成膜装置以及电子器件的制造方法制造方法及图纸

本发明专利技术提供能够生产率良好且简便地进行预溅射的成膜装置以及电子器件的制造方法。成膜装置(1)具备：将成膜对象物(6)及圆筒形的靶(2)配置于内部的腔室(10)；设置于靶(2)的内部，生成从靶(2)的外周面泄漏的磁场的磁场产生部件(3)；以及驱动靶(2)旋转的靶驱动部件(11)。成膜装置(1)具有能够移动地设置在磁场产生部件(3)与靶(2)的内周面之间的磁屏蔽构件(5)和驱动磁屏蔽构件(5)的屏蔽构件驱动部件(12)。

Film forming device and manufacturing method of electronic devices

【技术实现步骤摘要】
成膜装置以及电子器件的制造方法
本专利技术涉及成膜装置以及电子器件的制造方法。
技术介绍
作为在基板或形成在基板上的层叠体等成膜对象物上形成由金属或金属氧化物等材料构成的薄膜的方法，广泛已知有溅射法。通过溅射法进行成膜的溅射装置具有在真空腔室内使由成膜材料构成的靶与成膜对象物相向地配置的结构。若对靶施加负的电压，则在靶的附近产生等离子体，利用电离的非活性气体元素对靶表面进行溅射，所放出的溅射粒子堆积在成膜对象物上而成膜。另外，还已知有在靶的背面(在圆筒形的靶的情况下为靶的内侧)配置磁铁，利用产生的磁场提高阴极附近的电子密度地进行溅射的磁控溅射法。在以往的这种成膜装置中，例如在更换靶之后或将腔室内形成为大气开放之后，或者在不连续进行成膜处理而靶不暴露于等离子体的期间长的情况下等，存在靶的表面氧化或变质的情况。这样，在靶的表面氧化或变质的情况下，或在靶表面附着有异物的情况下等，在对成膜对象物进行溅射之前，对成膜对象物以外进行溅射，并进行使靶的表面清洁的预溅射(专利文献1)。作为一边使靶旋转一边进行溅射的回转阴极(RC；也称为旋转阴极、转动体阴极)中的预溅射，例如有专利文献2所记载的方法。在专利文献2所记载的溅射装置中，通过使设置于RC的内部的磁铁(磁铁组件)旋转，能够取得如下的三个状态。(1)等离子体朝向基板(成膜对象物)的相反侧的状态。(2)等离子体朝向横向(与基板的成膜面水平的方向)的状态。(3)等离子体朝向基板的状态。即，通过在(1)的状态下产生等离子体而维持(1)或(2)的状态，能够不对基板进行溅射而进行预溅射。在预溅射完成后，只要使磁铁旋转而成为(3)的状态，则也能够不使基板、RC移动地从预溅射转移到主溅射。现有技术文献专利文献专利文献1：日本特开2016-204705号公报专利文献2：日本特表2015-519477号公报可是，在如专利文献2所记载的那样使磁铁旋转的方法中，在成膜对象物大型化而RC成为长尺寸的情况下，磁铁变重，难以使其旋转。作为其它的方法，也考虑使RC整体移动至用于预溅射的位置而进行预溅射的方法，但移动距离变长，生产率降低。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种能够生产率良好且简便地进行预溅射的成膜装置以及电子器件的制造方法。用于解决课题的技术方案作为本专利技术的一个技术方案的成膜装置，具备：腔室，将成膜对象物及圆筒形的靶配置在内部；磁场产生部件，设置在上述靶的内部，生成从上述靶的外周面泄漏的磁场；以及靶驱动部件，驱动上述靶旋转，其特征在于，该成膜装置具备：磁屏蔽构件，能够移动地设置在上述磁场产生部件与上述靶的内周面之间；以及屏蔽构件驱动部件，驱动该磁屏蔽构件。另外，作为本专利技术的另一技术方案的成膜装置，具备：腔室，将成膜对象物及圆筒形的靶配置在内部；磁场产生部件，设置在上述靶的内部，生成从上述靶的外周面泄漏的磁场；以及靶驱动部件，驱动上述靶旋转，其特征在于，该成膜装置具备：磁屏蔽构件，能够与上述靶同轴旋转地设置在上述磁场产生部件与上述靶的内周面之间；以及屏蔽构件驱动部件，驱动该磁屏蔽构件旋转。