发光二极管支架的电镀方法及系统、发光二极管支架技术方案

一种发光二极管支架的电镀方法，该方法包括：对支架进行微蚀处理，去除支架表面的氧化层及活化支架的表面；对支架进行冲击镍电镀处理，在支架的表面形成第一电镀镍层；对支架进行镀碱铜处理，在第一电镀镍层上形成电镀铜层；对支架进行镀镍处理，在电镀铜层上形成第二电镀镍层；对支架进行镀银处理，在第二电镀镍层上形成电镀银层。本发明专利技术的发光二极管支架的电镀方法在电镀铜和银之前先在支架的表面形成了第一电镀镍层，第一电镀镍层能有效增强后续镀层与支架的结合力，有利于提高产品品质。本发明专利技术还涉及一种发光二极管支架和发光二极管支架的电镀系统。

Electroplating method and system of LED bracket, LED bracket

【技术实现步骤摘要】
发光二极管支架的电镀方法及系统、发光二极管支架
本专利技术涉及电镀
，特别涉及一种发光二极管支架的电镀方法及系统、发光二极管支架。
技术介绍
现有的表面贴装型发光二极管(lightemittingdiode，LED)的制作流程如下：先将金属片材经冲压成型为表面贴装型LED支架，之后，所形成的表面贴装型LED支架经电镀、切片、包装、注塑、固晶、短烤固化、焊线、点胶、老化烤、镀锡等工序完成LED芯片的表面贴装，然后经测检和分选包装制成表面贴装型发光二极管产品。其中，表面贴装型LED支架的电镀是表面贴装型发光二极管整个制作中的关键环节之一。表面贴装型LED支架的电镀主要是在表面贴装型LED支架的芯片功能区进行双面镀银，镀银的品质将直接影响到表面贴装型LED支架的导热和导电性能。现有的电镀系统是先在LED支架上镀铜和镍，最后在镍层上镀银，由于LED支架是由铜材制作形成，直接在LED支架上镀铜效果差，导致厚度镀层结合力较低，降低了产品品质。
技术实现思路
有鉴于此，本专利技术提供一种发光二极管支架的电镀方法，在电镀铜和银之前先在支架的表面形成了第一电镀镍层，第一电镀镍层能有效增强后续镀层与支架的结合力，有利于提高产品品质。一种发光二极管支架的电镀方法，该方法包括：对支架进行微蚀处理，去除支架表面的氧化层及活化支架的表面；对支架进行冲击镍电镀处理，在支架的表面形成第一电镀镍层；对支架进行镀碱铜处理，在第一电镀镍层上形成电镀铜层；对支架进行镀镍处理，在电镀铜层上形成第二电镀镍层；对支架进行镀银处理，在第二电镀镍层上形成电镀银层。一种发光二极管支架的电镀方法，该方法包括：对支架进行微蚀处理，去除该支架表面的氧化层及活化该支架的表面；对该支架进行冲击镍电镀处理，在该支架的表面形成第一电镀镍层；对该支架进行镀镍处理，在该第一电镀镍层上形成第二电镀镍层；以及对该支架进行镀银处理，在该第二电镀镍层上形成电镀银层。在本专利技术的实施例中，对该支架进行冲击镍电镀处理的参数为：电镀液中的氯化镍浓度：250～350g/L；盐酸浓度：5～25g/L；电流：20～50A；电压：1～4V；对该支架进行镀镍处理的参数为：电镀液中的镍离子浓度：60～100g/L；硼酸浓度：30～50g/L；氯化镍浓度：10～30g/L；电流：15～35A；电压：0.5～5.5V；PH值：3.5～4.5。在本专利技术的实施例中，对该支架进行微蚀处理之前还包括：在该支架上制作EMC或SMC胶杯。在本专利技术的实施例中，对该支架进行镀碱铜处理后还包括：对该支架进行镀酸铜处理，在该电镀铜层上再形成一层电镀铜层。在本专利技术的实施例中，对该支架进行镀碱铜处理的参数为：电镀液中铜离子浓度：50～90g/L；游离氰化钠浓度：25～45g/L；铜离子与游离氰化钠的比值为：1：0.5；温度：50～60℃；电流：15～35A；电压：1.5～5.5V；对该支架进行镀酸铜处理的参数为：电镀液中五水硫酸铜浓度：135～205g/L；盐酸浓度：50～120ppm；硫酸浓度：50～90g/L；温度：18～28℃；电流：5～25A；电压：0.5～5.5V。