例所涉及的红外线检测装置的截面结构的示意图。具体实施方式以下，参照附图详细说明本专利技术中的实施方式。此外，在说明中同一要素或有同一作用的要素里使用同一符号，省略重复说明。参照图1至图3，对本实施方式所涉及的红外线检测装置IF的结构进行说明。图1是表示本专利技术的实施方式所涉及的红外线检测装置的平面结构的示意图。图2是表示本专利技术的实施方式所涉及的红外本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种红外线检测装置，其特征在于，/n具备：/n红外线检测元件，具备多个像素以二维状配置的半导体基板；以及/n信号处理基板，具有处理从所述多个像素输出的信号的多个信号处理电路，以与所述半导体基板相对的方式配置，/n所述信号处理基板具有，配置有所述红外线检测元件的元件配置区域，以及从与所述信号处理基板正交的方向看以围绕所述元件配置区域的方式位于所述元件配置区域的外侧的电路配置区域，/n所述多个信号处理电路，以围绕所述元件配置区域的方式配置于所述电路配置区域。/n

【技术特征摘要】
20150218 JP 2015-0299281.一种红外线检测装置，其特征在于，
具备：
红外线检测元件，具备多个像素以二维状配置的半导体基板；以及
信号处理基板，具有处理从所述多个像素输出的信号的多个信号处理电路，以与所述半导体基板相对的方式配置，
所述信号处理基板具有，配置有所述红外线检测元件的元件配置区域，以及从与所述信号处理基板正交的方向看以围绕所述元件配置区域的方式位于所述元件配置区域的外侧的电路配置区域，
所述多个信号处理电路，以围绕所述元件配置区域的方式配置于所述电路配置区域。


2.如权利要求1所述的红外线检测装置，其特征在于，
所述信号处理基板从与所述信号处理基板正交的方向看呈矩形形状，
所述多个信号处理电路以沿所述信号处理基板的各边的方式配置于所述电路配置区域。


3.如权利要求2所述的红外线检测装置，其特征在于，
所述元件配置区域从与所述信号处理基板正交的方向看呈矩形形状，该矩形形状具有与所述信号处理基板的相对的一对边平行且互相相对的一对边、以及与所述信号处理基板的相对的另一对边平行且互相相对的一对边，
所述信号处理基板，具有与所述多个像素中对应的所述像素电连接的多个电极，
所述多个电极以与所述多个像素的配置对应的方式在所述元件配置区域二维状地配置，
所述元件配置区域由矩形形状的四个部分区域构成的情况下，在所述四个部分区域分别配置的所述电极，和以沿着与配置有该电极的所述部分区域的一边相对的所述信号处理基板的边的方式配置的所述信号处理电路连接。


4.如权利要求1～3中任意一项所述的红外线检测装置，其特征在于，
进一步具备搭载有所述信号处理基板的支撑配线...

【专利技术属性】
技术研发人员：石原正敏，山本洋夫，大重美明，
申请(专利权)人：浜松光子学株式会社，
类型：发明
国别省市：日本;JP