掩模结构及其制造方法及工作件加工系统技术方案

本揭露涉及掩模结构及其制造方法及工作件加工系统。一种掩模结构包括衬底、第一图案化金属层以及第二图案化金属层。衬底具有第一表面和与第一表面相对的第二表面。第一图案化金属层设置在衬底的第一表面上，具有复数个第一开口，第一开口具有第一侧壁。第二图案化金属层设置在衬底的第二表面上，具有复数个第二开口，第二开口具有第二侧壁。衬底具有复数个通孔，通孔具有第三侧壁，通孔对应第一开口和第二开口设置，且第三侧壁与第一侧壁和第二侧壁构成连续平面。

Mask structure, manufacturing method and workpiece processing system

【技术实现步骤摘要】
掩模结构及其制造方法及工作件加工系统
本公开是有关一种掩模结构及其制造方法及工作件加工系统，详细来说，是一种多层结构的掩模及其制造方法及其应用的工作件加工系统。
技术介绍
在制造显示器等电子产品时，通常会在部分制程中使用掩模(mask)，例如金属掩模，使得电子产品上的各个装置可以设置在预定位置。然而，在金属掩模中，由于金属对于应力的承受力较低，因此，当金属掩模受到应力影响，或有应力残留于金属掩模中时，或是金属掩模的孔洞越来越多时，会使得金属掩模产生皱褶、弯曲、翘曲等不良情况，进而影响电子产品的生产良率，例如所制造的显示器会造成严重混色。为了减少应力对于金属掩模的影响，业界尝试增加金属掩模的孔洞间距，藉此提升金属掩模的结构稳定度，但相对的，显示器的分辨率也随之下降。
技术实现思路
本专利技术的目的之一在于提供一种掩模结构及其制造方法，其具有衬底和至少两个金属层的结构，使得其在结构稳定性增加的同时，也增加其分辨率。本专利技术的目的之一在于提供一种工作件加工系统，其利用掩模结构提高所生产的电子产品的质量。根据本公开的一些实施例，一种掩模结构包括衬底、第一图案化金属层以及第二图案化金属层。所述衬底具有第一表面和与所述第一表面相对的第二表面。所述第一图案化金属层设置在所述衬底的所述第一表面上，具有复数个第一开口，所述第一开口具有第一侧壁。所述第二图案化金属层设置在所述衬底的所述第二表面上，具有复数个第二开口，所述第二开口具有第二侧壁。所述衬底具有复数个通孔，所述通孔具有第三侧壁，所述通孔对应所述第一开口和所述第二开口设置，且所述第三侧壁与所述第一侧壁和所述第二侧壁构成连续平面。根据本公开的一些实施例，所述第一侧壁具有第一斜率，所述第二侧壁具有第二斜率，所述第三侧壁具有第三斜率，其中所述第一斜率等于所述第三斜率，且所述第三斜率等于所述第二斜率。根据本公开的一些实施例，所述通孔的所述第三侧壁垂直于所述第一表面。根据本公开的一些实施例，所述通孔的所述第三侧壁沿着与所述第一表面垂直的方向与所述第一开口的所述第一侧壁和所述第二开口的所述第二侧壁重叠。根据本公开的一些实施例，所述第三侧壁与所述第一表面之间具有大于90度的夹角。根据本公开的一些实施例，所述第一开口大于所述通孔，且所述通孔大于所述第二开口。根据本公开的一些实施例，一种工作件加工系统，所述工作件加工系统包括所述掩模结构，所述工作件加工系统用于对工作件进行加工，其中所述加工包括产生材料层的粒子，所述粒子通过所述掩模结构沉积于所述工作件上形成材料薄膜以完成所述加工，其特征在于，所述粒子通过所述掩模结构的所述第一开口、所述通孔和所述第二开口以沉积于所述工作件上。根据本公开的一些实施例，一种制造掩模结构的方法，其特征在于，所述方法包括：提供衬底，所述衬底具有第一表面和与第一表面相对的第二表面；于所述衬底的所述第一表面上形成第一金属层，并于所述衬底的所述第二表面上形成第二金属层；及将所述衬底、所述第一金属层和所述第二金属层进行通孔制程，使所述衬底具有复数个通孔、所述第一金属层具有复数个第一开口及所述第二金属层具有复数个第二开口，其中所述第一开口的第一侧壁、所述第二开口的第二侧壁和所述通孔的第三侧壁构成连续平面。根据本公开的一些实施例，所述第一金属层和所述第二金属的形成方法包括化学沉积工艺、电镀工艺或附接工艺。根据本公开的一些实施例，所述通孔制程包括激光钻孔工艺。由于本专利技术的掩模结构由两层金属层以及衬底所组成，因此可提升结构稳定度，藉此减少产生皱褶、弯曲、翘曲等不良情况，进而提升电子产品的生产良率。并且，由于结构稳定度的提升，衬底的通孔距离与数量不需为了提升结构稳定度而减少，因此相较于传统金属掩模，利用本专利技术的掩模结构所制造的掩模可具有较高的密度，藉此提高所生产的电子产品的质量。附图说明图1绘示根据本专利技术一些实施例之掩模结构的上视示意图。图2绘示根据本专利技术一些实施例之掩模结构的剖视示意图。图3绘示根据本专利技术一些实施例之掩模结构的上视示意图。图4绘示根据本专利技术一些实施例之工作件加工系统的示意图。图5A至图5C绘示根据本专利技术一些实施例之掩模结构的制造方法的示意图。图6绘示根据本专利技术一些实施例之掩模结构的制造方法的流程图。图7绘示根据本专利技术一些实施例之掩模结构的上视示意图。图8绘示根据本专利技术一些实施例之掩模结构的剖视示意图。图9绘示根据本专利技术一些实施例之工作件加工系统的示意图。具体实施方式以下揭示内容提供了多种实施方式或例示，其能用以实现本揭示内容的不同特征。下文所述之组件与配置的具体例子系用以简化本揭示内容。当可想见，这些叙述仅为例示，其本意并非用于限制本揭示内容。举例来说，在下文的描述中，将一第一特征形成于一第二特征上或之上，可能包括某些实施例其中所述的第一与第二特征彼此直接接触；且也可能包括某些实施例其中还有额外的组件形成于上述第一与第二特征之间，而使得第一与第二特征可能没有直接接触。此外，本揭示内容可能会在多个实施例中重复使用组件符号和/或标号。此种重复使用乃是基于简洁与清楚的目的，且其本身不代表所讨论的不同实施例和/或组态之间的关系。再者，在此处使用空间上相对的词汇，譬如「之下」、「下方」、「低于」、「之上」、「上方」及与其相似者，可能是为了方便说明图中所绘示的一组件或特征相对于另一或多个组件或特征之间的关系。这些空间上相对的词汇其本意除了图中所绘示的方位之外，还涵盖了装置在使用或操作中所处的多种不同方位。可能将所述设备放置于其他方位(如，旋转90度或处于其他方位)，而这些空间上相对的描述词汇就应该做相应的解释。虽然用以界定本申请较广范围的数值范围与参数皆是约略的数值，此处已尽可能精确地呈现具体实施例中的相关数值。然而，任何数值本质上不可避免地含有因个别测试方法所致的标准偏差。在此处，「约」通常系指实际数值在一特定数值或范围的正负10％、5％、1％或0.5％之内。或者是，「约」一词代表实际数值落在平均值的可接受标准误差之内，视本申请所属
中具有通常知识者的考虑而定。当可理解，除了实验例之外，或除非另有明确的说明，此处所用的所有范围、数量、数值与百分比(例如用以描述材料用量、时间长短、温度、操作条件、数量比例及其他相似者)均经过「约」的修饰。因此，除非另有相反的说明，本说明书与附随申请专利范围所揭示的数值参数皆为约略的数值，且可视需求而更动。至少应将这些数值参数理解为所指出的有效位数与套用一般进位法所得到的数值。在此处，将数值范围表示成由一端点至另一端点或介于二端点之间；除非另有说明，此处所述的数值范围皆包括端点。请参看图1至图3，图1绘示根据本专利技术一些实施例之掩模结构的上视示意图，图2绘示根据本专利技术一些实施例之掩模结构的剖视示意图，图3绘示根据本专利技术一些实施例之掩模结构的上视示意图。如图1和图2所示，掩模结构100包括衬底10，第一图案化金属层20和第二图案化金属层30。衬底10具有第一本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种掩模结构，其特征在于，所述掩模结构包括：/n衬底，具有第一表面和与所述第一表面相对的第二表面；/n第一图案化金属层，设置在所述衬底的所述第一表面上，具有复数个第一开口，所述第一开口具有第一侧壁；及/n第二图案化金属层，设置在所述衬底的所述第二表面上，具有复数个第二开口，所述第二开口具有第二侧壁；/n其中所述衬底具有复数个通孔，所述通孔具有第三侧壁，所述通孔对应所述第一开口和所述第二开口设置，且所述第三侧壁与所述第一侧壁和所述第二侧壁构成连续平面。/n