在本专利技术的实施例中，上述镀银处理包括预镀银处理和全镀银处理，其中：对该支架进行预镀银处理时，在该第二电镀镍层上形成一层电镀银层，处理的参数为：电镀液中银离子浓度：4～8g/L；游离氰化钾浓度：100～140g/L；温度：20～35℃；电流：4～8A；电压：1～5.5V；对该支架进行全镀银处理时，在该电镀银层上再形成一层电镀银层，处理的参数为：电镀液中银离子浓度：20～50g/L；游离氰化钾浓度：130～170g/L；温度：38～42℃。在本专利技术的实施例中，对该支架进行预镀银处理之前还包括：对该支架进行镍活化处理，处理的参数为：活化液中氰化钾浓度：40～60g/L；温度：20～35℃；电流：10～30A；电压：1～5.5V。在本专利技术的实施例中，对该支架进行微蚀处理之前还包括：对该支架进行超声波脱脂处理，处理的参数为：浸泡液的温度：45～55℃；PH值：6-7.5；正面电流：2.2～6.2A；反面电流：1.9～5.9A；频率：390。本专利技术还提供一种发光二极管支架，该支架采用上述的发光二极管支架的电镀方法制作形成。本专利技术还提供一种发光二极管支架的电镀系统，该系统采用上述的发光二极管支架的电镀方法，该系统包括：供料装置、收料装置以及依次设置于该供料装置与该收料装置之间的微蚀装置、冲击镍电镀装置、镀碱铜装置、电镀镍装置以及镀银装置，其中:该供料装置输出的支架依次经过该微蚀装置、该冲击镍电镀装置、该镀碱铜装置、该电镀镍装置以及该镀银装置,该收料装置用于卷收镀银后的该支架；该微蚀装置用于对该支架进行微蚀处理，去除该支架表面的氧化层及活化该支架的表面；该冲击镍电镀装置用于对该支架进行冲击镍电镀处理，在该支架的表面形成第一电镀镍层；该镀碱铜装置用于对该支架进行镀碱铜处理，在该第一电镀镍层上形成电镀铜层；该电镀镍装置用于对该支架进行镀镍处理，在该电镀铜层上形成第二电镀镍层；该镀银装置用于对该支架进行镀银处理，在该第二电镀镍层上形成电镀银层。本专利技术还提供一种发光二极管支架的电镀系统，该系统采用上述的发光二极管支架的电镀方法，该系统包括：供料装置、收料装置以及依次设置于该供料装置与该收料装置之间的微蚀装置、冲击镍电镀装置、电镀镍装置以及镀银装置，其中:该供料装置输出的支架依次经过该微蚀装置、该冲击镍电镀装置、该镀碱铜装置、该电镀镍装置以及该镀银装置,该收料装置用于卷收镀银后的该支架；该微蚀装置用于对该支架进行微蚀处理，去除该支架表面的氧化层及活化该支架的表面；该冲击镍电镀装置用于对该支架进行冲击镍电镀处理，在该支架的表面形成第一电镀镍层；该电镀镍装置用于对该支架进行镀镍处理，在该第一电镀镍层上形成第二电镀镍层；该镀银装置用于对该支架进行镀银处理，在该第二电镀镍层上形成电镀银层。本专利技术的发光二极管支架的电镀方法在电镀铜和银之前先在支架的表面形成了第一电镀镍层，第一电镀镍层能有效增强后续镀层与支架的结合力，有利于提高产品品质。附图说明图1是本专利技术第一实施例的发光二极管支架的电镀方法的流程示意图。图2是采用本专利技术第一实施例的发光二极管支架的电镀方法电镀后的支架的剖视示意图。图3是支架上制作有EMC或SMC胶杯的局部剖视图。图4是本专利技术第三实施例的发光二极管支架的电镀系统的结构示意图。图5是本专利技术第四实施例的发光二极管支架的电镀方法的流程示意图。图6是采用本专利技术第四实施例的发光二极管支架的电镀方法电镀后的支架的剖视示意图。图7是本专利技术第五实施例的发光二极管支架的电镀系统的结构示意图。...

