电子器件、显示装置、其制备方法和化合物制造方法及图纸

本发明专利技术涉及一种电子器件、显示装置、其制备方法和化合物。具体地，本发明专利技术涉及一种电子器件、包含其的显示装置、其制备方法和化合物，所述电子器件包含空穴注入层和/或空穴传输层和/或空穴产生层，其中所述空穴注入层、所述空穴传输层和所述空穴产生层中的至少一者包含配位络合物，所述配位络合物包含至少一个正电性原子M和至少一个由下式(I)表示的阴离子甲基化物配体L，其中A

Electronic device, display device, preparation method and compound thereof

【技术实现步骤摘要】
电子器件、显示装置、其制备方法和化合物
本专利技术涉及一种电子器件、显示装置、其制备方法和化合物。具体地，本专利技术涉及一种电子器件、包含所述电子器件的显示装置、制备所述电子器件或所述显示装置的方法、半导体材料和化合物。
技术介绍
作为自发光器件的有机发光二极管(OLED)具有宽视角、优异的对比度、快速响应、高亮度、优异的驱动电压特性和色彩再现。典型的OLED包含阳极、空穴传输层(HTL)、发光层(EML)、电子传输层(ETL)和阴极，它们依次层叠在基底上。在这方面，HTL、EML和ETL是由有机和/或有机金属化合物形成的薄膜。当向阳极和阴极施加电压时，从阳极注入的空穴经由HTL移动到EML，并且从阴极注入的电子经由ETL移动到EML。空穴和电子在EML中重新组合以产生激子。当激子从激发态下降到基态时，发光。应使空穴和电子的注入和流动平衡，使得具有上述结构的OLED具有优异的效率。WO2017/029370A1和WO2007/029366A1公开了磺酰亚胺金属络合物作为空穴注入材料的用途。US2013/037753A1公开了聚合物空穴传输半导体材料，其包含含铵、碳锍或碘的甲基化物盐。然而，仍然需要改善电子器件和/或光电器件的性能，特别是在包含有机电荷传输材料的光电器件，诸如有机发光二极管(OLED)或有机光伏(OPV)器件以及包含所述光电器件的复杂装置如OLED显示器中更是如此。因此，本专利技术的目的在于提供一种电子器件及其制备方法，以克服现有技术的缺点，特别是提供包含空穴传输材料、空穴注入材料、空穴产生材料或其两种或更多种以用于改善器件的性能，特别是用于改善其电压、效率或寿命的电子器件。
技术实现思路
上述目的通过包含空穴注入层和/或空穴传输层和/或空穴产生层的电子器件实现，其中所述空穴注入层、所述空穴传输层和所述空穴产生层中的至少一者包含配位络合物，所述配位络合物包含至少一个正电性原子M和至少一个由下式(I)表示的阴离子甲基化物配体L：其中A1、A2和A3独立地选自(i)部分或完全卤化的C4至C30或C4至C12脂族或脂环族叔烃基，(ii)C6至C30或C4至C12芳基，(iii)C2至C30或C4至C12杂芳基，(iv)H，(v)CN，(vi)C2至C30或C4至C12酰基，(vii)C1至C30或C1至C12磺酰基，和(viii)C2至C30或C2至C12磷酰基，条件是A1、A2和A3中只有一个可以是H；且M选自(a)分别呈氧化态(I)的Li、Na、K、Rb、Cs，(b)分别呈氧化态(II)的Be、Mg、Ca、Sr、Ba、Mn、Fe、Co、Ni、Zn、Cd、Sn、Pb，(c)分别呈氧化态(III)的Al、Ga、In、Sc、Y、La、Ce、Pr、Nd、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb、Lu、V、Cr、Sb、Bi，和(d)分别呈氧化态(IV)的Si、Ge、Sn、Ti、Zr、Hf、Th。专利技术人惊奇地发现，当用于电子器件的空穴注入层、空穴传输层或空穴产生层时，如上所定义的配位络合物可有助于改善其性能，特别是在其驱动电压、量子效率和寿命方面的性能。同样地，专利技术人惊奇地发现，本文所定义的配位络合物可成功地用作用于制备本文所述的电子器件，特别是半导体器件的替代材料，因此通过对有机半导体材料、(有机)电子器件等带来进一步的设计自由度而提供广泛的可能性。应理解，术语“半导体”在这方面涉及具有导电性的电子机制的材料和/或器件。半导体中的电流可通过移动电子的流动来解释。这与利用离子传导性的电子器件有显著差异。这样的器件(不是根据本专利技术的)，例如原电池，包含具有移动离子的电解质，并且其中的电流伴随着离子流动经过电解质。应理解，术语“电性质”是指在包含在如本文所定义的器件中的半导体材料和层中注入和/或传输电子。本专利技术的电子器件是有机电子器件，其包含至少一个有机半导体层，通常是多种有机半导体层。这些层可例如通过蒸发化学化合物并使其沉积在基底(或在前的层)上以形成该层来制备。根据本专利技术，所述器件的至少一个层是空穴注入层、空穴传输层或空穴产生层，并且包含如本文所定义的配位络合物。在这方面，可提供的是，除了其它材料之外，所述配位络合物包含在该层中，例如在所述配位络合物是与合适的基质化合物一起包含在该层中的掺杂剂的情况下便是如此。同样地，可提供的是，相应的层由所述配位络合物组成，即该层不包含任何另外成分(除了通过常规技术手段无法避免的杂质)。在这样的由配位络合物组成的层的情况下，该相应的层可以是空穴注入层。如果所述配位络合物是电掺杂剂，则电掺杂剂(其可嵌入电荷输送基质化合物中)可改善基质材料的导电性和/或其中的电荷注入。这样的层中的基质材料是主要材料。应理解，本文所用的术语“电掺杂剂”是指改善半导体材料和/或层的电性质的化合物。结果，可改善包含掺杂的半导体材料和/或层的器件的导电性、工作电压、电压随时间的升高、效率和/或寿命。所述电掺杂剂可以是非发光性的。在所述电子器件中，所述包含配位络合物的至少一个层可以是固体。在所述电子器件中，所述包含配位络合物的至少一个层可以是无定形的。在这方面，如果通过与基体材料相同的程序(例如，真空沉积或通过蒸发该材料在特定溶剂中的溶液)提供层，则认为通过标准程序测量的玻璃化转变温度高于室温的基体材料形成无定形层。所述标准程序在实验部分中描述。包含所述配位络合物的层可以是非发光性的。在本专利技术的电子器件中，所述配位络合物可具有通式(II)MnLmQpOl(II)其中M和L如上所定义；Q是与L不同的配体；n为1至4；m为1至6；p为0到6；且l为0或1。以这种方式，可进一步改善电子器件的性质，特别是关于其工作电压、效率和/或寿命方面的性质。在本专利技术的电子器件中，M可选自a)分别呈氧化态(I)的Li、Na、K、Rb、Cs，和b)分别呈氧化态(II)的Mg、Ca、Sr、Ba、Mn、Fe、Co、Ni、Zn，c)分别呈氧化态(III)的Al、Ga、In、Sc、Y、La、Ce、Pr、Nd、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb、Lu、Cr，或者选自呈氧化态(I)的Li，分别呈氧化态(II)的Mg、Ca、Sr、Mn、Zn，分别呈氧化态(III)的Al、Ga、In、Sc、Y、La、Ce、Eu、Yb，以这种方式，可进一步改善电子器件的性质，特别是关于其工作电压、效率和/或寿命方面的性质。在所述电子器件中，A1、A2和A3中的一个或多个可被选自CN、F、Cl、Br和I的取代基取代。在一个实施方式中，在A1、A2和A3中的至少一个中取代基:氢的数量比≥1。以这种方式，可进一步改善电子器件的性质，特别是关于其工作电压、效率和/或寿命方面的性质。在本专利技术的电子器件中，m可以是2至4本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种电子器件，所述电子器件包含空穴注入层和/或空穴传输层和/或空穴产生层，其中所述空穴注入层、所述空穴传输层和所述空穴产生层中的至少一者包含配位络合物，所述配位络合物包含至少一个正电性原子M和至少一个由下式(I)表示的阴离子甲基化物配体L：/n

