一种高低频段滤波装置及电器设备制造方法及图纸

本实用新型专利技术公开了一种高低频段滤波装置及电器设备，该装置包括：基本滤波单元、第一低频陷波单元和第一高频陷波单元；所述第一低频陷波单元和所述第一高频陷波单元，分别设置在所述基本滤波单元中；其中，所述基本滤波单元，用于对待滤波的电源中低频段与高频段之间频段部分的共模干扰进行滤除；所述第一低频陷波单元，用于对所述电源中低频段部分的共模干扰提供低频共模干扰的低阻抗旁路通路；所述第一高频陷波单元，用于对所述电源中高频段部分的高频共模干扰提供高频共模干扰的高阻抗旁路通路。本实用新型专利技术的方案，可以解决共模滤波器的低频段和高频段传导电磁干扰超标的问题，达到滤除共模传导电磁干扰的效果。

A high and low frequency filtering device and electrical equipment

【技术实现步骤摘要】
一种高低频段滤波装置及电器设备
本技术属于滤波
，具体涉及一种高低频段滤波装置及电器设备，尤其涉及一种高低频段传导共模干扰陷波电路和家用电器。
技术介绍
共模滤波器用于滤除电器设备产生的共模干扰，以满足电磁兼容标准要求。共模滤波器的通常结构包括共模电容(也称为Y电容)和共模电感(共模扼流圈)，通过共模电感的共模阻抗以及共模电容的旁路作用降低共模干扰。共模滤波器通常针对传导电磁干扰，作用频段在150kHz-30MHz。低频段(150kHz-约700kHz)和高频段(约10MHz-30MHz)传导电磁干扰超标是电磁兼容测试遇到的常见问题。对于低频段共模干扰，通常需要加大共模电容的电容值以提高滤波性能，但是容值的加大受到电气安全、泄漏电流的约束；增加滤波器级数可以提高、低频段共模滤波性能，但是器件成本大幅增加。一些有源共模滤波电路，对低频段共模滤波有一定作用，但该电路需要使用高压晶体管和辅助电源，可靠性差，电路成本高；其中，相比于无源器件而言，不管是晶体管，还是辅助电源，对于耐压、耐温的环境承受能力都较差，所以其可靠性差。上述内容仅用于辅助理解本技术的技术方案，并不代表承认上述内容是现有技术。
技术实现思路
本技术的目的在于，针对上述缺陷，提供一种高低频段滤波装置及电器设备，以解决共模滤波器的低频段和高频段传导电磁干扰超标的问题，达到滤除共模传导电磁干扰的效果。本技术提供一种高低频段滤波装置，包括：基本滤波单元、第一低频陷波单元和第一高频陷波单元；所述第一低频陷波单元和所述第一高频陷波单元，分别设置在所述基本滤波单元中；其中，所述基本滤波单元，用于对待滤波的电源中低频段与高频段之间频段部分的共模干扰进行滤除；所述第一低频陷波单元，用于对所述电源中低频段部分的共模干扰提供低频共模干扰的低阻抗旁路通路；所述第一高频陷波单元，用于对所述电源中高频段部分的高频共模干扰提供高频共模干扰的高阻抗旁路通路。可选地，所述基本滤波单元，包括：第一磁环、第一共模扼流圈、第一共模电容和第二共模电容；其中，所述第一磁环，设置在所述电源的电源进线的L、N线处；所述第一共模电容、所述第一低频陷波单元和所述第二共模电容，依次并行设置在电源进线的L、N线与地线之间；所述第一共模扼流圈，设置在电源进线的L、N线上，且位于所述第一共模电容和所述第一低频陷波单元之间；所述第一高频陷波单元，串联设置在所述第一共模电容与所述第一低频陷波单元之间。可选地，所述基本滤波单元，还包括：第二共模扼流圈；所述第二共模扼流圈设置在所述电源的电源出线的L、N线上；其中，所述第一磁环，包括：阻抗值在预设值以上的高频段磁环，以与所述第一共模扼流圈和所述第二共模扼流圈，形成两级以上的多级滤波单元。可选地，所述基本滤波单元，还包括：至少一组增强滤波单元；每组增强滤波单元，包括：增强共模电容和增强陷波电感；其中，该增强共模电容和该增强陷波电感，设置在电源出线的L、N线上，且位于所述第二共模扼流圈远离电源线进线的一侧。可选地，所述第一低频陷波单元，包括：第三共模电容和第一低频陷波电感；其中，所述第三共模电容的公共端，经所述第一低频陷波电感后连接至所述第一高频陷波单元。可选地，所述第一低频陷波单元，还包括：第一低频陷波电阻；其中，所述第三共模电容的公共端，依次经所述第一低频陷波电感和所述第一低频陷波电阻后连接至所述第一高频陷波单元。可选地，所述第一高频陷波单元，包括：第一高频陷波电感；其中，所述第一高频陷波电感，串联在所述第一低频陷波单元与所述第一共模电容的公共端之间。可选地，所述第一高频陷波单元，还包括：第一高频陷波电阻；其中，所述第一高频陷波电感和所述第一高频陷波电阻，依次串联在所述第一低频陷波单元与所述第一共模电容的公共端之间。可选地，还包括：第二低频陷波单元；所述第二低频陷波单元，设置在电源进线的L、N线与地线之间，且位于所述第一磁环与所述第一共模电容之间；其中，所述第二低频陷波单元的结构，与所述第一低频陷波单元相同。可选地，其中，每个共模电容，包括：陶瓷电容或薄膜电容；每个共模电容的电容值大于第一共模扼流圈或第二共模扼流圈的寄生电容；和/或，第一低频陷波电感、第二低频陷波电感、第一高频陷波电感、增强陷波电感中任一陷波电感，包括：两个以上电感；两个以上所述电感串联；任一陷波电感的磁芯，采用镍锌铁氧体或镁锌铁氧体设置。与上述装置相匹配，本技术再一方面提供一种电器设备，包括：以上所述的高低频段滤波装置。本技术的方案，通过提供低频共模干扰的低阻抗旁路通路，并对高频共模干扰产生高阻抗，阻挡干扰传出，滤波器级数减少，电源线出线处磁环减少，电路器件成本下降。进一步，本技术的方案，通过利用Y电容-低频段陷波电感串联谐振原理，提供低频共模干扰的低阻抗旁路通路；并利用扼流圈寄生电容-高频段陷波电感并联谐振原理，对高频共模干扰产生高阻抗，阻挡干扰传出，实现滤除共模传导电磁干扰。进一步，本技术的方案，通过低频陷波电感与低频陷波电阻与Y电容共同组成低频低阻抗旁路电路，而高频陷波电感与高频陷波电阻组成一个高频高阻抗旁路电路，既增强低频滤波效果，又增加高频滤波抑制效果。由此，本技术的方案，通过提供低频共模干扰的低阻抗旁路通路，并对高频共模干扰产生高阻抗，阻挡干扰传出，解决共模滤波器的低频段和高频段传导电磁干扰超标的问题，达到滤除共模传导电磁干扰的效果。本技术的其它特征和优点将在随后的说明书中阐述，并且，部分地从说明书中变得显而易见，或者通过实施本技术而了解。下面通过附图和实施例，对本技术的技术方案做进一步的详细描述。附图说明图1为本技术的高低频段滤波装置的一实施例的结构示意图，具体为高低频段陷波电路的结构示意图；图2为本技术的高低频段滤波装置的另一实施例的结构示意图，具体为加强低频衰减的高低频段陷波电路的结构示意图；图3为常用滤波电路的结构示意图；图4为基于图3传导的EMI测试结果示意图；图5为基于图1传导的EMI测试结果示意图。结合附图，本技术实施例中附图标记如下：Y1-第一Y电容；Y2-第二Y电容；Y3-第三Y电容；Y4-第四Y电容；LH1-第一高频陷波电感；RH1-第一高频陷波电阻；LL1-第一低频陷波电感；RL1-第一低频陷波电阻；LL2-第二低频陷波电感；RL2-第二低频陷波电阻。具体实施方式为使本技术的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本技术具体实施例及相应的附图对本技术技术方案进行清楚、完整地描述。显然，所描述的实施例仅是本技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本技术保护的范围。根据本技术的实施例，提供了一种高低频段滤波装置。参见图1所示本技术的装置的一实施本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种高低频段滤波装置，其特征在于，包括：基本滤波单元、第一低频陷波单元和第一高频陷波单元；所述第一低频陷波单元和所述第一高频陷波单元，分别设置在所述基本滤波单元中；其中，/n所述基本滤波单元，用于对待滤波的电源中低频段与高频段之间频段部分的共模干扰进行滤除；/n所述第一低频陷波单元，用于对所述电源中低频段部分的共模干扰提供低频共模干扰的低阻抗旁路通路；/n所述第一高频陷波单元，用于对所述电源中高频段部分的高频共模干扰提供高频共模干扰的高阻抗旁路通路。/n