【技术特征摘要】
20180726 US 62/703,612;20180726 US 62/703,621;20181.一种掩模结构，其特征在于，所述掩模结构包括：
衬底，具有第一表面和与所述第一表面相对的第二表面；
第一图案化金属层，设置在所述衬底的所述第一表面上，具有复数个第一开口，所述第一开口具有第一侧壁；及
第二图案化金属层，设置在所述衬底的所述第二表面上，具有复数个第二开口，所述第二开口具有第二侧壁；
其中所述衬底具有复数个通孔，所述通孔具有第三侧壁，所述通孔对应所述第一开口和所述第二开口设置，且所述第三侧壁与所述第一侧壁和所述第二侧壁构成连续平面。


2.如权利要求1的掩模结构，其特征在于，所述第一侧壁具有第一斜率，所述第二侧壁具有第二斜率，所述第三侧壁具有第三斜率，其中所述第一斜率等于所述第三斜率，且所述第三斜率等于所述第二斜率。


3.如权利要求2的掩模结构，其特征在于，所述通孔的所述第三侧壁垂直于所述第一表面。


4.如权利要求3的掩模结构，其特征在于，所述通孔的所述第三侧壁沿着与所述第一表面垂直的方向与所述第一开口的所述第一侧壁和所述第二开口的所述第二侧壁重叠。


5.如权利要求2的掩模结构，其特征...

【专利技术属性】
技术研发人员：林进志，陈裕宏，辛孟鸿，
申请(专利权)人：永恒光实业股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾;71