一种封装薄膜制备方法及有机电子器件技术

本发明专利技术涉及有机电子薄膜封装技术领域，尤其涉及一种封装薄膜制备方法及有机电子器件，其中，该封装薄膜制备方法包括在被封装器件表面生长无机氧化物薄膜层，然后，在无机氧化物薄膜层上采用原子层沉积法生长修复薄膜层，基于该原子层沉积法的保形生长，通过该修复薄膜层填补无机氧化物薄膜层的针孔缺陷部位，同时该修复薄膜层不用沉积较厚层，提高了沉积效率，提高了被封装器件的性能。

A preparation method of packaging film and organic electronic device

【技术实现步骤摘要】
一种封装薄膜制备方法及有机电子器件
本专利技术涉及有机电子薄膜封装
，尤其涉及一种封装薄膜制备方法及有机电子器件。
技术介绍
有机电子器件(OLED，OPV及印刷电子器件)中通常含有活泼的金属电极，而且，器件的部分功能材料对水或氧分子也比较敏感，具体的原因是当器件工作时，会进行电化学反应，在水或氧分子的作用下会加速器件老化，从而降低器件寿命。因此，现有器件会采用无机氧化物薄膜进行封装，该无机氧化物薄膜的主要作用是隔绝环境中的水或氧分子，因此薄膜的致密性对封装性能有十分重要的影响。但是，由于现有大多有机电子器件(比如OLED、OPV)有机功能层材料玻璃化温度在150℃以内，封装薄膜生长区的适宜温度不宜超过120℃，以避免高温封装损伤有机功能层最终影响器件性能，由于温度不高，采用PECVD或PVD等方法在不高的温度下生长的无机氧化物薄膜会存在针孔缺陷，因此薄膜的致密性并不好，从而影响器件性能。因此，消除针孔缺陷是目前亟待解决的问题。
技术实现思路
鉴于上述问题，提出了本专利技术以便提供一种克服上述问题或者至少部分地解决上述问题的封装薄膜制备方法及有机电子器件。本专利技术实施例提供一种封装薄膜制备方法，所述方法包括：在被封装器件表面生长无机氧化物薄膜层；在所述无机氧化物薄膜层上采用原子层沉积法生成修复薄膜层，基于所述原子层沉积法的保形生长，通过所述修复薄膜层填补所述无机氧化物薄膜层的针孔部位。优选的，在被封装器件表面生长无机氧化物薄膜层，具体为：r>在被封装器件表面采用PECVD或PVD生长无机氧化物薄膜层。优选的，所述在被封装器件表面生长无机氧化物薄膜层，具体包括：在所述被封装器件表面采用HMDSO和O2为第一前驱体，控制O2与HMDSO的输入气体流量比例、等离子体的第一射频功率，第一生长温度，使得第一前驱体分子在所述等离子体的作用下发生裂解；裂解的成分在所述被封装器件表面发生化学反应并相互交连，形成SiOx薄膜层。优选的，所述在被封装器件表面生长无机氧化物薄膜层，具体包括：在所述被封装器件表面采用HMDSO、O2和N2为第二前驱体，控制O2与HMDSO的输入气体流量比例以及N2与HMDSO的输入气体流量比例、等离子体的第二射频功率、第二生长温度，使得第二前驱体分子在所述等离子体作用下发生裂解；裂解的成分在所述被封装器件表面发生化学反应并相互交连，形成SiNxOy薄膜层。优选的，在所述无机氧化物薄膜层上采用原子层沉积法生长修复薄膜层，具体包括：在所述无机氧化物薄膜层上采用TMA和H2O为第三前驱体，控制TMA脉冲输入时间和吹扫时间、H2O的脉冲输入时间和吹扫时间、第一反应温度，使得第三前驱体发生化学吸附反应，沉积形成Al2O3薄膜层；重复上述步骤，形成多层Al2O3薄膜层。优选的，在所述氧化物薄膜层上采用原子层沉积法生长修复薄膜层，具体包括：在所述无机氧化物薄膜层上采用TMA和O2为第四前驱体，控制TMA脉冲输入时间和吹扫时间、O2的脉冲输入时间和吹扫时间、第二反应温度，使得第四前驱体发生化学吸附反应，沉积形成Al2O3薄膜层；重复上述步骤，形成多层Al2O3薄膜层。优选的，所述第一生长温度和第二生长温度的范围为0～120℃。优选的，所述第一反应温度的范围为0～200℃。优选的，所述第二反应温度的范围为0～200℃。本专利技术实施例还提供一种有机电子器件，包括有机电子器件芯片、在所述有机电子器件芯片表面形成的封装薄膜层；所述封装薄膜层具体为采用上述的封装薄膜制备方法制备的薄膜层。本专利技术实施例中的一个或多个技术方案，至少具有如下技术效果或优点：本专利技术提供的一种封装薄膜制备方法，在被封装器件表面生长无机氧化物薄膜层，然后，在该无机氧化物薄膜层上采用原子层沉积法生长修复薄膜层，该修复薄膜层能够对无机氧化物薄膜层上的针孔缺陷进行修复，而且在该无机氧化物薄膜层上修复薄膜层可以仅填补该针孔部位，对于没有针孔的部位不用沉积较厚修复薄膜层，克服了单独沉积该修复薄膜层时需要沉积较厚的薄膜层，而造成的沉积效率低的技术问题，进而提高了薄膜制备的效率，采用上述两种薄膜层制备的方法相结合，互补相互的缺陷，达到降低薄膜的针孔缺陷，提高制备效率，最终提高封装性能的目的。附图说明通过阅读下文优选实施方式的详细描述，各种其他的优点和益处对于本领域普通技术人员将变得清楚明了。附图仅用于示出优选实施方式的目的，而并不认为是对本专利技术的限制。而且在整个附图中，用相同的参考图形表示相同的部件。在附图中：图1示出了本专利技术实施例中的封装薄膜制备方法的原理示意图；图2示出了本专利技术实施例中的封装薄膜制备方法的步骤流程示意图；图3示出了本专利技术实施例中的有机电子器件的结构示意图。具体实施方式下面将参照附图更详细地描述本公开的示例性实施例。虽然附图中显示了本公开的示例性实施例，然而应当理解，可以以各种形式实现本公开而不应被这里阐述的实施例所限制。相反，提供这些实施例是为了能够更透彻地理解本公开，并且能够将本公开的范围完整的传达给本领域的技术人员。请参见图1，本专利技术中采用的封装薄膜制备方法的原理图，首先是在沉积的衬底上采用在低温下生长一层无机氧化物薄膜，但是，该氧化物薄膜大多存在针孔缺陷，为了修复针孔缺陷，在该有针孔缺陷的无机氧化物薄膜层的针孔缺陷区上采用原子层沉积法(ALD)生长一层或者多层修复薄膜层(例如Al2O3薄膜层)，基于该原子层沉积法的保形生长，通过修复薄膜层填补无机氧化物薄膜层的针孔部位。由于该一层或者多层无机薄膜层材料的保形生长特点，能够对采用PEVCD或者PVD方法在低温下生长的无机氧化物薄膜层中的针孔缺陷进行填补和修复，并且具有保形性，采用上述两种薄膜层制备的方法相结合，互补相互的缺陷，达到降低薄膜的针孔缺陷，提高制备效率，最终提高封装性能的目的。本专利技术的第一实施例提供一种封装薄膜制备方法，如图2所示，包括S101，在被封装器件表面生长无机氧化物薄膜层，所述无机氧化物薄膜上有针孔；S102，在该无机氧化物薄膜层上采用原子层沉积法生长修复薄膜层，基于该原子层沉积法的保形生长，通过修复薄膜层填补无机氧化物薄膜层的针孔部位。在具体的实施方式中，S101可以采用PECVD(等离子体增强化学的气相沉积法)或PVD(物理气相沉积)。其中，PEVCD是利用强电场或磁场使得所需气体源分子电离产生等离子体，等离子体重含有很多活性很高的化学基团，这些基团经过一系列化学和等离子体反应，在样品表面形成固态薄膜。PVD是指物理过程实现物质转移，将原子或分子由源转移到基材表面上的过程，作用是可以使某些由特殊性能(强度高、耐磨性、散热性、耐腐蚀等)的微粒喷涂在性能较低的母体上，使得母体具有更好的性能。该PVD的基本方法：真空蒸发、溅射、离子镀。该离子镀具体可以是空心阴极离子镀、热阴极离子镀、电本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种封装薄膜制备方法，其特征在于，所述方法包括：/n在被封装器件表面生长无机氧化物薄膜层；/n在所述无机氧化物薄膜层上采用原子层沉积法生长修复薄膜层，基于所述原子层沉积法的保形生长，通过所述修复薄膜层填补所述无机氧化物薄膜层的针孔部位。/n

