用于光电设备的控制部件制造技术

本公开涉及用于光电设备的控制部件。一种制造用于光电设备的包括像素电极阵列的控制部件的方法，所述方法包括：在支撑膜之上原位形成图案化基质材料层和/或一个或多个图案化滤色器材料层；在所述支撑膜之上原位形成限定电气电路的层的叠堆，像素电极阵列中的每一个经由该电气电路可被独立寻址；其中，形成所述层的叠堆包括在所述图案化基质材料层和/或一个或多个图案化滤色器材料层之上至少原位形成：限定源导体阵列和漏导体阵列的图案化导体层；限定源导体和漏导体之间的半导体沟道的半导体沟道材料层；以及限定栅导体阵列的另一个图案化导体层，该栅导体阵列在所述沟道区域中提供栅电极。

Control parts for photoelectric equipment

【技术实现步骤摘要】
用于光电设备的控制部件
本公开涉及用于光电设备的控制部件。
技术介绍
光电设备通常包括用于例如控制光学输出的图案和/或检测光学输入的图案的像素电极阵列。
技术实现思路
这种光电设备的一个示例是液晶显示(LCD)设备，该LCD设备包括被包含在控制部件和计数器部件(countercomponent)之间的液晶材料，该控制部件包括可独立寻址像素电极的阵列。设备内在像素之间的区域中可以包括基质(matrix)，以例如减少来自像素之间的区域中的金属结构的不想要的反射。传统上，通过预制备包括预形成在支撑膜(诸如塑料膜)上的基质图案的基质部件并且将预制备的基质部件层叠到包括像素电极的控制部件来包括这种基质。在彩色显示器(colourdisplay)的情况下，包括在基质内的滤色器阵列(例如，红色、绿色和蓝色)的预制备滤色器阵列部件被层叠到包括像素电极的控制部件。本申请的专利技术人已经围绕提供将基质和/或滤色器包括到光电设备中的替代技术进行了研究。由此提供了一种制造用于光电设备的包括像素电极阵列的控制部件的方法，该方法包括：在支撑膜之上原位形成图案化基质材料层和/或一个或多个图案化滤色器材料层；在所述支撑膜之上原位形成限定电气电路的层的叠堆，像素电极阵列中的每一个经由该电气电路可被独立寻址；其中，形成所述层的叠堆包括在所述图案化基质材料层和/或一个或多个图案化滤色器材料层之上至少原位形成所述像素电极阵列。根据一个实施例，该方法包括：在所述图案化基质材料层和/或所述一个或多个图案化滤色器材料层之间提供所述层的叠堆中的一个或多个层。根据一个实施例，该方法包括：在所述支撑膜之上原位形成所述一个或多个图案化滤色器材料层和所述图案化基质材料层二者，并且所述一个或多个图案化滤色器材料层和所述图案化基质材料层一起限定滤色器阵列，该滤色器阵列包括在相对非透射基质内的滤色器材料的像素。根据一个实施例，所述一个或多个图案化滤色器材料层包括在可见光谱中的相应波长处表现出峰值透射的一个或多个图案化绝缘材料层。根据一个实施例，所述层的叠堆包括：限定源导体阵列和漏导体阵列的图案化导体层；限定沟道区域中的半导体沟道的半导体沟道材料层，在沟道区域中源导体和漏导体在图案化导体层内最接近；以及限定栅导体阵列的另一个图案化导体层，该栅导体阵列在所述沟道区域中提供栅电极。根据一个实施例，该方法还包括：形成穿过所述一个或多个图案化滤色器材料层的在所述漏导体的区域中的所述滤色器材料的通孔；以及形成所述像素电极阵列包括在一个或多个图案化滤色器材料层之上原位形成像素电极材料层，并且图案化所述像素电极材料层以便限定所述像素电极阵列，每个像素电极经由相应通孔与相应漏导体接触。根据一个实施例，所述图案化基质材料层包括所述沟道区域中的基质材料。根据一个实施例，该方法还包括：在所述支撑膜之上原位形成所述一个或多个图案化滤色器材料层和所述图案化基质材料层二者；以及在所述图案化基质材料层和所述一个或多个图案化滤色器材料层之间提供所述层的叠堆中的一个或多个层。根据一个实施例，所述图案化基质材料层和所述一个或多个图案化滤色器材料层之间的所述一个或多个层包括：限定源导体阵列和漏导体阵列的图案化导体层；限定沟道区域中的半导体沟道的半导体沟道材料层，在沟道区域中源导体和漏导体在图案化导体层内最接近；以及限定栅导体阵列的另一个图案化导体层，该栅导体阵列在所述沟道区域中提供栅电极。根据一个实施例，在所述支撑膜之上原位形成所述图案化基质材料层包括：在所述支撑膜之上原位形成连续的基质材料层，并且在所述支撑膜之上原位图案化所述连续的基质材料层。根据一个实施例，在所述支撑膜之上原位形成图案化滤色器材料层包括：在所述支撑膜之上原位形成连续的滤色器材料层，并且在所述支撑膜之上原位图案化所述连续的滤色器材料层。由此还提供了一种制造显示设备的方法，该方法包括：将液晶材料包含在计数器部件和通过上述方法制造的控制部件之间。附图说明下面将只以举例方式参照附图详细描述本专利技术的实施例，其中：图1至图13图示了根据本专利技术的技术的一个示例实施例的处理流程；以及图14至图25图示了根据本专利技术的技术的另一个示例实施例的处理流程。为了简洁和清楚起见，附图集中于光电设备的两至三个像素，但是光电设备可以包括很大数量的像素。具体实施方式下面描述的实施例是用于边缘场切换(fringe-fieldswitching，FFS)LCD设备的顶栅晶体管(topgatetransistor)阵列的示例，但是这些技术也能够适用于FFS-LCD设备的其他类型的晶体管阵列以及用于包括其他类型的LCD设备的其他类型设备的晶体管阵列。出于本文档的目的，术语“源导体”是指电串联在驱动器端子和半导体沟道之间的导体，以及术语“漏导体”是指经由半导体沟道与驱动器端子电串联的导体。半导体沟道材料可以包括一种或多种有机半导体材料(诸如，例如，有机聚合物半导体)和/或一种或多种无机半导体材料。下面参考附图描述根据本专利技术的示例实施例的对工件的处理。在整个处理期间，工件可以被临时固定到更刚性的载体(未示出)，以便例如在处理期间将工件保持在期望的配置/位置，并且有助于工件在处理工具之间的移动。参照图1至图13，下面描述根据本专利技术的第一示例实施例的对工件的处理。工件以支撑元件2开始，支撑元件2包括支撑膜(诸如自支撑柔性塑料膜)并且可选地包括例如提供遮光功能的图案化导体层以及位于图案化导体层之上的平面化层。(通过例如诸如溅射之类的气相沉积处理)在工件上原位形成连续的导体材料层(或连续层的叠堆，其包括至少一个导体材料层)，并且在工件上原位图案化所述连续的导体材料层以产生源-漏导体图案。源-漏导体图案至少限定(i)源导体4a的阵列，每个源导体4a与相应晶体管列相关联并且延伸超出像素电极阵列(下面提到)的边缘以用于连接到驱动器芯片(未示出)的相应端子，以及(ii)漏导体4b的阵列，每个漏导体与相应晶体管相关联。每个源导体4a包括：寻址线，该寻址线延伸超出像素电极阵列的边缘以用于连接到驱动器芯片的相应端子；以及用于每个晶体管的一个或多个源导体指状物(conductorfinger)，所述导体指状物是从寻址线分支出来的。源导体指状物是源导体的最接近漏导体的部分。漏导体4b包括一个或多个漏导体指状物，所述漏导体指状物平行于源导体指状物延伸(例如，与源导体指状物相互交叉)并且是漏导体的最接近源导体的部分。每个漏导体4b还包括漏焊盘(drainpad)。通过例如诸如旋涂之类的液相沉积处理，在工件上原位形成连续的半导体沟道材料层。在连续的半导体沟道材料层之前，可以在源-漏导体图案的表面上形成改善源-漏导体图案与半导体沟道材料之间的电荷转移的一个或多个层，诸如例如合适的有机材料的自组装单层。(通过例如涉及使用临时图案化抗蚀剂掩模的光刻处理)使连续的半导体沟道材料层在工件上原位经历图案化，本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种制造用于光电设备的包括像素电极阵列的控制部件的方法，所述方法包括：/n在支撑膜之上原位形成图案化基质材料层和/或一个或多个图案化滤色器材料层；/n在所述支撑膜之上原位形成限定电气电路的层的叠堆，所述像素电极阵列中的每一个经由所述电气电路可被独立寻址；/n其中，形成所述层的叠堆包括在所述图案化基质材料层和/或一个或多个图案化滤色器材料层之上至少原位形成：/n限定源导体阵列和漏导体阵列的图案化导体层；/n限定源导体和漏导体之间的半导体沟道的半导体沟道材料层；以及/n限定栅导体阵列的另一个图案化导体层，所述栅导体阵列在所述沟道区域中提供栅电极。/n

