本发明专利技术公开了一种用于等离子体装置的样品台，包括样品座，样品座上开设有多个样品材料放置腔，样品座一侧开设有用于将其推入真空室的样品座推送装置，所述样品座包括基板，基板顶面中心嵌设有下绝缘件，下绝缘件顶面呈外圆弧状，两端对称设有互为间隔的上绝缘件，样品材料放置腔由下绝缘件与两个上绝缘件之间所形成的空间而构成，上绝缘件朝向样品材料放置腔的端面呈内圆弧状。本发明专利技术利用样品材料本身的预应力不同直接影响着离子入射能量的原理，通过利用夹持其的绝缘件等结构，能够有效的控制样品材料预应力的变化，从而达到了控制离子入射能量的效果。
A sample table for plasma device
【技术实现步骤摘要】
一种用于等离子体装置的样品台
本专利技术涉及等离子体装置
，具体涉及一种用于等离子体装置的样品台。
技术介绍
等离子体装置，通常被用来研究等离子体与材料的相互作用的基础问题，如材料的物理溅射和化学刻蚀、材料中氢和氦滞留/起泡问题、等离子体破裂对材料的影响模拟等。等离子体装置由于会产生大量的等离子体，所以其中心为高辐射区域，会产生大量热量。在其应用于聚变工程、高能物理等实验领域时，该装置工作区域为超高真空度环境，真空室极限真空度：≤1×10－5Pa，因此等离子体装置不仅要高温烘烤，而且要满足真空室整体罩检漏率<1×10－10Pa•m3/s要求。当前，虽然等离子体与材料相互作用的装置中对样品的夹持和温度控制的样品台已经存在，但在聚变工程、高能物理等实验领域中，不仅对真空度、冷却效率、实验参数的准确度有着极高的要求，另外在样品位置移动方便度及定位准确度的要求上也较为严格，还需同时使用多组样品材料进行作用，以便获得更可靠的多组实验参数，更好的进行实验分析。现有技术中的等离子体装置样品台大多无法满足上述要求。
技术实现思路
本专利技术的目的在于克服上述现有技术的不足，提供一种用于等离子体装置的样品台，尤其适用于聚变工程、高能物理等实验领域。一种用于等离子体装置的样品台，包括样品座；所述样品座上开设有多个样品材料放置腔，样品座一侧开设有用于将其推入真空室的样品座推送装置，所述样品座包括基板，基板顶面中心嵌设有下绝缘件，下绝缘件顶面呈外圆弧状，两端对称设有互为间隔的上绝缘件，样品材料放置腔由下绝缘件与两个上绝缘件之间所形成的空间而构成，上绝缘件朝向样品材料放置腔的端面呈内圆弧状，上绝缘件的另一面设有防辐射板，防辐射板上开设有用于露出样品材料放置腔的缺口，防辐射板外设有用于调整上绝缘件对样品材料放置腔中样品材料压紧力度的压紧装置，基板的底面设有冷却装置。作为对上述技术方案的进一步描述：所述样品座推送装置包括波纹管，波纹管与样品座相连接，并设置在推动其运动的滑动平台中。作为对上述技术方案的进一步描述：所述防辐射板为钼板，压紧装置包括穿透于钼板及上绝缘件，连接在基板上的圆头钼螺栓。作为对上述技术方案的进一步描述：所述冷却装置为设置在基板底面的冷水槽。本专利技术利用样品材料本身的预应力不同直接影响着离子入射能量的原理，通过利用夹持其的绝缘件等结构，能够有效的控制样品材料预应力的变化，从而达到了控制离子入射能量的效果。结合推送装置、样品座上多个样品材料放置腔上的设置，不仅能够获得更可靠的多组实验参数，更好的进行实验分析，而且使样品位置移动方便、定位准确，另外所需的真空度、冷却要求均能够满足较高的要求，可广泛应用于聚变工程、高能物理等实验领域。附图说明为了更清楚地说明本专利技术实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本专利技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。图1为本专利技术的使用状态示意图；图2为本专利技术的结构示意图。具体实施方式下面结合附图对本专利技术的优选实施例进行详细阐述，以使本专利技术的优点和特征能更易于被本领域技术人员理解，从而对本专利技术的保护范围做出更为清楚明确的界定。