【技术特征摘要】
1.一种封装薄膜制备方法，其特征在于，所述方法包括：
在被封装器件表面生长无机氧化物薄膜层；
在所述无机氧化物薄膜层上采用原子层沉积法生长修复薄膜层，基于所述原子层沉积法的保形生长，通过所述修复薄膜层填补所述无机氧化物薄膜层的针孔部位。


2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，在被封装器件表面生长无机氧化物薄膜层，具体为：
在被封装器件表面采用PECVD或PVD生长无机氧化物薄膜层。


3.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述在被封装器件表面生长无机氧化物薄膜层，具体包括：
在所述被封装器件表面采用HMDSO和O2为第一前驱体，控制O2与HMDSO的输入气体流量比例、等离子体的第一射频功率，第一生长温度，使得第一前驱体分子在所述等离子体的作用下发生裂解；
裂解的成分在所述被封装器件表面发生化学反应并相互交连，形成SiOx薄膜层。


4.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述在被封装器件表面生长无机氧化物薄膜层，具体包括：
在所述被封装器件表面采用HMDSO、O2和N2为第二前驱体，控制O2与HMDSO的输入气体流量比例以及N2与HMDSO的输入气体流量比例、等离子体的第二射频功率、第二生长温度，使得第二前驱体分子在所述等离子体作用下发生裂解；
裂解的成分在所述被封装器件表面发生化学反应并相互交连，形成SiNxOy薄膜层。


5.如权利...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘键，
申请(专利权)人：中国科学院微电子研究所，
类型：发明
国别省市：北京;11