【技术特征摘要】
20180727 DE 102018118278.31.一种电子器件，所述电子器件包含空穴注入层和/或空穴传输层和/或空穴产生层，其中所述空穴注入层、所述空穴传输层和所述空穴产生层中的至少一者包含配位络合物，所述配位络合物包含至少一个正电性原子M和至少一个由下式(I)表示的阴离子甲基化物配体L：



其中A1、A2和A3独立地选自
(i)部分或完全卤化的C4至C30脂族或脂环族叔烃基，
(ii)C6至C30芳基，
(iii)C2至C30杂芳基，
(iv)H，
(v)CN，
(vi)C2至C30酰基，
(vii)C1至C30磺酰基，和
(viii)C2至C30磷酰基，
条件是A1、A2和A3中只有一个可以是H；且
M选自
a)分别呈氧化态(I)的Li、Na、K、Rb、Cs，
b)分别呈氧化态(II)的Be、Mg、Ca、Sr、Ba、Mn、Fe、Co、Ni、Zn、Cd、Sn、Pb，
c)分别呈氧化态(III)的Al、Ga、In、Sc、Y、La、Ce、Pr、Nd、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb、Lu、V、Cr、Sb、Bi，和
d)分别呈氧化态(IV)的Si、Ge、Sn、Ti、Zr、Hf、Th。


2.根据权利要求1所述的电子器件，其中M选自
a)分别呈氧化态(I)的Li、Na、K、Rb、Cs，
b)分别呈氧化态(II)的Mg、Ca、Sr、Ba、Mn、Fe、Co、Ni、Zn，和
c)分别呈氧化态(III)的Al、Ga、In、Sc、Y、La、Ce、Pr、Nd、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb、Lu、Cr。


3.根据权利要求1所述的电子器件，其中A1、A2和A3中的一个或多个被选自CN、F、Cl、Br...

【专利技术属性】
技术研发人员：马库斯·赫默特，斯特芬·维尔曼，托马斯·罗泽诺，
申请(专利权)人：诺瓦尔德股份有限公司，
类型：发明
国别省市：德国;DE