【技术特征摘要】
1.一种高低频段滤波装置，其特征在于，包括：基本滤波单元、第一低频陷波单元和第一高频陷波单元；所述第一低频陷波单元和所述第一高频陷波单元，分别设置在所述基本滤波单元中；其中，
所述基本滤波单元，用于对待滤波的电源中低频段与高频段之间频段部分的共模干扰进行滤除；
所述第一低频陷波单元，用于对所述电源中低频段部分的共模干扰提供低频共模干扰的低阻抗旁路通路；
所述第一高频陷波单元，用于对所述电源中高频段部分的高频共模干扰提供高频共模干扰的高阻抗旁路通路。


2.根据权利要求1所述的装置，其特征在于，所述基本滤波单元，包括：第一磁环、第一共模扼流圈、第一共模电容和第二共模电容；其中，
所述第一磁环，设置在所述电源的电源进线的L、N线处；
所述第一共模电容、所述第一低频陷波单元和所述第二共模电容，依次并行设置在电源进线的L、N线与地线之间；
所述第一共模扼流圈，设置在电源进线的L、N线上，且位于所述第一共模电容和所述第一低频陷波单元之间；
所述第一高频陷波单元，串联设置在所述第一共模电容与所述第一低频陷波单元之间。


3.根据权利要求2所述的装置，其特征在于，所述基本滤波单元，还包括：第二共模扼流圈；所述第二共模扼流圈设置在所述电源的电源出线的L、N线上；
其中，所述第一磁环，包括：阻抗值在预设值以上的高频段磁环，以与所述第一共模扼流圈和所述第二共模扼流圈，形成两级以上的多级滤波单元。


4.根据权利要求3所述的装置，其特征在于，所述基本滤波单元，还包括：至少一组增强滤波单元；每组增强滤波单元，包括：增强共模电容和增强陷波电感；其中，
该增强共模电容和该增强陷波电感，设置在电源出线的L、N线上，且位于所述第二共模扼流圈远离电源线进线的一侧。


5.根据权利要求2-4之一所述的装置，其...

【专利技术属性】
技术研发人员：曾颖宇，谭建明，万今明，肖彪，黄强，
申请(专利权)人：珠海格力电器股份有限公司，
类型：新型
国别省市：广东;44