另外，作为本专利技术的又一技术方案的成膜装置，具备：腔室，将成膜对象物及圆筒形的靶配置在内部；磁场产生部件，设置在上述靶的内部，生成从上述靶的外周面泄漏的磁场；以及靶驱动部件，驱动上述靶旋转，该成膜装置在被配置于上述腔室内的成膜区域的上述成膜对象物上成膜，其特征在于，该成膜装置具有能够移动地设置在上述磁场产生部件与上述靶的内周面之间的磁屏蔽构件，并且，该成膜装置具有能够切换的第一动作模式和第二动作模式，在该第一动作模式下，在上述磁场产生部件被配置于上述磁屏蔽构件与上述成膜区域之间的状态下进行放电，在该第二动作模式下，在上述磁屏蔽构件被配置在上述磁场产生部件与上述成膜区域之间的状态下进行放电。另外，作为本专利技术的另一技术方案的电子器件的制造方法，包括溅射成膜工序，该溅射成膜工序是将成膜对象物配置在腔室内，使从与上述成膜对象物相向地配置的圆筒形的靶飞出的溅射粒子堆积而成膜的溅射成膜工序，其特征在于，利用被配置在上述靶的内部的磁场产生部件，在从上述磁场产生部件朝向上述成膜对象物的第一方向和远离上述成膜对象物的第二方向这两个方向上产生磁场，该电子器件的制造方法具有：预溅射工序，在屏蔽了在上述第一方向上产生的磁场的状态下，使上述靶一边旋转一边放电；以及主溅射工序，在屏蔽了在上述第二方向上产生的磁场的状态下，使上述靶一边旋转一边放电。专利技术效果根据本专利技术，能够生产率良好且简便地进行预溅射。附图说明图1(A)是表示实施方式1的成膜装置的结构的示意图，(B)是实施方式1的磁屏蔽板的立体图。图2(A)是表示主溅射模式的状态的实施方式1的成膜装置的结构的示意图，(B)是实施方式的成膜装置的侧视图。图3是实施方式1的第一磁铁单元的立体图。图4(A)是表示驱动机构的一例的立体图，(B)是表示驱动机构的一例的剖视图。图5(A)是表示驱动机构的其它的例子的立体图，(B)是表示驱动机构的其它的例子的剖视图。图6是表示实施方式2的成膜装置的结构的示意图。图7(A)是表示实施方式3的成膜装置的结构的示意图，(B)是实施方式3的分隔板的立体图。图8是表示有机EL元件的一般的层结构的图。附图标记说明1、成膜装置；2、靶；3、磁铁单元(磁场产生部件)；5、磁屏蔽板；6、成膜对象物；10、腔室；11、靶驱动装置(靶驱动部件)；12、屏蔽板驱动装置(屏蔽板驱动部件)。具体实施方式以下，对本专利技术的实施方式进行详细说明。可是，以下的实施方式只不过是例示性地表示本专利技术的优选的结构，本专利技术的范围并不限定于这些结构。另外，以下的说明中的装置的硬件结构以及软件结构、处理流程、制造条件、尺寸、材质、形状等，只要没有特别特定的记载，就不意味着将本专利技术的范围限定于这些。[实施方式1]首先，参照图1(A)及图2(A)，对实施方式1的成膜装置1的基本的结构进行说明。图1(A)表示预溅射模式的状态的成膜装置1的结构，图2(A)表示主溅射模式的状态的成膜装置1的结构。本实施方式的成膜装置1用于在半导体器件、磁器件、电子零件等各种电子器件、光学零件等的制造中用于在基板(也包括在基板上形成有层叠体的结构)上堆积形成薄膜。更具体而言，成膜装置1在发光元件、光电转换元件、触摸面板等电子器件的制造中优选使用。其中，本实施方式的成膜装置1在有机EL(ErectroLuminescence)元件等有机发光元件、有机薄膜太阳能电池等有机光电转换元件的制造中特别优选使用。另外，本专利技术中的电子器件也包括具备发光元件的显示装置(例如有机EL显示装置)、照明装置(例如有机EL照明装置)、具备光电转换元件的传感器(例如有机CMOS图像传感器)。图8示意性地示出了有机EL元件的一般的层结构。如图8所示，有机EL元件本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种成膜装置，具备：/n腔室，将成膜对象物及圆筒形的靶配置在内部；/n磁场产生部件，设置在上述靶的内部，生成从上述靶的外周面泄漏的磁场；以及/n靶驱动部件，驱动上述靶旋转，/n其特征在于，/n该成膜装置具备：/n磁屏蔽构件，能够移动地设置在上述磁场产生部件与上述靶的内周面之间；以及/n屏蔽构件驱动部件，驱动该磁屏蔽构件。/n

