偏光片及其制备方法、显示面板、显示装置制造方法及图纸

一种偏光片及其制备方法、显示面板、显示装置，该偏光片包括偏光层，所述偏光层包括第一偏光区和第二偏光区，所述第一偏光区的光透过率大于所述第二偏光区的光透过率，且所述第一偏光区的光透过率与所述第二偏光区的光透过率之比介于1.1:1至2.6:1之间。该偏光片适用于屏下摄像头应用。

Polarizer and its preparation method, display panel and display device

【技术实现步骤摘要】
偏光片及其制备方法、显示面板、显示装置
本专利技术的实施例涉及一种偏光片及其制备方法、显示面板、显示装置。
技术介绍
随着手机等显示电子产品的发展，显示屏的屏占比的提升成为一种产品趋势，前置摄像头等手机必备的功能元件成为制约屏占比提升的一大因素。针对这个问题，业界提出了屏下摄像头的方案。对于OLED(有机电致光二极管)显示装置来说，偏光片被用于抵抗环境光，减少显示方面的干扰，但同时偏光片会削弱进入屏下摄像头的光线强度，影响屏下摄像头的成像质量。
技术实现思路
本公开至少一实施例提供一种偏光片，包括偏光层，所述偏光层包括第一偏光区和第二偏光区，所述第一偏光区的光透过率大于所述第二偏光区的光透过率，且所述第一偏光区的光透过率与所述第二偏光区的光透过率之比介于1.1:1至2.6:1之间。在一些示例中，所述第一偏光区和所述第二偏光区是一体的。在一些示例中，所述第一偏光区的光透过率介于60％至90％之间。在一些示例中，所述第二偏光区的光透过率介于35％至55％之间。在一些示例中，所述偏光片还包括：设置在所述偏光层的一侧的第一保护层和/或设置在所述偏光层的另一侧的第二保护层。在一些示例中，所述第一保护层和所述第二保护层为三醋酸纤维素层，所述偏光层为聚乙烯醇层。本公开至少一实施例提供一种偏光片的制备方法，所述方法包括提供包括待处理偏光层；处理所述待处理偏光层以得到处理后的偏光层，所述处理后的偏光层包括第一偏光区和第二偏光区，所述第一偏光区的光透过率大于所述第二偏光区的光透过率，且所述第一偏光区的光透过率与所述第二偏光区的光透过率之比介于1.1:1至2.6:1之间；使用所述处理后的偏光层以得到所述偏光片。在一些示例中，所述处理所述待处理偏光层包括对所述第一偏光区进行处理，使得所述第一偏光区的光透过率增大以大于所述第二偏光区的光透过率。在一些示例中，在处理所述待处理偏光层之前，还包括在所述待处理偏光层的至少一侧表面上还形成附加层，由此使得所述待处理偏光层在形成有所述附加层的状态下被处理。在一些示例中，所述处理所述待处理偏光层还包括：提供具有对应于所述第一偏光区的开口的掩模板，将所述掩模板设置在所述待处理偏光层的至少一侧的表面上，将所述待处理偏光层置于处理温度下一处理时间，以使得所述第一偏光区的光透过率增大以大于所述第二偏光区的光透过率。在一些示例中，在将所述待处理偏光层置于所述处理温度的同时，将所述待处理偏光层置于处理湿度。在一些示例中，所述处理温度的温度范围约为85至150℃，所述处理湿度大于等于70％，所述处理时间大于等于0.5小时。在一些示例中，所述处理所述待处理偏光层还包括对所述待处理偏光层的第一偏光区施加光照射，以使得所述第一偏光区的光透过率增大以大于所述第二偏光区的光透过率。在一些示例中，所述光照射所使用的光为蓝光、紫外光或X光。在一些示例中，所述处理待处理偏光层还包括在处理湿度下对所述待处理偏光层的所述第一偏光区施加试剂一处理时间，所述处理湿度大于等于70％，所述处理时间大于等于0.5小时。本公开至少一实施例提供一种显示面板，包括上述偏光片。在一些示例中，所述显示面板还包括：基底；显示功能层，设置于所述基底上且包括第一显示区和第二显示区；所述偏光片设置在所述显示功能层的出光侧，所述第二显示区在所述基底上的正投影和所述第一偏光区在所述基底上的正投影彼此交叠。在一些示例中，所述第一显示区包括第一像素阵列，所述第二显示区包括第二像素阵列，所述第一像素阵列的像素密度大于所述第二像素阵列的像素密度。本公开至少一实施例一种显示装置，所述显示装置包括上述显示面板和图像传感器，所述图像传感器的感光面朝向所述显示面板，所述图像传感器在所述基底的正投影与所述第二显示区在所述基底上的正投影至少部分重叠。附图说明为了更清楚地说明本专利技术实施例的技术方案，下面将对实施例的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅涉及本专利技术的一些实施例，而非对本专利技术的限制。图1A示出了一种典型的PVA型偏光片；图1B示出了另一种典型的PVA型偏光片；图2A示出了根据本公开至少一实施例的偏光片的示意图；图2B示出了图2A所示的偏光片的一个示例沿线N-N’的剖面示意图；图2C示出了图2A所示的偏光片的另一个示例沿线N-N’的剖面示意图；图3示出了根据本公开至少一实施例的采用高温处理偏光片的偏光片制备方法的示意图；图4示出了根据本公开至少一实施例采用光处理偏光片的偏光片制备方法的示意图；图5示出了根据本公开另一实施例采用高温处理偏光片的偏光片制备方法的示意图；图6示出了根据本公开另一实施例采用光处理偏光片的偏光片制备方法的示意图；图7示出了根据本公开至少一实施例采用试剂处理偏光片的偏光片制备方法的示意图；图8示出了根据图5至7示出的制备方法得到的偏光片的示意图；图9示出了根据本公开至少一实施例的显示面板的结构示意图；图10示出了根据本公开至少一实施例的显示面板沿图9的线A-A’的剖面示意图；图11示出了根据本公开至少一实施例的显示面板的像素阵列的示意图；图12示出了根据本公开至少一实施例的显示装置的示意图。具体实施方式为使本专利技术实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本专利技术实施例的附图，对本专利技术实施例的技术方案进行清楚、完整地描述。显然，所描述的实施例是本专利技术的一部分实施例，而不是全部的实施例。基于所描述的本专利技术的实施例，本领域普通技术人员在无需创造性劳动的前提下所获得的所有其他实施例，都属于本专利技术保护的范围。除非另作定义，此处使用的技术术语或者科学术语应当为本专利技术所属领域内具有一般技能的人士所理解的通常意义。本公开中使用的“第一”、“第二”以及类似的词语并不表示任何顺序、数量或者重要性，而只是用来区分不同的组成部分。同样，“包括”或者“包含”等类似的词语意指出现所述词前面的元件或者物件涵盖出现在所述词后面列举的元件或者物件及其等同，而不排除其他元件或者物件。“连接”或者“相连”等类似的词语并非限定于物理的或者机械的连接，而是可以包括电性的连接，不管是直接的还是间接的。“上”、“下”、“左”、“右”等仅用于表示相对位置关系，当被描述对象的绝对位置改变后，则所述相对位置关系也可能相应地改变。偏光片(即Polarizer，缩写为POL)，又称之为偏振光片。它是一种由多层高分子材料复合而成的具有产生偏振光功能的光学薄膜，能够将不具偏光性的自然光转化为偏振光。偏光片可以为高分子碘类聚乙烯醇(PVA)型、二色性有机染料型等。PVA型偏光片的制造方法包括：将PVA膜浸泡于含多价碘离子(I5-或I3-)混合态的碘化钾溶液中，在将PVA膜在硼酸溶液中以单一轴方向拉伸。PVA分子受到外力拉伸后会在一个方向上排列，促使附着在PVA上的碘分子和PVA分子同本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种偏光片，包括偏光层，其中，所述偏光层包括第一偏光区和第二偏光区，/n所述第一偏光区的光透过率大于所述第二偏光区的光透过率，且所述第一偏光区的光透过率与所述第二偏光区的光透过率之比介于1.1:1至2.6:1之间。/n