【技术保护点】
1.一种发光二极管支架的电镀方法，其特征在于，该方法包括：/n对支架进行微蚀处理，去除该支架表面的氧化层及活化该支架的表面；/n对该支架进行冲击镍电镀处理，在该支架的表面形成第一电镀镍层；/n对该支架进行镀碱铜处理，在该第一电镀镍层上形成电镀铜层；/n对该支架进行镀镍处理，在该电镀铜层上形成第二电镀镍层；以及/n对该支架进行镀银处理，在该第二电镀镍层上形成电镀银层。/n

【技术特征摘要】
1.一种发光二极管支架的电镀方法，其特征在于，该方法包括：
对支架进行微蚀处理，去除该支架表面的氧化层及活化该支架的表面；
对该支架进行冲击镍电镀处理，在该支架的表面形成第一电镀镍层；
对该支架进行镀碱铜处理，在该第一电镀镍层上形成电镀铜层；
对该支架进行镀镍处理，在该电镀铜层上形成第二电镀镍层；以及
对该支架进行镀银处理，在该第二电镀镍层上形成电镀银层。


2.一种发光二极管支架的电镀方法，其特征在于，该方法包括：
对支架进行微蚀处理，去除该支架表面的氧化层及活化该支架的表面；
对该支架进行冲击镍电镀处理，在该支架的表面形成第一电镀镍层；
对该支架进行镀镍处理，在该第一电镀镍层上形成第二电镀镍层；以及
对该支架进行镀银处理，在该第二电镀镍层上形成电镀银层。


3.如权利要求1或2所述的发光二极管支架的电镀方法，其特征在于，对该支架进行冲击镍电镀处理的参数为：
电镀液中的氯化镍浓度：250～350g/L；盐酸浓度：5～25g/L；电流：20～50A；电压：1～4V；
对该支架进行镀镍处理的参数为：
电镀液中的镍离子浓度：60～100g/L；硼酸浓度：30～50g/L；氯化镍浓度：10～30g/L；电流：15～35A；电压：0.5～5.5V；PH值：3.5～4.5。


4.如权利要求1或2所述的发光二极管支架的电镀方法，其特征在于，对该支架进行微蚀处理之前还包括：
在该支架上制作EMC或SMC胶杯。


5.如权利要求1所述的发光二极管支架的电镀方法，其特征在于，对该支架进行镀碱铜处理后还包括：
对该支架进行镀酸铜处理，在该电镀铜层上再形成一层电镀铜层。


6.如权利要求5所述的发光二极管支架的电镀方法，其特征在于，对该支架进行镀碱铜处理的参数为：
电镀液中铜离子浓度：50～90g/L；游离氰化钠浓度：25～45g/L；铜离子与游离氰化钠的比值为：1：0.5；温度：50～60℃；电流：15～35A；电压：1.5～5.5V；
对该支架进行镀酸铜处理的参数为：
电镀液中五水硫酸铜浓度：135～205g/L；盐酸浓度：50～120ppm；硫酸浓度：50～90g/L；温度：18～28℃；电流：5～25A；电压：0.5～5.5V。


7.如权利要求1或2所述的发光二极管支架的电镀方法，其特征在于，该镀银处理包括预镀银处理和全镀银处理，其中：
对该支架进行预镀银处理时，在该第二电镀镍层上形成一层电镀银层，处理的参数为：
电镀液中银离子浓度：4～8g/L；游离氰化钾浓度：100～140g/L；温度：20～35℃；电流：4～8A；电压：1～5.5V；

【专利技术属性】
技术研发人员：郑建国，罗小平，
申请(专利权)人：深圳市崇辉表面技术开发有限公司，
类型：发明
国别省市：广东;44