【技术特征摘要】
20180704 GB 1810979.31.一种制造用于光电设备的包括像素电极阵列的控制部件的方法，所述方法包括：
在支撑膜之上原位形成图案化基质材料层和/或一个或多个图案化滤色器材料层；
在所述支撑膜之上原位形成限定电气电路的层的叠堆，所述像素电极阵列中的每一个经由所述电气电路可被独立寻址；
其中，形成所述层的叠堆包括在所述图案化基质材料层和/或一个或多个图案化滤色器材料层之上至少原位形成：
限定源导体阵列和漏导体阵列的图案化导体层；
限定源导体和漏导体之间的半导体沟道的半导体沟道材料层；以及
限定栅导体阵列的另一个图案化导体层，所述栅导体阵列在所述沟道区域中提供栅电极。


2.根据权利要求1所述的方法，包括：
(a)在所述支撑膜之上原位形成所述一个或多个图案化滤色器材料层；
(b)在所述一个或多个图案化滤色器材料层之上至少原位形成：
限定所述源导体阵列和所述漏导体阵列的所述图案化导体层，
限定源导体和漏导体之间的半导体沟道的所述半导体沟道材料层，以及
限定栅导体阵列的所述另一个图案化导体层，所述栅导体阵列在所述沟道区域中提供栅电极；
(c)在所述图案化导体层、所述半导体沟道材料层和所述另一个图案化导体层之上原位形成所述图案化基质材料层；以及
(d)在所述图案化基质材料层之上原位形成所述像素电极。


3.根据权利要求1或权利要求2所述的方法，其中所述一个或多个图案化滤色器材料层包括在可见光谱中的相应波长处表现出峰值透射的一个或多个图案化绝缘材料层。

【专利技术属性】
技术研发人员：S·诺弗尔，
申请(专利权)人：弗莱克因艾伯勒有限公司，
类型：发明
国别省市：英国;GB