【技术特征摘要】
1.一种偏光片，包括偏光层，其中，所述偏光层包括第一偏光区和第二偏光区，
所述第一偏光区的光透过率大于所述第二偏光区的光透过率，且所述第一偏光区的光透过率与所述第二偏光区的光透过率之比介于1.1:1至2.6:1之间。


2.根据权利要求1所述的偏光片，其中，所述第一偏光区和所述第二偏光区是一体的。


3.根据权利要求1或2所述的偏光片，其中，所述第一偏光区的光透过率介于60％至90％之间。


4.根据权利要求1或2所述的偏光片，其中，所述第二偏光区的光透过率介于35％至55％之间。


5.根据权利要求1或2所述的偏光片，还包括：
设置在所述偏光层的一侧的第一保护层；
设置在所述偏光层的另一侧的第二保护层。


6.根据权利要求5所述的偏光片，其中，所述第一保护层和所述第二保护层为三醋酸纤维素层，
所述偏光层为聚乙烯醇层。


7.一种偏光片的制备方法，包括：
提供待处理偏光层；以及
处理所述待处理偏光层以得到处理后的偏光层，其中，所述处理后的偏光层包括第一偏光区和第二偏光区，所述第一偏光区的光透过率大于所述第二偏光区的光透过率，且所述第一偏光区的光透过率与所述第二偏光区的光透过率之比介于1.1:1至2.6:1之间；
使用所述处理后的偏光层以得到所述偏光片。


8.根据权利要求7所述的方法，其中，所述处理所述待处理偏光层包括：
对所述第一偏光区进行处理，使得所述第一偏光区的光透过率增大以大于所述第二偏光区的光透过率。


9.根据权利要求7所述的方法，在处理所述待处理偏光层之前，还包括：
在所述待处理偏光层的至少一侧表面上形成附加层，由此使得所述待处理偏光层在形成有所述附加层的状态下被处理。


10.根据权利要求7-9任一所述的方法，其中，所述处理所述待处理偏光层还包括：
提供具有对应于所述第一偏光区的开口的掩模板，
将所述掩模板设置于所述待处理偏光层的至少...

【专利技术属性】
技术研发人员：于池，张瑜，黄炜赟，周桢力，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，成都京东方光电科技有限公司，
类型：发明
国别省市：北京;11