参见图1，本专利技术提供的一种用于等离子体装置的样品台，包括样品座1及样品座推送装置2，样品座1上开设有四个样品材料放置腔3，样品座1处于真空室4中心一侧（真空室4即等离子体装置的工作区域，产生大量的等离子体），样品座1通过样品座推送装置2将其位于样品材料放置腔3中的样品材料送入真空室4中心位置进行检测，结合图2，样品座1包括基板11，基板11可采用散热性能优良的无氧铜材料制成，基板11顶面中心嵌设有下绝缘件12，下绝缘件12顶面呈外圆弧状，两端对称设有互为间隔的上绝缘件13，样品材料放置腔3由下绝缘件12与两个上绝缘件13之间所形成的空间而构成，样品材料安装在上下绝缘件中进行绝缘，上绝缘件13朝向样品材料放置腔3的端面呈内圆弧状，上绝缘件13的另一面设有防辐射板14，防辐射板14上开设有用于露出样品材料放置腔3的缺口，防辐射板14外设有用于调整上绝缘件13对样品材料放置腔3中样品材料压紧力度的压紧装置15，基板11的底面设有冷却装置16。使用时，将四个样品材料5对应放入到四个样品材料放置腔3中，四个样品材料放置腔3等距均布，在样品座1上依次排列，排列方向与样品座推送装置2移动方向一致。样品座1通过样品座推送装置2推送送入真空室1中心位置，四个样品材料5均处于等离子体中心的真空环境中，各样品材料5均受到由下绝缘件12与两个上绝缘件13的限制，呈圆弧状态（图2中的S）的固定在样品材料放置腔3中，再通过调整压紧装置15，使压紧力通过上绝缘件13的圆弧面传递到样品材料5上，使得样品材料5产生预压力。因样品材料5本身的预应力不同会直接影响着离子入射能量，所以通过调整压紧力的大小对样品材料5产生不同的预压力，从而在（超高）真空条件下，对样品材料5施加预应力，实现了控制离子的入射能量，获得更准确的实验参数。同时使用四组样品材料5进行作用，以便获得更可靠的四组实验参数，更好的进行实验分析。为了确保使用时装置的散热性能，通过在基板11底面设置冷却装置16，对样品台进行冷却。实施例1作为对上述技术方案的优化说明：参见图1，样品座推送装置2包括波纹管21，波纹管21与样品座1相连接，并设置在推动其运动的滑动平台22中。使用时，波纹管21通过滑动平台控制实现移动定位，波纹管21的收缩量即为样品座1的移动位移。该种推送结构结构简单，操作方便，利用波纹管21不同压缩量可以满足样品座1所需的多种移动距离，从而实现每件样品材料相互作用时分别都能处于等离子体中心。实施例2作为对上述技术方案的优化说明：防辐射板14为钼板，压紧装置15包括穿透于钼板及上绝缘件13，连接在基板11上的圆头钼螺栓151。使用时，通过拧紧圆头钼螺栓151，提高钼板、上绝缘件13及基板11的结合力，反之放松。采用钼板及圆头钼螺栓151作为防辐射及压紧的机构，不仅结构简单操作方便，也能保证较好的防辐射效果，保证整个样品台的稳定使用。实施例3作为对上述技术方案的优化说明：冷却装置16为设置在基板11底面的冷水槽。目的在于，不仅结构简单，操作方便，而且具有节约样品座占用空间的意义。以上所述仅是本专利技术的优选实施方式，本专利技术的保护范围并不仅局限于上述实施例，凡属于本专利技术思路下的技术方案均属于本专利技术的保护范围。应当指出，对于本
的普通技术人员来说，在不脱离本专利技术原理前提下的若干改进和润饰，这些改进和润饰也应视为本专利技术的保护范围。本文档来自技高网...
【技术保护点】
1.一种用于等离子体装置的样品台，包括样品座，其特征在于：所述样品座上开设有多个样品材料放置腔，样品座一侧开设有用于将其推入真空室的样品座推送装置，所述样品座包括基板，基板顶面中心嵌设有下绝缘件，下绝缘件顶面呈外圆弧状，两端对称设有互为间隔的上绝缘件，样品材料放置腔由下绝缘件与两个上绝缘件之间所形成的空间而构成，上绝缘件朝向样品材料放置腔的端面呈内圆弧状，上绝缘件的另一面设有防辐射板，防辐射板上开设有用于露出样品材料放置腔的缺口，防辐射板外设有用于调整上绝缘件对样品材料放置腔中样品材料压紧力度的压紧装置，基板的底面设有冷却装置。/n
【技术特征摘要】
1.一种用于等离子体装置的样品台，包括样品座，其特征在于：所述样品座上开设有多个样品材料放置腔，样品座一侧开设有用于将其推入真空室的样品座推送装置，所述样品座包括基板，基板顶面中心嵌设有下绝缘件，下绝缘件顶面呈外圆弧状，两端对称设有互为间隔的上绝缘件，样品材料放置腔由下绝缘件与两个上绝缘件之间所形成的空间而构成，上绝缘件朝向样品材料放置腔的端面呈内圆弧状，上绝缘件的另一面设有防辐射板，防辐射板上开设有用于露出样品材料放置腔的缺口，防辐射板外设有用于调整上绝缘件对样品材料放置腔中样品材料压紧力度的压紧装...
【专利技术属性】
技术研发人员：陈晓莉，李波，吴杰峰，韦俊，
申请(专利权)人：合肥聚能电物理高技术开发有限公司，
类型：发明
国别省市：安徽;34
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