【技术特征摘要】
20180731 JP 2018-1435881.一种成膜装置，具备：
腔室，将成膜对象物及圆筒形的靶配置在内部；
磁场产生部件，设置在上述靶的内部，生成从上述靶的外周面泄漏的磁场；以及
靶驱动部件，驱动上述靶旋转，
其特征在于，
该成膜装置具备：
磁屏蔽构件，能够移动地设置在上述磁场产生部件与上述靶的内周面之间；以及
屏蔽构件驱动部件，驱动该磁屏蔽构件。


2.根据权利要求1所述的成膜装置，其特征在于，
上述屏蔽构件驱动部件是使上述磁屏蔽构件与上述靶同轴地旋转移动的部件。


3.根据权利要求1所述的成膜装置，其特征在于，
上述磁屏蔽构件是拱状的板状构件。


4.根据权利要求1所述的成膜装置，其特征在于，
上述磁屏蔽构件是与上述靶的长度方向正交的截面形状为圆弧状的板状构件。


5.根据权利要求3所述的成膜装置，其特征在于，
上述磁屏蔽构件是半圆筒状的板状构件。


6.根据权利要求1所述的成膜装置，其特征在于，
上述磁屏蔽构件由强磁性材料构成。


7.根据权利要求1所述的成膜装置，其特征在于，
该成膜装置具有控制部件，该控制部件通过利用上述屏蔽构件驱动部件使上述磁屏蔽构件移动，来切换在上述成膜对象物上成膜的主溅射模式和对上述靶的表面进行清洁的预溅射模式。


8.根据权利要求1所述的成膜装置，其特征在于，
上述磁场产生部件是在朝向上述成膜对象物的方向和远离上述成膜对象物的方向这两个方向上产生磁场的部件。


9.根据权利要求8所述的成膜装置，其特征在于，
上述磁场产生部件具备在朝向上述成膜对象物的方向上产生磁场的第一磁铁单元、和在远离上述成膜对象物的方向上产生磁场的第二磁铁单元。


10.根据权利要求1所述的成膜装置，其特征在于，
该成膜装置还具有用于将上述腔室的内部分隔成用于在上述成膜对象物上成膜的第一区域和与上述第一区域不同的第二区域的分隔构件。


11.根据权利要求1所述的成膜装置，其特征在于，
上述磁场产生部件被收纳在上述靶的内部且密闭的壳体内，上述磁屏蔽构件被安装于上述壳体内。


12.根据权利要求1所述的成膜装置，其特征在于，
在上述腔室内具有多个阴极单元，上述阴极单元具有上述磁场产生部件和上述磁屏蔽构件，且上述阴极单元分别...

【专利技术属性】
技术研发人员：菅原洋纪，内田敏治，
申请(专利权)人：佳能特机株式会社，
类型：发明
国别省市：日本;JP